| MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究 |
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| 引用本文： | 张凯,顾豪爽,胡光,叶芸,吴雯,刘婵.MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究[J].湖北大学学报(自然科学版),2007,29(3):255-257. |
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| 作者姓名： | 张凯 顾豪爽 胡光 叶芸 吴雯 刘婵 |
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| 作者单位： | 湖北大学物理学与电子技术学院 湖北武汉430062 |
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| 基金项目： | 武汉市科技攻关项目(20061002073) |
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| 摘 要： | 探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大的改善.以优化的刻蚀条件进行深度刻蚀,蚀刻出深达236μm的窗口,图形完整,各向异性良好.
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| 关 键 词： | 微机电系统 湿法刻蚀 深度刻蚀 刻蚀速率 表面粗糙度 |
| 文章编号： | 1000-2375（2007）03-0255-03 |
| 收稿时间： | 2006-06-21 |
| 修稿时间： | 2006-06-21 |
Study on the deep wet etching of the silicon for MEMS |
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| ZHANG Kai,GU Hao-Shuang,HU Guang,YE Yun,WU Wen,LIU Chan.Study on the deep wet etching of the silicon for MEMS[J].Journal of Hubei University(Natural Science Edition),2007,29(3):255-257. |
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| Authors: | ZHANG Kai GU Hao-Shuang HU Guang YE Yun WU Wen LIU Chan |
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| Institution: | Faculty of Physics and Electronic Technology, Hubei University, Wuhan 430062, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microelectromechanical system(MEMS) wet etching deep etching etching rate surface roughness |
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