铋钼单晶的制备和输运性质的研究

以高纯度的Ｂｉ２Ｏ３和ＭｏＯ２为原料，采用电化学方法制备了高质量紫红色Ｂｉ－Ｍｏ－Ｏ单晶，并研究了其输运性质，发现Ｂｉ－Ｍｏ－Ｏ单晶为半导体材料，其电阻随温度的变化可用公式Ｒ＝Ｒ０ｅｘｐ（Ｅｎ／（２ｋＢＴ）来描述；Ｉ－Ｖ特性的测量表明，Ｂｉ－Ｍｏ－Ｏ单晶中存在一个阈值场，当外扬低于阈值场时，材料呈现欧姆特性，高于阈值场时，单晶呈现出限很强的非线性特征。     

丙烯氨氧化催化剂物化性能研究：Ⅱ.催化剂失活前后的结构表征

采用ＸＲＤ，ＩＲ，Ｍｏｂａｕｅｒ ＥＳＲ，ＸＰＳ，ＳＥＭ和孔结构分析等分析测试手段，对比研究了新鲜，失活和再生三种丙烯氨氧化催化剂的体相结构和表面性质。结果表明，新鲜催化剂中各元素以Ｆｅ２（ＭｏＯ４），α－ＣｏＭｏＯ４，ＮｉＭｏＯ４，γ－Ｂｉ２Ｏ３．ＭｏＯ３，α－Ｂｉ２Ｏ３．３ＭｏＯ３，η－ＭｏＯ３，α－Ｂｉ２Ｏ３和β－Ｂｉ２Ｏ３形式存在２；失活催化剂中，部分Ｆｅ２（ＭｏＯ４）３转变为α－Ｆｅ－Ｍ     

复合扩散SrTiO3基半导体陶瓷的压敏特性

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２ｏ３，Ｎａ２Ｏ３－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构，压敏和介电特性的影响，在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型。     

1000℃MgO—B2O3—SiO2三元相关系研究

ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系１０００℃时，３５％≤ＭｇＯ％〈６０％组成范围内平衡相均为固相，其相关系可由Ｍｇ３Ｂ２Ｏ６－Ｍｇ２ＳｉＯ４－Ｍｇ２Ｂ２Ｏ５，Ｍｇ２Ｂ２Ｏ５－Ｍｇ２ＳｉＯ４－ＭｇＳｉＯ３，Ｍｇ２Ｂ２Ｏ５－ＭｇＳｉＯ３－ＳｉＯ２三个结线三角形表示。各平衡相量之间关系可应用ＸＲＤ定量相分析或重心规则计算。     

Bi(OR)_3作前驱体合成Bi_2O_3微粉(R:CH_2CH_2OCH_3,CMe_2Et)

报道了醇盐化合物Ｂｉ（ＯＲ）３（Ｒ∶ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３，ＣＭｅ２Ｅｔ）作前驱体，Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法合成Ｂｉ２Ｏ３多晶粉末的过程，探讨了Ｂｉ（ＯＲ）３性质及合成条件对产物物相的影响，并考察了Ｂｉ２Ｏ３微粉的颗粒性质．结果表明，Ｂｉ（ＯＲ）３的水解、聚合速度越快或在富氧气氛下煅烧干凝胶利于β－Ｂｉ２Ｏ３的生成，而乏氧气氛煅烧干凝胶或较小的升温速度则利于α－Ｂｉ２Ｏ３的生成，最后得到的Ｂｉ２Ｏ３微粉颗粒近似为球形，粒度范围为６０～１２０ｎｍ．     

复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ。－Ｂ２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响．在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型．     

MgTiO3对SrTiO3—Bi2O3·nTiO2系统的微观结构和介电性能的影响

研究了加入ＭｇＴｉＯ３的ＳｒＴｉＯ３－Ｂｉ２Ｏ３ｎＴｉＯ２系统的结构和性能的变化规律．研究表明，随ＭｇＴｉＯ３量增加，材料的相组成、晶格常数和性能均发生变化．加入的Ｍｇ２＋和Ｂｉ３＋在ＳｒＴｉＯ３晶格中发生电价补偿置换，使Ｂｉ３＋的固溶极限显著提高，产生强烈的移峰作用和展宽作用，大大改善了材料的温度特性     

