一种用于锁相环的正反馈互补型电荷泵电路

给出了一种新型的互补型电荷泵电路．采用正反馈技术,电路由CSMC1．2μm CMOS工艺实现,可工作在2V的低电压下．Spectre仿真结果显示,电荷泵的工作频率为100MHz时,功耗为0．08mW,输出信号的电压范围宽(0～2V),电路速度快,波形平滑,抖动小,在不增加电路功耗的前提下消除了传统电荷泵电路的电压跳变现象．该电荷泵电路可以很好地应用于低电源电压、高频锁相环电路．     

高性能电荷泵的锁相环电路

为满足锁相环电路高稳定性、低功耗的要求,提高其整体性能,通过对普通型电荷泵锁相环电路模块的改进,设计了一种高性能差分型电荷泵锁相环。该电路包括鉴频鉴相器、分频器、差分电荷泵和压控振荡器的电路结构。仿真结果表明：该差分型电荷泵锁相环的锁定时间为10μs、频率抖动为0.0002MHz、周期抖动为2 ps,与普通型电荷泵锁相环相比,可达到快锁低抖的目的。     

恒定、匹配的大电流输出电荷泵电路

用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一种应用于5 GHz锁相环型频率合成器中的电荷泵电路.该电路运用单位增益运放电路和自偏置共源共栅电流源电路实现了充放电流的高度匹配.充分利用单位增益运放电路减小电荷泵输出端的电荷共享现象,使电荷泵电路结构较简单并减小了功耗.Spectre后仿真表明,在电源1.8 V、输出电压0.5-1.3 V,充放电流失配率小于0.8%,电流绝对值偏移率小于0.6%,最大功耗8.53 mW.     

高效率宽输入范围电荷泵2倍压电路的设计

提出一种无阈值损耗的电荷泵倍压电路(2倍压电路),该电路采用衬底可变单元代替二极管连接的MOS管,消除了MOS器件的体效应及阈值损耗的影响,与传统电荷泵相比效率提高了20%,获得低至1.0V的宽输入范围.基于该结构采用TSMC 0.25μm BCD工艺设计了一款2.0AUSB功率开关芯片,使用spec-tre对整体电路进行了仿真验证,结果表明:该电荷泵电路的工作状态良好,同比输出电压提高了1.0V,效率最高可达90%,基于该工艺实现的电荷泵电路的版图面积仅为0.04mm2.     

具有预启动、防闩锁功能的1.33倍新型电荷泵设计

设计了一种基于外接泵电容的1.33倍新型电荷泵电路.电路采用了预启动和衬底电位选择结构,并利用三相时钟信号方式控制电荷泵的工作状态.采用0.5μmCMOS工艺模型利用Cadence的Specter工具进行了仿真.结果表明：所设计的电路提高了芯片的启动速度,有效防止了闩锁现象的产生;在典型的3.3 V输入电压下,电荷泵效率为93.25%.与传统电荷泵相比优势在于输出电压低,有效地降低了无用功耗.1.33倍电荷泵必将具有广泛地应用前景.     

一个1.2 V用于超宽带收发器的低抖动锁相环

设计了一款应用于超宽带无线收发器中的低抖动、低功耗、多相位输出、输出频率为528MHz和132 MHz的锁相环,包括了高频特性好的鉴频鉴相器、低电压抗抖动的电荷泵、经典的低电压对称负载差分延迟单元以及duty-buffer的双转单电路等.设计采用SMIC 0.13μm CMOS工艺,电源电压1.2 V.对电路进行了电路级仿真和系统级稳定性分析,并完成了版图设计和后仿.根据后仿结果,在TT@75℃、振荡频率为528 MHz情况下,周期抖动的p2p值为1 ps,功耗仅为4 mW.     

面向FLASH存储器应用的电压自举电荷泵电路设计

基于SMIC 0.18μm 1P6M工艺,设计出一款面向FLASH存储器应用需求的开环电荷泵升压电路。该电路主要由振荡电路、分频电路、非交叠时序电路、电荷泵和高压选择电路组成。为实现电荷泵电压的自举,本设计采用高电压选择电路和开环无反馈结构电荷泵,通过调整电容比值,满足不同的输出升压需求。仿真结果表明,在电源电压为1.8 V、内部开关时钟频率为50 kHz、带载为5 mA的条件下,电荷泵的输出电压为3.3 V,纹波仅为10 mV,升压效率高达96%。与其他电荷泵相比,本设计提高了输出效率,可满足不同输出升压的需求。     

一种新型正负倍压双输出电荷泵电路的设计

采用电荷泵电路实现电压倍增的原理,设计出一种新型正负倍压双输出电荷泵电路,该电路可以将＋5 V电源输入转换为广泛应用于接口电路中的±10 V电源电压,尤其适用于无法使用到±10 V电源的场合.该设计采用6μm铝栅工艺库对该电路进行了仿真,其仿真结果与理想值基本一致.     

2.5Gbit/s 0.35μm CMOS激光驱动器

设计了一种具有自动功率控制功能的激光驱动器电路.为了获得良好的性能,该驱动器采用级联差分放大器和源极跟随器分别进行信号放大和级间阻抗匹配.该电路的实现采用了0.35 μm标准CMOS工艺.对该电路进行了测试,测试结果表明,在2.5和5 Gbit/s速率下,电路输出信号眼图清晰.在5 V电源电压、2.5 Gbit/s数据速率下,该驱动器可提供0～68 mA范围内的调制电流,满足长距离光纤通信系统的要求.电路典型功耗480 mW,芯片面积为0.57 mm2.     

CMOS电荷泵的结构设计与分析

定量分析了CMOS电荷泵电路存在的漏电流和充放电流失配等不利因素.介绍了单端电荷泵和差分电荷泵的多种结构,包括传统三态型、电流舵型、差分输入单端输出型和全差分型,对其性能和应用进行了分析和比较.     

