| CoSi_2/Si异质结的形成及其电子结构的研究 |
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| 引用本文： | 王建明,李观启,关中凡,黄美浅.CoSi_2/Si异质结的形成及其电子结构的研究[J].华南理工大学学报(自然科学版),1990(4). |
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| 作者姓名： | 王建明 李观启 关中凡 黄美浅 |
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| 作者单位： | 华南理工大学物理系，华南理工大学物理系，华南理工大学物理系，华南理工大学物理系 |
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| 摘 要： | 利用离子束镀膜技术,在非超高真空(1.33×10~(-3)Pa)下,采用离子束清洗衬底表面和对衬底加热的辅助方法,在单晶Si衬底上淀积Co薄层,再在Co层上淀积Si保护层,然后在570—680℃下进行真空(6.67×10~(-3)Pa)退火,能形成有害杂质(O、C等)含量少且界面区域过渡陡峭的CoSi_2/Si异质结。本文利用俄歇电子能谱(AES),X射线光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS)对样品的组分、化学相和电子结构进行了分析。
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| 关 键 词： | 异质结 电子结构 光电子谱 |
STUDY ON THE FORMATION OF CoSi_2/Si HETERE STRUCTURE AND ELECTRONIC STRUCTURE OF CoSi_2 |
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| Wang Jianming,Li Guanqi,Guan Zhongfan,Huang Meiquan Dept.of Phys.,South China Univ.of Tech..STUDY ON THE FORMATION OF CoSi_2/Si HETERE STRUCTURE AND ELECTRONIC STRUCTURE OF CoSi_2[J].Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition),1990(4). |
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| Authors: | Wang Jianming Li Guanqi Guan Zhongfan Huang Meiquan Deptof Phys South China Univof Tech |
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| Keywords: | heterojunction electronic structure photo-electron spectroscopy |
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