“联合技术”测量界面态分布的几个问题的分析

本文以实验事实为依据详细地分析了用“联合技术”测量界面态密度可能产生误差的几种因素,例如归一化值的线性度偏差、扫描速率大小的选择,地电势的偏差等,提出了避免误差,提高测量精度的方法。还讨论了磷处理工芝、合金工艺及光照等对界面态密度的影响.     

微压传感器膜片的设计与研制中的关键技术

本文介绍了正方形膜片微压传感器的结构,分析了其设计思想。并就利用正方形膜片开发的微量程力敏器件的灵敏度作了分析。最后较详细地讨论了微压传感器研制中的关键技术——各向异性腐蚀技术。     

关于GCNMOS的ESD保护电路的HBM的分析测试

静电放电(electrostatic discharge，ESD)是造成大多数的集成电路(integrated circuits，ICs)或电子系统受到过度电性应力(electrical overstress，EOS)破坏的主要原因。而HBM(human boby model)是ESD破坏IC的最常见的一种方式．因此要在IC中加入相关的保护电路，对一种GCNMOS(gate-couple NMOS)的保护电路进行详细的分析与测试。     

用MOS结构高频C—V技术测量Si—SiO_2系统可动电荷

本文介绍了MOS结构中Si—SiO_2系统可动电荷的一种测量方法—温度—偏压法(简称B—T法)。给出用MOSC—V技术测量Si—SiO_2系统可动电荷的原理和分析方法,对测量中出现的问题作了定性的分析。该测量方法具有简单易行、直观性强、计算方便等优点。适用于工厂中做一般的工艺监控。     

多孔硅的能带与发光机制的研究与分析

在光致发光技术对多孔硅光学性质研究的基础上讨论了与多孔硅的微观结构有关的多孔硅的能带结构,用能量赝势法模拟计算出多孔硅的能带间隙.     

动态CMOS多米诺逻辑电路的研究

主要对导致动态CMOS多米诺电路失效的原因进行详细的描述，并讨论了解决电路失效问题的若干方案，从而有效地提高了动态CMOS多米诺逻辑电路在实际应用中的可靠性和稳定性．     

微压传感器的设计分析

本文分析了压阻式扩散硅压力传感器的设计原理:对微压传感器的关键问题提出了各向异性腐蚀,掺高浓度硼停止腐蚀;用E型杯代替C型杯的设计,初步研制了量程小于1000mm水柱高,精度小于0.5%的微压传感器。     

半导体发光二极管的研究与分析

在简介半导体发光二极管的辐射复合基础上，。详细讨论了包括Ⅲ-Ⅳ，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料和多孔硅（PS）等新发光材料在内的各种发光材料的发光机理，发光二极管的结构与特性，并介绍了半导体发光二极管在近代科学中的应用。     

一种16位存储器版图的验证与参数提取

随着集成电路的发展,存储器在IC(IntegratedCircuit)即"集成电路"中地位越来越突出.阐述了对一种16位存储器版图设计中的DRC(DesignRuleChecking)即"设计规则检查"和LVS(LayoutVersusSchematic)即"版图和电路比较"、以及RC寄生参数的提取.