激光直接刻蚀图形的质量分析

在激光剥离机制的基础上，分析了激光直接刻蚀过程中，蒸气压及热传导对图形刻蚀质量的影响，并得出了刻蚀不同厚度Ａｌ膜的激光能量密度、脉冲频率和刻蚀脉冲数的最佳组合．对Ｔａｌｂｏｔ成像法中对比度对图形刻蚀质量的影响也进行了分析     

紫外脉冲激光对聚氯乙烯（PVC）塑料刻蚀产物的研究

利用四极质谱和离子能量分析器，测定了紫外激光刻蚀ＰＶＣ塑料产生的分子、原子和离子产物的质量分布和各种离子的平动能分布，研究了激光通量对刻蚀的影响，发现离子的产生需要比中性产物有更高的激光阈值，讨论了紫外激光对ＰＶＣ塑料的刻蚀剥离机理。     

紫外脉冲激光泽聚氯乙烯（PVC）塑料刻蚀产物的研究

利用四极质谱和离子能量分析器，测定了紫外激光刻蚀ＰＶＣ塑料产生的分子，原子和离子产物的质量分布和各种离子的平动能分布，研究了激光通量对刻蚀的影响，发现离子的产生需要比中性产物有更高的激光阈值，讨论了紫外激光对ＰＶＣ塑料的刻蚀剥离机理。     

基于有限元法的片式电阻阻值与激光刻蚀路径关系的研究

激光对片式电阻的刻蚀路径直接影响片式电阻的阻值精度,掌握激光刻蚀路径对片阻阻值的影响可为精调片阻阻值提供理论依据.掌握激光刻蚀路径与片阻阻值关系的前提是确定准确、有效的研究方法,首先,应确定片阻阻值与激光刻蚀路径关系的物理模型,然后应用有限元法计算该物理模型的数值解,分析、处理这些数据可得到不同型号片阻阻值与不同刻蚀路径之间的定量关系;经实验验证表明,利用有限元法得到的片阻阻值与刻蚀路径的关系函数的计算偏差不大于2%,可以应用有限元法研究激光刻蚀路径对片阻阻值的影响,进而为精调片阻阻值提供了控制依据.     

亚微米级坡莫合金栅格研制

本文提出用激光干涉法制作亚微米级坡莫合金耦合栅格掩模,然后用FeCl_3溶液、等离子体两种刻蚀方法得到坡莫合金耦合栅格。文中对两种刻蚀方法进行了比较,讨论了得到高质量图形的工艺条件。     

激光技术在玻璃加工上的应用

介绍了激光加工的原理和激光加工的应用现状,着重分析了激光加工玻璃的实质以及影响激光加工玻璃的难易程度和加工质量的因素。指出利用激光进行光电微器件的刻蚀加工和利用激光进行高质量的艺术雕刻,是激光加工技术较有前途的发展方向。     

基于BP神经网络的刻蚀偏差预测模型

刻蚀是将设计版图转化为到晶圆图形的重要步骤,刻蚀质量的好坏直接关系到芯片或集成电路的性能,而影响刻蚀质量(蚀刻偏差)的孔径效应和微负载效应在很大程度上取决于版图密度、图案间距等布局特征。为了探究在固定刻蚀工艺参数下的版图特征对刻蚀偏差影响,本文提出了基于BP神经网络的刻蚀偏差预测模型。首先,对一维版图的特征提取并建立用于训练模型和测试模型的训练集与测试集,然后,训练和优化该BP神经网络模型。实验结果表明,该模型预测值的绝对误差可达±2 nm以下,而相对于真实刻蚀偏差的相对误差可达10%以下。因此在较大技术节点下,这种基于BP神经网络模型的预测精度是可以接受的。     

A_r~+激光诱导氯气刻蚀硅

本文通过被局域刻蚀硅表面形貌的精确测量,考察了刻蚀速率对于激光功率、波长、反应室气压的依赖关系,讨论了在不同光斑尺寸和刻蚀深度下反应机理的变化,给出了衬底晶向和表面氧化层对刻蚀效果影响的一些新的结果。     

MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究

探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大的改善.以优化的刻蚀条件进行深度刻蚀,蚀刻出深达236μm的窗口,图形完整,各向异性良好.     

脉冲Nd:YAG激光刻蚀牙釉质对牙釉质形态及其抗剪切强度的影响

目的:研究激光刻蚀牙釉质对其形态的影响,测量激光刻蚀釉质后其抗剪切强度能否达到临床要求.方法:选择55颗离体前磨牙,随机分为5组.实验组4组分别接受不同电流强度的激光照射.对照组用体积分数37%磷酸酸蚀.5组每组随机抽取一颗离体牙进行电镜扫描.其余50颗离体牙黏结金属托槽,测量抗剪切强度.结果:对照组釉质表层均匀脱钙,呈凹凸不平的粗糙面,实验组可以看到类似的效果.实验组和对照组两两比较抗剪切强度存在统计学差异(P<0.05).结论:①扫描电子显微镜(SEM)证实激光刻蚀釉质可以获得与体积分数37%磷酸酸蚀相似的微观结构.②激光刻蚀釉质后黏结托槽其抗剪切强度并不能达到临床治疗要求.③激光刻蚀釉质对髓腔温度的影响与其对抗剪切强度的影响成反比关系.     

