a-Si∶H/a-Ge∶H超晶格的电学特性研究

测量了反应溅射 a-Si∶H/a-Ge∶H 超晶格的平行电导和垂直电导,研究了超晶格的结构和输运机理;实验观察到了强场下垂直电导的指数增强效应,得到阱层 a-Ge∶H 的深隙态密度N_g=1.9×10~(18)cm~(-3)·ev~(-1).对实验结果作了初步讨论.     

溅射法制备a-Si:H/a—SiY:H超晶格的量子尺寸效应

本文报导用射频溅射法制备出一种新型非晶态半导体超晶格薄膜α—Si:H╱α—SiY:H,并验证了其量子尺寸效应。     

用溅射法和辉光放电法制出a-Si:H/a-C:H和a-Si:H/a-SiC:H膜超晶格结构

非晶态半导体“超晶格”是近两年多来研制成功的,为寻求新的半导体材料和器件结构闯出了一个新的领域,因而受到了广泛重视,我们已制出了多种非晶态超晶格膜,对这些材料来说,在国内还是首次。     

a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。     

a-Si:H/a-Si_(1-X)C_X:H 超晶格的光学性质

本文报导了未掺杂的 a—Si∶H/a-si_(1-x)C_x∶H 超晶格的 PPC 效应及光学带隙的兰移现象.通过红外测(?)发现:(Si—C)键的吸收强度随超晶格界面数的增加而增大.     

a—Si：H/a—SiN_x：H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究 a-Si:H/a-SiN_x:H 超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大.     

射频反应溅射a—Ge_(1-x)C_x∶H薄膜的红外谱分析

a-Ge_(1-x)C_x∶H 膜也是一类很重要的非晶半导体薄膜光电材料,其带隙宽度(Eopt)是可以调制的(从0.85eV 到2.5eV 以上),因而有着十分重要的应用前景。对于一个高效率叠层太阳电池来说,其关键之一是要获得一种具有高光敏性且 Eopt 小于1.5eV 的窄带隙底部电池材料。目前人们是把 Ge 或 Sn 掺入 a-si∶H 中,获得了窄带隙材料 a Si_(1-x)     

非晶半导体超晶格薄膜的制备及其性质

本文报导了a—Si:H/a—Si_(1-())N_x:H非晶半导体超晶格薄膜的制备方法及其量子尺寸效应。     

掺硼非晶态硅氟合金的电导特性

一、引言1975年Spear等人对用辉光放电技术制备的非晶态硅氢合金(a—Si:H)材料实现了掺杂效应。这不仅是对非晶态硅技术的一次重要突破,同时也为非晶态半导体理论的进一步发展提供了富有价值的实验依据。关于a—Si:H材科的研究是近几年来在非晶态半导体方面的一个重要内容,围绕着氢对a—Si:H材料物理性质的影响、氢在其中的结构状态和电子状态等方面已经完成了和正在进行着大量的研究工作。     

理想的非晶态硅和锗的结构模型

非晶态结构与相应的晶态结构之间存在着一定的联系。据此,本文提出了一个关于理想的非晶态半导体中原子排布的物理模型。利用它成功地将金刚石晶格“改造”成了非晶态硅和锗的连续无规网格,所得结构模型的主要参数(密度、径向分布函数等)均与实验结果符合得较好。     

a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H pin型发光器件的研制

晶态 Ga·P·As 化合物发光二极管已广泛用于电子工业,但成本较高,最近我们已用廉价的非晶态材料研制出一种新的 P~+μc-Si∶H/pn~-in/a-Si_(1-x)C_x∶H/n~+μc-Si∶H 多层结构电注入发光器件,在室温下用肉眼直接观察到了蓝白色的电注入发光(EL),     

GD-a-SiC∶H场效应管特性的研究

本文对 GD—a—SiC∶H SiO_2绝缘栅场效应管进行了研制,并对 GD—a—Si(0.8)C_(0.2)∶HMOSFET 特性进行了测量研究.     

