铋钼单晶的制备和输运性质的研究

以高纯度的Ｂｉ２Ｏ３和ＭｏＯ２为原料，采用电化学方法制备了高质量紫红色Ｂｉ－Ｍｏ－Ｏ单晶，并研究了其输运性质，发现Ｂｉ－Ｍｏ－Ｏ单晶为半导体材料，其电阻随温度的变化可用公式Ｒ＝Ｒ０ｅｘｐ（Ｅｎ／（２ｋＢＴ）来描述；Ｉ－Ｖ特性的测量表明，Ｂｉ－Ｍｏ－Ｏ单晶中存在一个阈值场，当外扬低于阈值场时，材料呈现欧姆特性，高于阈值场时，单晶呈现出限很强的非线性特征。