镁合金表面激光刻蚀精密打标应用

镁合金具有比强度高、减振性和电磁屏蔽性好等优点,在电子产品上有越来越多的应用。镁合金电子产品的徽标及文字特征标识可以采用激光刻蚀打标方法,速度快、精度高、适应性广。针对激光种类及其参数对镁合金刻蚀的影响尚缺乏定量化的研究这一现状,本文利用光纤激光打标机进行打标实验,结合表面形貌的特征分析了激光种类和参数的影响,总结了镁合金激光精密打标技术的特点与应用。     

有机玻璃的反应离子深刻蚀

以有机玻璃薄片为原料,进行反应离子深刻蚀,探讨了有机玻璃的刻蚀反应机理,着重研究了工作气压和功率密度对刻蚀速率、图形形貌的影响.结果表明,O2反应离子刻蚀有机玻璃是以化学刻蚀为主,同时离子碰撞作用也很重要.刻蚀速率开始随气压增大而加快,刻蚀速率主要受氧活性粒子浓度控制;气压超过一定值时,刻蚀速率反而减小,气压太高不利于各向异性刻蚀.刻蚀速率随功率增加而增大,适当增大功率有利于各向异性刻蚀.通过优化刻蚀工艺,可以获得侧壁较陡直光滑的有机玻璃微结构,扩展了加工微结构的方法.     

激光束在大气中的传播特性研究

激光大气传输特性是研究激光在通过大气传播的过程中,大气与激光相互作用产生的一系列线性与非线性效应以及这些效应对激光传输的影响。文章基于正的共焦非稳定谐振腔的激光场,采用快速傅里叶变换(FFT)等方法研究激光光束在大气中的传播特性,分析了强激光器如二氧化碳激光器在大气传输中产生的一些线性光学效应,并在只考虑大气折射、大气分子吸收等对激光光束的影响下,求出了激光光束在大气中的偏移、光束的扩展和光束质量等,进而利用β参数和Strehl比来评价高能激光器的光束质量特性,给出了这两个参数随着最高能量变化的图形。     

软X光激光In衰减膜的制备及测量

通过对制备工艺的摸索 ,制备出用于软X光激光实验的In衰减膜 ;利用α能谱测厚仪对In衰减膜的质量厚度进行了测量 ;通过俄歇电子谱并结合Ar离子刻蚀对In膜表面氧化及氧元素质量分数的深度分布进行了分析 .     

基于液滴锡靶LPP-EUVL光源多层膜的溅射损伤研究

基于Navier-Stokes方程的自相似解,研究了最小质量限制液滴Sn靶激光等离子高能离子的时空分布特性,并将该结果应用于高能离子碎屑刻蚀导致的极紫外光刻(EUVL)光源收集镜寿命的评估.对于不同的绝热膨胀指数γ＝1.67、1.3和1.1,数值计算了激光等离子体平均电离度、等离子体羽辉尺寸、羽辉膨胀速率和离子动能随时间的演化,并得到了高能Sn离子碎屑通量的角分布及其轰击溅射Ru、Mo和Si膜的溅射产额及溅射刻蚀速率.研究发现,激光液滴靶等离子体中的高能Sn离子对Mo,Si多层膜的溅射刻蚀率的角分布满足cos3θ的关系.对EUVL光源而言,为了延长EUV收集镜寿命,降低激光等离子体电离度和采用最小质量限制液滴Sn靶是一条有效的途径.     

空磁控靶溅射刻蚀的模拟研究

建立了磁控溅射单粒子模型，结合靶表面磁场的分布，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ研究了溅射气体粒子的运动规律，得到靶表面刻蚀的图形，发现靶中间环的刻蚀最强，这与实验结果和磁场的水平分量分布一致。     

激光入射角对振镜扫描激光刻蚀质量的影响

以加工焦深限制范围内的倾斜平面模型来模拟工件表面的微观不平坦状况,对激光束以一定倾角入射工件表面的光斑畸变及其对刻蚀质量的影响开展了理论和实验方面的初步探索．结果表明,随着激光束入射方向与工件表面法向的夹角（简称入射角）的增大,光斑畸变量也越来越大,振镜沿水平路径扫描的刻蚀线宽始终比竖直路径的大,刻蚀线长始终比竖直路径的小;相对于水平刻蚀路径,竖直刻蚀路径刻槽的任意位置经历的激光辐照时间更长,物质蒸发、重熔更充分,刻槽更深,金属重铸层更厚,刻槽的侧壁和底部形貌更为平整光滑．     

磁控靶溅射刻蚀的模拟研究

建立了磁控溅射单粒子模型，结合靶表面磁场的分布，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法研究了溅射气体粒子的运动规律，得到靶表面刻蚀的图形，发现靶中间圆环的刻蚀最强，这与实验结果和磁场的水平分量分布一致．     

聚硅烷用作紫外亚微米光刻胶

讨论了用醇酸树脂或聚氨脂树脂为平坦层，几种不同的枝状和线状聚硅烷为抗蚀层，在玻璃基片上的XeCl准分子激光光刻效果。由于聚硅烷与其它树脂相容性不好，作者将含氟聚硅烷作为添加剂添加到枝状聚硅烷中进行光刻实验，获得最小分辨率为0．5μm的明暗线条等宽图形，对以不同聚硅烷相互作为添加剂，将其配方性能优化进行了有益的尝试。对多种影响图形转移质量 的因素进行了一些定性的讨论。     

微光学阵列元件离子束刻蚀制作的分析与讨论

阐述了利用离子束刻蚀技术制作微光学阵列元件的工艺条件,研究和实验结果表明,通过光刻热熔法制作的光致抗蚀剂掩模图形经具有不同能量的离子束刻蚀后可以有效地现役中衬底材料上所作的选择性转移,所作的理论分析结果为非球面微光学阵列元件的制作提供了一条可行的技术途径。