一种高速低相位噪声锁相环的设计

设计了一种1．8V、SMIC0．18μm工艺的低噪声高速锁相环电路．通过采用环行压控振荡器,节省了芯片面积和成本．通过采用差分对输入形式的延时单元,很好地抑制了电源噪声．与传统的简单差分对反相器延时单元相比,该结构通过采用钳位管和正反馈管,实现了输出节点电位的快速转变,整个电路芯片测试结果表明：在输入参考频率为20MHz、电荷泵电流为40μA、带宽为100kHz时,该锁相环可稳定输出频率为7971MHz—1．272GHz的时钟信号,且在中心频率500kHz频编处相位噪声可减小至-94．3dBc／Hz。     

嵌入式闪存适用的新型低压高效率电荷泵电路

随着片上系统(SoC)电源电压的降低,嵌入式快闪存储器内部电荷泵电路的电压增益不断下降.为提高低电源电压下电荷泵电路的效率,提出了一个基于两路互补结构的高效率电荷泵电路,并设计了栅压提高电路与衬底调节电路,二者的共同作用可以有效地减少传输电压的损失,提高电荷泵电路的电压增益.模拟结果表明:当电源电压为1.5V时,相比于...     

一种低功耗大摆率Class-AB OTA电路设计

为提高低功耗条件下运放电路的工作速度,基于Class-AB复合型差分对、非线性电流镜传输、交叉耦合对管正反馈3种结构的有机组合,提出了一种高速运算跨导放大电路(OTA)的结构设计方案.该方案在低功耗条件下,电路具有优异的摆率倍增性能,同时电路小信号带宽与低频增益得到一定程度的改善.电路采用CSMC 0.5μm CMOS工艺进行设计并完成MPW流片.在5 V电源电压下测试得到的电路静态功耗仅为11.2μA,最大上升沿与下降沿摆率分别为10和2 V/μs,低频增益60 dB以上,单位增益带宽达到3 MHz.结果表明,新型Class-AB OTA电路比同类参考OTA电路具有更高的大信号瞬态响应品质因子.     

基于能耗平衡原理的引信模拟自毁电路

针对引信模拟自毁电路低压失效问题,提出了一种基于能耗平衡原理的分立式元件自毁电路改进方案.通过严格控制比较器输入端的电压值,实现发火电容在低电压充电情况下顺利储能;建立电路能耗数学模型,精确设计了自毁时间;采用蒙特卡洛方法,分析了元器件容差对电路特性的影响.仿真计算表明,该方案可将欠压发火阈值降低至4.5V,自毁时间相对误差不超过1%,电路可在5.5~15.0V电压范围内可靠作用.      

一个单端LO输入的新型混频器电路

设计了一个基于工作在线性区的MOSFET的新型宽带混频器.此混频器以标准CMOS工艺和简单的电路实现了现代无线通讯系统高线性度、低压和低功耗的要求,工作频带宽,且只需单端本振输入,解决了本振信号的单双端变换问题.由仿真结果可知:电路工作电压为1.2 V,功耗3.8 mW,增益为13.8 dB,P-1 dB为-4 dBm,噪声为12 dB.     

一种基于BiCMOS工艺误差放大电路的设计

针对消费电子产品PWM电流型DC-DC电源管理芯片的特点，设计了芯片中所必需的误差放大器，利用带隙基准电压源的原理，结合OTA放大器，提出一种新的误差放大器电路的设计，实现了芯片中误差放大器的功能，满足了芯片电压环路的要求。基于UMC0．6μm BCDBiCMOS工艺，Hspice软件仿真的结果表明所设计的误差放大电路具有结构简单、稳定性高、功耗低等特点，可工作在3．3V-5．5V的电压范围下，性能有很大改善，满足了芯片的需要，可以用于类似芯片中。     

Design of a CMOS Adaptive Charge Pump with Dynamic Current Matching

A novel structure for a charge pump circuit is proposed, in which the charge-pump （CP） current can adaptively regulated according to phase-locked loops （PLL） frequency synthesis demand. The current follow technology is used to make perfect current matching characteristics, and the two differential inverters are implanted to increase the speed of charge pump and decrease output spur due to theory of low voltage difference signal. Simulation results, with 1st silicon 0. 25μm 2. 5 V complementary metal-oxide-semiconductor （CMOS） mixed-signal process, show the good current matching characteristics regardless of the charge pump output voltages.     

高线性度大摆幅56 Gbit/s PAM4驱动电路设计

面向高速串行接口发送端应用,设计了具有二阶去加重均衡功能的高线性度大摆幅四电平脉冲幅度调制（4 pulse amplitude modulation,PAM4）电压模驱动电路。采用查表的方式对信道损耗进行灵活补偿;在输出端并联两个电阻解决传统电压模驱动电路设计中线性度较低的问题;采用反相器堆叠的推挽式结构实现了高输出摆幅;提出一种新型电平转移电路,解决了连续0或1数字码产生的直流电平漂移问题。仿真结果表明,驱动电路的电平失配率为97.9%,去加重均衡实现6.6 dB、13 dB和19.6 dB三种去加重级数,差分输出摆幅为2 V,功耗效率为2.3 mW/（Gbit/s）。     

一种可用于高性能锁相环的CMOS电荷泵

文章提出了一种可用于高性能锁相环的CMOS电荷泵,电路采用电流舵技术来缩短切换时间,通过降低差分对管栅电压的变化速率,显著地减小了毛刺,使输出电流波形更平滑、输出电压谐波分量更低,该电路同时还消除了死区现象;最后用CMOS电荷泵与一种典型电荷泵作仿真结果对比,突出了CMOS电路的优点。