BaO—PbO—Bi_2O_3－Nd_2O_3－TiO_2系陶瓷的物相和电性能

研究ＢａＯ－ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２五元系统在８００～１２００℃烧结中物相变化和电性能．ＸＲＤ测试数据：１０００℃时ＢａＴｉＯ３消失，主晶相为ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７，ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４开始出现，１１００℃到１１５０℃，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２在ＸＲＤ图上消失，ＢａＴｉ４Ｏ９和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７含量逐渐减少，ＢａＮｄ２ＴｉＯ１４逐渐增加；１２００℃时，ＸＲＤ图谱全部为ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４，证明该系统的主晶相ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４是由Ｎｄ２Ｏ３、ＴｉＯ２对具有微波特性的ＢａＴｉ４Ｏ９改性而得：铅含量增加，主晶相的ａ、ｂ二晶轴缩短．调整各组分及玻璃的含量，获得ε＝９０±５、损耗ｔｇδ≤３×１０－４、绝缘电阻ρｖ≥１０１２Ωｃｍ、电容量温度系数αｃ＝０±１５×１０－６／℃、中温（１１５０℃）烧结的ＮＰＯＭＬＣ瓷料．     

Mo-Si 系机械合金化过程中的相结构变化

用ＴＥＭ和ＸＲＤ技术研究了Ｍｏ－１５．１６％Ｓｉ,Ｍｏ－３０％Ｓｉ和Ｍｏ－３６．３％Ｓｉ（质量分数）粉机械合金化过程中的相结构变化．在机械合金化（ＭＡ）过程的初始阶段,３种混合物的ＸＲＤ图中Ｓｉ峰首先消失,经长时间的球磨后,都可以转变为非晶,但不同成分混合粉的中间产物不同．Ｍｏ－３０％Ｓｉ和Ｍｏ－３６．３％Ｓｉ是通过Ｍｏ与Ｓｉ之间的互扩散反应形成ＭｏＳｉ２和Ｍｏ５Ｓｉ３金属间化合物,Ｍｏ－１５．１６％Ｓｉ则是形成了过饱和固溶体而没有形成金属间化合物．     

Bi（OR）3作前驱体合成Bi2O3微粉（R：CH2CH2OCH3.CMe2Et）

报道了醇盐化合物Ｂｉ（ＯＲ）３（Ｒ：ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３，ＣＭｅ２Ｅｔ）作前驱体，ＳｏｌＧｅｌ法合成Ｂｉ２Ｏ３多晶粉末的过程，探讨了Ｂｉ（ＯＲ）３性质及合成条件对产物物相的影响，并考察了Ｂｉ２Ｏ３微粉的颗粒性质，结果表明，Ｂｉ（ＯＲ）３的水解，聚合速度越快或在富氧气氛下煅烧干凝胶利于β－Ｂｉ２Ｏ３的生成，而乏氧气氛煅烧干凝胶或较小的升温温度则利于α－Ｂｉ２Ｏ３的生成，最后得到的Ｂｉ２Ｏ３微粉颗粒近     

特征2李代数G_2变形的导子代数

作者利用特征 2代数闭域上G2 的变形V3G ,V6 G和V7G的阶化给出它们的导子代数和极小p-包络 ,分别给出了它们的一个最小生成元集。     

基底偏压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

利用射频磁控溅射方法, 在n型（100）Si（0.008～0.02 Ω·m）基底上沉积了氮化 硼（BN）薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构均为六角BN（h-BN）相. 在超高真空系统中 测量了BN薄膜的场发射特性, 发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大, 阈值电场随基 底偏压的增加先增加后减小. 基底偏压为-140 V时BN薄膜样品场发射特性要好于其他样品, 阈值电场低于8 V/μm. F~N曲线表明, 在外加电场的作用下, 电子隧穿BN薄膜表面势垒发射 到真空.     

