Hg1—xCdxTe近红外光伏探测器的深能级

用深能级瞬态谱及光电容谱方法，研究了１．５５μｍ近红外波段的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光伏探测器的深能级缺陷。结果表明，探测器中存在于禁带中央附近的两个施主深级。它们可能来源于ＨｇＣｄＴｅ材料中的本征缺陷，例如Ｈｇ间隙Ｈｇ１及Ｔｅ反位缺陷ＴｅＨｇ。     

半导体光电子材料中的缺陷

介绍近年来在Ⅲ族氮化物和Ⅲ-Ⅴ化合物缺陷等方面的一些研究进展。并着重展示对Ⅲ族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物,以及Ⅲ-Ⅴ化合物Fe杂质和DX中心能级精细结构等研究的结果。     

Ⅲ-Ⅴ半导体混晶中DX深中心的一种模型

用TSCAP、DLTS和暗电容瞬态方法研究AlGaAs:Sn中的DX中心.实验表明非指数电容瞬态主要起因于混晶无序作用,并发现DX中心的热发射率激活能随俘获时间加长而增大.提出一种多态模型,DX中心是由一些连续分布态组成,各态属于不同的局域结构,具有不同的电子束缚能和电声耦合能.     

用瞬态电容谱方法研究GaAsP、GaAlAs发光二极管中的深能级

对GaAsP、GaAIAs发光二极管中的深能级,用瞬态电容谱(DLTS)方法研究得知,二极管在退化前后存在着几个深能级,并测得其能级深度、浓度和俘获截面等主要参数。讨论了这些深能级的物理成因及其对发光效率与退化特性的作用。     

GaP中电子辐照产生的深能级

用DLTS与缺陷退火的方法研究了室温下1MeV电子辐照后n-GaP中的深能级,发现辐照后n-GaP中出现六个电子能级E_1-E_6和三个空穴能级H_1-H_2。等时和等温退火实验表明,除E_6、H_2、H_3能级外,其余能级在实验到达的退火温度583k以内,都先后分组消失。从各能级的退火特性,分析其退火动力学,推断其所属的退火机制,并对各能级所代表的缺陷形态作出合理的辨认。     

GaAsP混晶中Fe深受主中心的性质

一、引言 通过深能级瞬态方法、光吸收、光致发光及电子顺磁共振等研究,已经证明,在化合物GaP及GaAs中,Fe作为孤立替位杂质占据Ga位,形成深受主中心,具有Td晶场对称性,在中性状态时为Fe~(3+)(3d~5),从价带接受电子(即空穴发射)后为Fe~(2+)(3d~6),晶场作用使3d原子的~5D能级分裂为~5E基态及~5T_2激发态。对Fe中心的热发射率及光发射率的实验测量,相应于Fe中心基态的空穴跃迁,其激活能在禁带中的能级标志为Fe~(3+)/Fe~(2+)。     

离子注入方法制备半导体一维量子线

使用质子Ｈ￣＋和聚焦Ｇａ￣＋离子束方法，在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料上制备半导体一维量子线。通过低温阴极射线发光谱和光致发光谱，测量了由于Ａｌ从ＡｌＧａＡｓ势垒向ＧａＡｓ量子阱内扩散导致的发光谱峰的兰移，并讨论上述两种离子注入方法各具有的特点及不同的结果。     

Hg_（1－x）Cd_xTe近红外光伏探测器的深能级

用深能级瞬态谱及光电容谱方法，研究了１．５５μｍ近红外波段的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光伏探测器的深能级缺陷．结果表明，探测器中存在位于禁带中央附近的两个施主深能级．它们可能来源于ＨｇＣｄＴｅ材料中的本征缺陷，例如Ｈｇ间隙缺陷Ｈｇ１及Ｔｅ反位缺陷ＴｅＨｇ．