硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能

硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料，在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景．主要论述了硅基一维纳米半导体材料(纳米硅线、纳米ZnO线)的制备，着重一维纳米材料的阵列化制备，讨论了其生长机理，研究了硅基一维纳米半导体材料的的光学、电学等物理性能．     

不同溶剂中制备单分散量子点

选用比较缓和反应条件,用无毒、价廉、稳定性好的无机化合物作为反应前驱体制备半导体量子点材料．通过选择不同的反应溶剂,可以得到粒径大小不同从而发光波长可“调谐”的一系列CdSe量子点材料．用紫外吸收光谱（UV—Vis）,荧光发射光谱（PL）跟踪了反应的过程,用X射线衍射（XRD）和透射电镜（TEM）对得到的量子点材料的结构进行了表征．对量子点材料在有机溶剂和水溶液中的转相进行了研究,为量子点与生物分子的连接,进而在生物标记方面的应用提供材料基础．该方法是对传统高温条件下有机金属化合物前驱体分解制备方法的补充,是一种环境友好的半导体量子点材料的制备方法．     

量子线的一维等效势模型的研究

量子线的一维等效热模型为研究量子线中少体问题提供了新的研究方法，本文对一维等效势模型进行了详细的数值计算和讨论。     

圆柱形半导体量子线中电子和空穴能态

半导体量子线具有特殊的量子效应,其内部电子的能态是它的一个基本物理量.用计算一维势阱波函数的方法简化了圆柱形量子线波函数的计算,得出了量子线中电子能态、能级图和波函数.做算例Si量子线的线宽———电子能级图,验证了计算所得结果,并讨论了量子线的光谱蓝移、能级分离与兼并和线宽的关系.     

溶胶-凝胶法制备纳米级半导体微晶非线性光学玻璃

纳米级半导体微晶掺入玻璃可产生非线性光学性质 ,其量子尺寸效应非常明显。用溶胶_凝胶法制备半导体纳米微晶玻璃具有工艺简单和所得产品纯度高、均匀性好的特点。本文对溶胶_凝胶法制备纳米级半导体微晶玻璃的方法及其性能测试的新进展进行综合评述。     

离子注入方法制备半导体一维量子线

使用质子Ｈ￣＋和聚焦Ｇａ￣＋离子束方法，在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料上制备半导体一维量子线。通过低温阴极射线发光谱和光致发光谱，测量了由于Ａｌ从ＡｌＧａＡｓ势垒向ＧａＡｓ量子阱内扩散导致的发光谱峰的兰移，并讨论上述两种离子注入方法各具有的特点及不同的结果。     

一维半导体纳米材料的制备及表征

本介绍了半导体纳米材料和常规的半导体材料的不同性能，对其常用的制备方法做了简要的描述和比较，同时给出了常规的表征方法。     

浅析新型纳米半导体包覆材料的制备及其光催化性能

文章首先以氧化锌为例介绍了新型半导体包裹材料的性能并分析了半导体光催化技术的催化机理、特点,然后阐述了氧化锌纳米半导体材料包覆材料的两种制备方法,最后通过实验分析的形式研究了氧化锌纳米半导体材料包覆材料的光催化性能。     

半导体量子点的制备、性质和应用

量子点,又称“人造原子”,它是纳米科技研究的重要组成部分。由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的独特性能,构成了量子器件和电路的基础,在未来的纳米电子学、光电子学,光子、量子计算和生命科学等方面有着重要的应用前景,受到人们广泛重视。文章介绍了半导体量子点结构的制备和性质以及量子点器件的可能应用。     

强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响

在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Ｒｙｄｂｅｒｇ能量Ｒ＾＊比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。     

硅基钠米材料发光特性的研究进展

近年，硅基低维材料物理与工艺的研究预示，硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向，而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格、量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。本文将主要介绍硅基纳米材料，如采用各种成膜技术在不同衬底表面上制备的高质量纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）膜，镶嵌在各种介质，如　－Ｓｉ：Ｈ、ＳｉＯ２或ＳｉＮｘ中的纳米晶硅，以及利用自组织生长的Ｇｅ、Ｓｉ以及ＧｅＳｉ纳米量子点的光致发光特性及其最近研究进展。     

石墨烯的制备研究进展

石墨烯是一种二维六边形结构的碳质新材料,因为其优异性能而成为近几年的研究热点.主要介绍了两种石墨烯的常用制备方法:微机械剥离法和化学方法,同时分析了各种方法的优缺点,并对未来的制备方法作了展望.     