绝缘衬底上a-Si∶H膜CW Ar~ 激光结晶

本文用连续氩离子激光对辉光放电法淀积在二氧化硅层上的氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜进行辐照扫描,使a-Si∶H膜结晶。利用金相显微术和透射电子显微术对結晶薄膜的形貌和結构进行了研究,并用等离子刻蚀技术确定结晶度。激光加工时衬底溫度为240℃,扫描速度为2cm/s,束斑直径大约40μm,交叠50％。经功率为4W激光辐照后,样品表面平整光亮,部分区域巴结晶成多晶,相邻的二次扫描的相间区由于溫度低于结晶溫度,仍为非晶态且易被腐蚀掉。激光功率增至6W和7W时,部分区域受损伤成为非晶、微晶和多晶混合体,而相间区已结晶成多晶。适当选择衬底溫度、激光功率和扫描适度可望获得良好的結晶,它对SOI器件的制作是有意义的。     

中频磁控溅射制备a-C∶H薄膜中沉积功率的影响

采用中频反应磁控溅射方法,在不同溅射沉积功率下,在单晶Si基片上沉积了a-C∶H薄膜.研究了不同沉积功率对a-C∶H薄膜的形貌、硬度、弹性的影响,并用Raman和FITR分析了引起a-C∶H薄膜形貌和力学性能变化的原因.结果表明,沉积功率对薄膜的形貌、硬度和弹性都有很大的影响,在功率为140 W时沉积的a-C∶H薄膜表面致密,具有最大的硬度和弹性模量.     

直流和太拉赫兹交流驱动的半导体超晶格中的相干现象

综述了近年来对直流和太拉赫兹（THz)交流驱动的半导体超晶格中相干过程的研究,在Floquet态激子能谱结构的基础上,着重介绍了THz驱动,直流偏置下半导体超晶格中光学超快过程（包括线性吸收和非线性波混频等）的一些动力学效应,如激子Wannier-Stark 阶梯的嬖裂与摆动,动力学Fano共振,局域化与去局域化等,也讨论了用差频THz频段的双色准连续近红外激光作为THz激光源研究超晶格的可能性。     

非晶态半导体

引言非晶态半导体种类很多,目前研究最多而且最有实用价值的非晶态半导体材料有两大类:一类是硫属玻璃,如As_2Se_3、ADS_2S_3、AS_2Tl_3等。另一类是由四面体键合的非晶态半导体材料,如非晶硅、锗等。早在五十年代人们就开始了对非晶态材料和电子态的研究。1955年苏联的科兹洛夫等人     

衬底温度对射频溅射a-Ge∶H薄膜光电性能的影响

本工作用射频溅射法制备出非晶和微晶锗氢膜(a-Ge∶H 和μc-Ge∶H).研究了衬底温度对薄膜光学、电学及结构性能的影响.结果表明:衬底温度 T_(?)<290℃,沉积出a-Ge∶H 膜;Y_(?)≥290℃沉积出μc-Ge∶H 膜.其结构、光电性能均当 T_(?)≥290℃时有明显的变化.     

GD-a-Si_(1—X)C_X∶H 薄膜的光吸收和光电导

辉光放电法制备的氢化非晶硅(a—Si∶H)薄膜是获得廉价太阳电池的重要材料之一.然而,掺硼之后光学带隙变窄,影响了太阳电池的短波性能.1977年 Anderson 和Spear 首先获得了宽带隙的氢化非晶硅碳合金薄膜(a—Si_(1-x)C_x∶H).最近 Tawada 等用这种材料作宽带隙窗口材料首先获得了 P-a-SiC∶H/i-n-a-Si∶H 异质结太阳电池,使其转换效率达7%以上.已经看出,a-Si_(1-x)C_x∶H 是一类很有实际应用价值     

氢对a-Si∶H结构影响的理论分析

在 a—Si∶H 薄膜中,H 严重地影响了 a—Si∶H 薄膜的光电性能.我们用自洽场分子轨道理论和 CNDO/2近似方法.计算了[Si_8H_(18)]和[Si_8]原子团结构模型,得到了如下结论,亦即随着[Si_8H_(18)]和[Si_8]结构中取代 H 数目的增加,这些原子团趋于稳定,原子团的禁带宽度 Eg 也随之增大;原子团减小,Si—H 键使 Si—Si 键的作用加强.由此我们得出了随着取代氢数目的增加,整个体系的无序性增强的结论.     

大肠杆菌O157∶H7胶体金免疫层析快速检测法的建立

建立一种大肠杆菌O157∶H7的胶体金免疫层析快速筛查方法.利用胶体金免疫层析技术,采用双抗体夹心法检测大肠杆菌O157∶H7,对该法进行敏感性、特异性和食品样品的适用性分析.该法能在10 min内完成检测;该试纸条仅与O157∶H7阳性样品发生特异性反应;大肠杆菌O157∶H7的最低检出浓度为1×105 cfu/mL.新建立的大肠杆菌O157∶H7胶体金免疫层析试验简便、快速,特异性和灵敏度较好,适用于现场样品的快速筛查.