CoFeB/Pt反常霍尔效应标度关系的研究

本文研究了磁控溅射法制备的CoFeB/Pt薄膜的反常霍尔效应.通过测量不同温度下（5-300K）的反常霍尔效应,系统研究了反常霍尔效应的标度关系,发现反常霍尔系数RS与纵向电阻率ρxx之间的关系满足RS=aρxx＋bρ2xx,当CoFeB较薄时,Skew-Scattering机制对反常霍尔效应的贡献占主导地位,随者CoFeB厚度的增加,反常霍尔效应的物理机制过渡为SideJump机制.     

嵌入式系统中USB Host功能的开发

采用自下向上的设计流程，在没有嵌入式操作系统支持的条件下，自主设计和实现了嵌入式USB Host功能．以ISP1362驱动USB海量存储类设备为例，描述了嵌入式USB Host系统的框架结构和底层驱动的设计方法．实验结果表明，遵从海量存储类子协议的USB设备，都能够被系统驱动，而且数据传输速度优于PC机驱动方式．     

我市科技企业孵化器发展分析及若干建议

近些年来,天津市政府和天津市科委高度重视科技企业孵化器发展工作。对我市科技企业孵化器的整体发展状况作了介绍,提出了存在的主要问题及产生的原因,指出了7点对策建议,旨在使我市科技企业孵化器在"十二五"期间为发展科技型中小企业发挥更大的作用。     

磁光静态记录温度场的分布及计算

讨论了磁光静态记录过程中单层膜与多层膜在激光照射微区内温度场的分布，导出多层膜在激光照射下温度变化的解析表达式，由此模拟出局域瞬态温度场，在理论上确定了ＴｂＦｅＣｏ记录材料的成畴大小和形状，这对磁光薄膜宽温化、表面温度特性和磁光记录畴表面形貌分析等具有实际意义     

天使投资型科技企业孵化器

阐述了孵化服务创新的现状与趋势,分析了服务运营中存在的主要问题,指出寻求和建立新的孵化服务模式,尽快实现"转型"是大势所趋,提出发挥资源优势,建设天使投资型科技企业孵化器的战略构想。     

科学发展观与最高衡量标准

科学发展观是我党对社会主义市场经济条件下经济社会发展规律在认识上的重要升华。科学发展观继承了社会主义生产目的的理论,提出了以人为本的新的发展理念。把握科学发展观,就要坚持是否有利于发展社会主义社会的生产力,是否有利于增强社会主义国家的综合国力,是否有利于提高人民生活水平的标准,更要以是否符合最广大人民群众的利益为最高衡量标准。     

科学发展观与最高衡量标准

科学发展观是我党对社会主义市场经济条件下经济社会发展规律在认识上的重要升华。科学发展观继承了社会主义生产目的的理论，提出了以人为本的新的发展理念。把握科学发展观，就要坚持是否有利于发展社会主义社会的生产力，是否有利于增强社会主义国家的综合国力，是否有利于提高人民生活水平的标准，更要以是否符合最广大人民群众的利益为最高衡量标准。     

[FePt/Ag]n多层颗粒膜的磁学性能及微观结构

采用磁控溅射方法制备了一系列[FePt/Ag]n多层颗粒膜,经过退火处理,用原子力磁力显微镜和振动样品磁强计研究了其微观结构及磁学性能.研究结果表明:在FePt薄膜中加入适当含量的Ag有利于FePt在较低退火温度下发生有序化相变,但在FePt有序化相变完成之后,颗粒膜中的Ag原子的扩散阻碍薄膜矫顽力的进一步提高;[FePt/Ag]n颗粒膜的晶粒及其岛状磁畴的大小随着退火温度的升高而增大;溅射成膜过程中适当的基片加温有利于降低[FePt/Ag]n颗粒膜的后续退火处理温度.     

磁控靶溅射刻蚀的模拟研究

建立了磁控溅射单粒子模型，结合靶表面磁场的分布，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法研究了溅射气体粒子的运动规律，得到靶表面刻蚀的图形，发现靶中间圆环的刻蚀最强，这与实验结果和磁场的水平分量分布一致．     

Cu底层对SmCo薄膜磁性能的影响

通过多靶射频磁控溅射系统在玻璃基片上制备了SmCo/Cu磁性薄膜.采用控制变量法优化了磁性层溅射工艺参数,制备出了矫顽力高达2400 Oe的溅射态SmCo面内磁化膜;通过控制溅射Cu底层时的基片温度,薄膜磁化方向有从面内向垂直方向转变的趋势,并制备出矫顽力达到6215 Oe的垂直面内方向的SmCo/Cu薄膜;利用扫描隧道显微镜(STM)分析SmCo薄膜在不同温度下的表面形貌发现,150℃时薄膜的晶粒尺寸较小有利于改善薄膜磁性能.