半导体发光二极管的研究与分析

在简介半导体发光二极管的辐射复合基础上，。详细讨论了包括Ⅲ-Ⅳ，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料和多孔硅（PS）等新发光材料在内的各种发光材料的发光机理，发光二极管的结构与特性，并介绍了半导体发光二极管在近代科学中的应用。     

宽带隙半导体器件仿真中收敛性问题的分析

针对宽带隙半导体器件仿真中常见的不收敛性问题,通过分析数值求解算法与宽带隙半导体材料的固有特性知道,其原因是少子浓度过低,从而提出3种引入平衡或非平衡少子的解决方案。ISE仿真结果表明,采用文中提出的方案在解决收敛性同时能保证求解结果正确性,并且对刚开始进行宽带隙半导体器件仿真设计的本科生有很大帮助。     

III族氮化物半导体异质结构中载流子的量子输运和自旋性质

III族氮化物半导体具有宽的直接带隙,很强的极化电场,优异的物理特性,是发展高频、高温、高功率电子器件和光电子器件的优选材料．同时,III族氮化物半导体有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,也成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一．本文介绍了用量子输运和自旋光电流方法对Gain基异质结构中载流子的量子输运和自旋性质的研究进展．对III族氮化物半导体中的能带结构,子带占据和散射,自旋分裂及自旋轨道耦合机制等进行了讨论．     

Hexagonal nanoporous germanium through surfactant-driven self-assembly of Zintl clusters

Surfactant templating is a method that has successfully been used to produce nanoporous inorganic structures from a wide range of oxide-based material. Co-assembly of inorganic precursor molecules with amphiphilic organic molecules is followed first by inorganic condensation to produce rigid amorphous frameworks and then, by template removal, to produce mesoporous solids. A range of periodic surfactant/semiconductor and surfactant/metal composites have also been produced by similar methods, but for virtually all the non-oxide semiconducting phases, the surfactant unfortunately cannot be removed to generate porous materials. Here we show that it is possible to use surfactant-driven self-organization of soluble Zintl clusters to produce periodic, nanoporous versions of classic semiconductors such as amorphous Ge or Ge/Si alloys. Specifically, we use derivatives of the anionic Ge9(4-) cluster, a compound whose use in the synthesis of nanoscale materials is established. Moreover, because of the small size, high surface area, and flexible chemistry of these materials, we can tune optical properties in these nanoporous semiconductors through quantum confinement, by adsorption of surface species, or by altering the elemental composition of the inorganic framework. Because the semiconductor surface is exposed and accessible in these materials, they have the potential to interact with a range of species in ways that could eventually lead to new types of sensors or other novel nanostructured devices.     

化合物半导体纳米复合材料的制备和结构及光学特性研究

利用溶胶－凝胶工艺和原位生长技术制备了Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体纳米复合材料，得到了ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄｘＨｇ－ｘＴｅ（ｘ＝１＝０．７）纳米微晶与多孔ＳｉＯ２凝胶玻璃的复合材料。用ＸＲＤ研究了不同复合材料的结构特点，利用吸收光谱和透射光谱研究了复合材料的光学特性，发现纳米微晶的禁带宽度大于其相应体材料的禁带宽度，并且复合材料具有明显的非线笥光特性。用简并四波混频测试了样品的三阶非线性     

Preparation of Highly Luminescent Nanocomposite by Chelating Copolymer

1 Introduction Quantum-confined semiconductor nanocrystallite, which diameters are less than their bulk exciton diameter, have been the focus of much investigation recently~([1-4]).Because the difference in crystalline structure and size of semiconductor materials lead to considerable change in the effective masses of electrons and holes in their electronic bands, thus, their size and structure of crystalline of semiconductor nanocrystallinites is an important factor for determining their opti…     

基于拉曼光谱和光学二次谐波的二硒化锡结构研究

二维层状半导体材料,尤其是少数原子层时,其光电性质与晶格结构密切相关,采用合适的表征方法是关键。本文通过使用机械剥离的方法,得到了不同层数的二硒化锡,并利用光学二次谐波和拉曼光谱的表征研究了其晶体结构的性质。通过二次谐波准确确定了二硒化锡的晶轴,分析了厚度对二次谐波的影响,为确定材料的晶格结构提供了一种纯光学的手段,同时为发现二硒化锡其他非线性光学性质提供了可能性。通过拉曼光谱,发现二硒化锡层间振动模式对厚度和温度变化均较为敏感,表明二硒化锡可应用于大范围内温度的原位监测。     

量子点的制备及其在光化学传感器中的应用研究进展

量子点(QDs)作为一种新型半导体荧光纳米材料,表现出优越的光学、电子和表面可修饰等性质,可应用于许多领域.尤其在化学和生物化学领域,以量子点独特的发光优势构筑传感器在分析检测方面表现出很高的灵敏性和选择性.文章概述了量子点结构、性质及其制备方法,并综述了量子点在光化学传感器中的应用.