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| Hg1—xCdxTe近红外光伏探测器的深能级 | |
| 引用本文： | 康俊勇,黄启圣.Hg1—xCdxTe近红外光伏探测器的深能级[J].厦门大学学报(自然科学版),1996,35(3):360-363. |
| 作者姓名： | 康俊勇 黄启圣 |
| 摘 要： | 用深能级瞬态谱及光电容谱方法，研究了１．５５μｍ近红外波段的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光伏探测器的深能级缺陷。结果表明，探测器中存在于禁带中央附近的两个施主深级。它们可能来源于ＨｇＣｄＴｅ材料中的本征缺陷，例如Ｈｇ间隙Ｈｇ１及Ｔｅ反位缺陷ＴｅＨｇ。 |
| 关 键 词： | 深能级 半导体 红外探测器 |
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