SnO2纳米半导体颗粒的微区电子输运特性

将sol-gel方法制备的SnO2纳米颗粒涂覆在ITO(Indium-Tin-Oxide)导电玻璃上,用原子力显微镜的I-V测试功能测试其微区电特性.结果表明,不同粒度的伏-安特性曲线具有不同的双向阈值电压,随颗粒度的减小,开启电压减小.用表面能带理论分析结果表明,此现象与纳米SnO2颗粒度尺寸效应和氧空位有关.     

最小二乘拟合计算有机薄膜晶体管阈值电压的研究

通过制备了一个基于并五笨为有源层的顶栅底接触OTFT器件获取电流电压实验数据,并运用电流电压特性曲线理论拟合计算方法计算其阈值电压.研究发现,采用不同的拟合方法得到的阈值电压值有较大的差异.若选取转移特性曲线线性区距中心1/2范围内测试点进行最小二乘拟合计算出的阈值电压能减少采用其他拟合方法的固有不准确性,而且与其他方法得到阈值电压最接近.     

高温超导衬底台阶结研究

本文报导用Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８外延超导薄膜在ＬａＡｌＯ３衬底上研制的台阶结及其特性，在液氮温度下，当台阶结受到９．２０ＧＨｚ的微波辐照时，从Ｉ－Ｖ曲线上可以观察到第九级夏皮诺微波感应台阶。在液氮温度下，台阶结的临界电流随外磁场的变化较好地附合夫琅和费衍射关系。     

太阳电池I－V数据采集系统

本文利用ＩＥＥＥ－４８８接口板，Ｋｅｉｔｈｌｅｙ６１７静电计，ＩＢＭ－ＰＣ微机，编程实现了太阳电池Ｉ－Ｖ数据的自动采集、存储．以ａ－Ｓｉ：ＨＰｉｎ型太阳电池为样品，计算出相应的电池参量，验证了该系统的可行性和准确性．     

太阳电池I－V数据采集系统

本文利用ＩＥＥＥ－４８８接口板，Ｋｅｉｔｈｌｅｙ６１７静电计，ＩＢＭ－ＰＣ微机，编程实现了太阳电池Ｉ－Ｖ数据的自动采集、存储．以ａ－Ｓｉ：ＨＰｉｎ型太阳电池为样品，计算出相应的电池参量，验证了该系统的可行性和准确性．     

在特征数0的代数闭域上半单纯代数群的上同调群

设G是特征数O的代数闭域k上的半单纯代数群。本文将计算系数在不可约有理G-模中G的上同调群的问题归结为计算幂零李代数的上同调群的问题。我们得到了关于H~*(G,V)的一些性质和它的维数估计式,其中V是不可约有理G-模。结果表明特征数0和特征数p>0的情况是不相同的。     

Colossal magnetoresistive p-n junctions of perovskite oxide La0.9Sr0.1MnO3／SrNb0.01Ti0.99O3

We have successfully fabricated the colossal magnetoresistive (CMR) p-n junctions of perovskite oxide La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3 (LSMO/SNTO) with laser molecular beam epitaxy. The I-V characteristics of the LSMO/SNTO p-n junctions as a function of applied magnetic field (0—5 T) were studied between 100 and 300 K. We found that the p-n junction exhibited the CMR behavior. The CMR ratio △R/R0 (△R = RH - R0) is positive in magnetic fields below 0.13 T and at high temperature, while it displays a negative CMR near 100 K and in magnetic fields over 0.13 T. The CMR ratio values are 8% at 0.1 T and 13% at 5 T and 300 K, 40% at 0.1 T and 150 K, 10% at 0.13 T and -60% at 5 T and 100 K. The CMR behavior of the p-n junction is different from those of the LaMnO3 compound family.     

二维复(实)李三系的分类

通过建立李三系的运算与对称双线性函数的关系,证明了二维复李三系可分为三类,二维实李三系可分为六类,最后分别写出了它们的导子形式.