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| 中频磁控溅射制备a-C∶H薄膜中沉积功率的影响 | |
| 引用本文： | 姜辉,邹宇.中频磁控溅射制备a-C∶H薄膜中沉积功率的影响[J].太原师范学院学报(自然科学版),2009(1). |
| 作者姓名： | 姜辉 邹宇 |
| 作者单位： | [1]江苏盐城师范学院物理科学与电子技术学院,江苏盐城224002 [2]四川大学原子核科学技术研究所,四川成都610064 |
| 摘 要： | 采用中频反应磁控溅射方法,在不同溅射沉积功率下,在单晶Si基片上沉积了a-C∶H薄膜.研究了不同沉积功率对a-C∶H薄膜的形貌、硬度、弹性的影响,并用Raman和FITR分析了引起a-C∶H薄膜形貌和力学性能变化的原因.结果表明,沉积功率对薄膜的形貌、硬度和弹性都有很大的影响,在功率为140 W时沉积的a-C∶H薄膜表面致密,具有最大的硬度和弹性模量. |
| 关 键 词： | 中频反应磁控溅射 类金刚石薄膜 硬度 弹性模量 |
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