nmAl粒子的电磁波吸收和金属—绝缘体相变

ｎｍＡｌ粒子在一定的粒径范围内对电磁波有较强的吸收能力，其吸收率ａ≈０．４．在这个粒径范围内，Ａｌ粒子既不具有完全的金属性。也不具有完全的绝缘性。ｎｍＡｌ粒子的金属－绝缘体相应不是一个个突变过程，存在“过渡区”。     

低温反应射频溅射生长AIN膜

本文报导了用不加正交磁场的低温反应射频溅射生长C轴择优取向AIN多晶膜的方法,用该法在多种基片(特别是在镀铝玻璃片)上制得了择优取向的AIN多晶膜.文中还报导了用XRD与电镜测试AIN多晶膜的结果.初步分析了取向度和粒度大小与工艺条件的关系.     

低温溅射AIN薄膜的光学分析

本文用光谱分析的方法研究低温反应射频溅射生长的A1N薄膜。结果表明,薄膜的红外吸收谱在700cm~(-1)处有一吸收带,与块状晶体相同,因此有较宽的红外透过区。热处理后红外谱无明显变化。薄膜的紫外吸收谱表明:禁带宽度为5.9～6.0eV,在N_2中热处理后,吸收过不发生平移,禁带宽度也不发生变化。在O_2中处理两小时后,禁带宽度减小到5.7eV。所有热处理都使非指数尾部变化。     

激光直接刻蚀图形的质量分析

在激光剥离机制的基础上，分析了激光直接刻蚀过程中，蒸气压及热传导对图形刻蚀质量的影响，并得出了刻蚀不同厚度Ａｌ的激光能量密度，脉冲频率和刻蚀脉冲数的最佳组合，对Ｔａｌｂｏｔ成像法中对比度对图形刻蚀质量的影响也进行了分析。     

二维周期结构复合膜系的红外特性

给出了二维周期结构复合膜系电磁特性的基本理论；对二维正弦周期结构复合膜系和非谐振型二维周期结构复合膜系进行了实验研究．在二维正弦周期结构复合膜系中，反射和辐射特性在波长等于周期值附近发生了变化．理论计算结果与实验符合较好     

热红外低比辐射,高温反射比表面

在金属和非金属基体上，制备出了热红外低比辐射率以及射率和漫反射率都很低的高温反射比表面。对黄铜基体，Ｔ＝３７３Ｋ，λ≥８μｍ的法向积分比辐射率ε ｎ＝０．１３，Ｔ＝４１３Ｋ，λ＝８－２５μｍ的积分镜反射率Ｒｍ＝０．１５，积分漫反射率ＲＤ＝０．１６；对Ｋ９玻璃基体，Ｔ＝３７３Ｋ，λ≥８μｍ的εｎ＝０．１５，Ｔ＝４１３Ｋ，λ＝８－２５μｍ的Ｒｍ＝０．２１，ＲＤ＝０．１４，对于以Ｋ９玻璃为基体的同种表面     

金属-介质多层膜的光学特性

分析了层结构对含极薄金属膜的金属－介质多层膜光学特性的影响，以及金属膜的光学常数及复合膜的光学特性与膜厚的关系．当金属膜为岛状膜时，多层膜的红外反射特性与岛状膜的几何参数有关，计算所得反射率与实验结果一致     

热红外低比辐射率高漫反射比表面的分形表征

采用 DFBIR模型分析了热红外低比辐射率高漫反射比粗糙表面的宏观分维特性 ,利用 SEM表面形貌图和图像处理系统 S60 0计算了宏观分维数 .为了描述本粗糙表面的微观分形特征 ,采用 W-M函数作为其数学模型 ,设计了随机分形算法 ,对粗糙表面 STM微观形貌进行了分形分析并计算了微观分维数 .研究结果表明 ,热红外低比辐射率高漫反射比粗糙表面不仅是分形表面 ,而且是多尺度分形表面 ,分维数 D与比辐射率ε及漫反射比 DR 均成正相关关系 ,红外特性相同但基体不同的粗糙表面有不同的分维数     

铋钼单晶的制备和输运性质的研究

以高纯度的Ｂｉ２Ｏ３和ＭｏＯ３为原料,采用电化学方法制备了高质量紫红色Ｂｉ－Ｍｏ－Ｏ单晶,并研究了其输运性质．发现Ｂｉ－Ｍｏ－Ｏ单晶为半导体材料,其电阻随温度的变化可用公式Ｒ＝Ｒ０ｅｘｐ［Ｅａ／（２ｋＢＴ）］来描述;Ｉ－Ｖ特性的测量表明,Ｂｉ－Ｍｏ－Ｏ单晶中存在着一个阈值场,当外场低于阈值场时,材料呈现欧姆特性,高于阈值场时,单晶呈现出很强的非线性特征．     

热红外低比辐射率高漫反射比表面的分形表征

采用ＤＦＢＩＲ模型分析了热红外低比辐射率高漫反射比粗糙表面的宏观分维特性，利用ＳＥＭ表面形貌图和图像处理系统Ｓ６００计算了宏观分维数，为了描述本粗糙表面的微观分形特征，采用Ｗ－Ｍ函数作为其数学模型，了随机分形算法，对粗糙表面ＳＴＭ微观微形貌进行了分形并进行微观分维数，研究结果表明，热红外低比辐射率高漫反射比粗糙表面不仅菜表面，而且是多尺度分形表面，分维数Ｄ与比辐射率及漫反射比ＤＲ均成正相关关系，红