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我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。 相似文献
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我们应用光声技术,研究 a-Si:H/a-SiN_x:H 超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大. 相似文献
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对非晶态半导体的研究,近些年来在国内外受到了相当大的重视。大量的实验事实指出,非晶薄膜结构以及它们的基本性能与生长方法和工艺条件是密切相关的。实验曾指出,不论α-Si:H合金膜还是α-Si:F:H合金膜, 相似文献
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本文报导了a—Si:H/a—Si_(1-())N_x:H非晶半导体超晶格薄膜的制备方法及其量子尺寸效应。 相似文献
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