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1.
用反应磁控溅射方法制备了TiAlN薄膜,结构分析表明,当Ti的含量小于0.25时,TiAlN薄膜是Al基氮化物的闪锌矿结构,但晶格常数随Ti原子含量的增加而增大.X射线光电子能谱分析表明,TiAlN薄膜有与AlN和TiN不同的电子结构特征.  相似文献   
2.
磁控溅射靶磁场的分布   总被引:3,自引:1,他引:2  
用麦克斯韦方程,推导了射频磁控溅射靶磁场的数学表达式,并研究了靶磁场的三维分布规律,得到了磁控靶的磁场在中心圆环有较强的水平分量,边缘有较强的垂直分量的结果,计算结果与实验结果相符。  相似文献   
3.
空磁控靶溅射刻蚀的模拟研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
建立了磁控溅射单粒子模型,结合靶表面磁场的分布,用MonteCarlo研究了溅射气体粒子的运动规律,得到靶表面刻蚀的图形,发现靶中间环的刻蚀最强,这与实验结果和磁场的水平分量分布一致。  相似文献   
4.
相变随机存储器存储单元结构设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
为改善写信息脉冲电流过高而制约相变随机存储器实用化的状况,根据自下而上、边缘接触式存储单元结构的特点,建立了存储单元脉冲电流写信息的二维仿真模型,用有限无法解电、热传导微分方程模拟了存储单元的温度分布.结果证实,边缘接触式结构具有更低的写信息脉冲电流,是降低相变随机存储器写信息脉冲电流幅值的一种有效存储单元结构.  相似文献   
5.
讨论了磁光静态记录过程中单层膜与多层膜在激光照射微区内温度场的分布,导出多层膜在激光照射下温度变化的解析表达式,由此模拟出局域瞬态温度场,在理论上确定了TbFeCo记录材料的成畴大小和形状,这对磁光薄膜宽温化、表面温度特性和磁光记录畴表面形貌分析等具有实际意义  相似文献   
6.
研究了制备非晶SmDyFeCo薄膜的方法和它的磁光记录畴大小随记录激光功率P及记录偏磁场Hb的变化趋势,并与非晶重稀土-过渡族DyFeCo薄膜的磁光性能比较,得到了重要的结论:在非晶重稀土-过渡族DyFeCo薄膜中加一定量的轻稀土元素Sm组成四元非晶合金薄膜能使它的磁光记录畴直径减小,它可能成为未来高记录密度的新型磁光材料  相似文献   
7.
磁控溅射薄膜的厚度均匀性理论研究   总被引:7,自引:1,他引:7  
建立了一个磁控溅射模型,在几种特殊情况下,给出了计算机模拟的薄膜厚度三维分布和二维分布,提出了制备大面积薄膜的条件,结果表明:计算机模拟的结果与实验结果和有关 结果一致。  相似文献   
8.
TiAlN保护膜的制备及结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用反应磁控溅射方法制备了TiAlN薄膜,结构分析表明,当Ti的含量小于0.25时,TiAlN薄膜是Al基氮化物的闪锌矿结构,但晶格常数随Ti原子含量的增加而增大,X射线光电子能谱分析表明,TiAlN薄膜有与AlN和TiN不同的电子结构特征。  相似文献   
9.
采用射频磁控溅射方法制备了DyFeCo非晶磁光薄膜,研究了氩气压、溅射功率对DyFeCo薄膜性能的影响.实验表明:反射率随氩气压升高而降低,矫顽力随氩气压升高而逐渐增大,达到一定值时克尔回线反向,随后矫顽力又逐渐减小,高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好,但氩气压进一步升高,磁光克尔回线矩形度变差.本征磁光克尔角随氩气压升高而增大,到达最大值后又逐渐减小.反射率随溅射功率增加而升高,到达最大值后又逐渐下降.矫顽力随溅射功率增加而逐渐增大,到达最大值后,磁光克尔回线反向,然后矫顽力又逐渐减小  相似文献   
10.
建立了一个磁控溅射模型,在几种特殊情况下,给出了计算机模拟的薄膜厚度三维分布和二维分布,提出了制备大面积薄膜的条件.结果表明:计算机模拟的结果与实验结果和有关文献的结果一致.  相似文献   
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