论平板晶体中声学极化子自陷转变的可能性

本文采用类Huybrechts变分法讨论了声学极化子在平板晶体,这种实际存在的准二维结构中自陷的可能性.并得到结论:声学极化子在Ⅲ-Ⅴ族化合物和大多数卤碱化物的平板结构中自陷的可能性很小;但空穴极化子在某些Ⅲ-Ⅴ族化合物,如GaN和AlN的平板结构中能够自陷.     

第三代半导体引领生活新时尚——记北京大学宽禁带半导体研究中心张国义团队

继硅（Si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAS）引导的第二代半导体后，由Ⅲ族氮化物引领的第三代半导体闪亮资场并已逐渐发展壮大。与Si、GaAs等半导体不同，Ⅲ族氮化物所引领的第三代半导体对生活所体现出来的能力让人感到震惊，尤其在照明光源、激光器存储和功率微波器件等领域所造成的影响可以说是革命性的。     

(001)GaAs和(001)InP晶片[110]及[1(-1)0]取向的简易判别法

Ⅲ-Ⅴ族化合物中的GaAs及InP是目前制造激光二极管的主要材料之一。人们利用GaAs和Inp在腐蚀液中各向异性的特性,蚀刻出各种梯形台面以获得最小条形有源区,然后再进行二次外延,做成掩膜条形激光二极管。然而要蚀刻出不同梯形台面的条形,在光刻前必须判别出(001)GaAs和InP外延片的[110]及[10]晶向。通常判别GaAs及     

紧束缚方法计算Ⅲ-Ⅴ族半导体(311)B表面电子结构

本文用紧束缚方法计算了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构.半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3模型描述,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到.我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Γ-Y-S-X-Γ的色散关系.通过比较给出了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等(311)B表面共同的表面电子结构特征.     

Ⅲ—Ⅴ氮化物与蓝光LEDs(Ⅰ)

回顾了Ⅲ—Ⅴ氮化物材料和GaN-based蓝光LED的研究状况及近期的重大进展,分成两部分先后在本刊发表,首先简要地概述了GaN及其有关化合物的晶体生长技术,较为详细地讨论了衬底选择和外延层的晶体结构。     

Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算

使用简化相干势近似（SCPA）计算了Ⅲ-Ⅴ族三元混晶InGaN的禁带宽度，结果表明，该方法与实验数据吻合较好，可用于Ⅲ-Ⅴ族含氮三元混晶相关常数的计算。     

民族药骚羊古化学成分的研究

用硅胶柱色谱等方法,从贵州省民族药骚羊古(PimoinellacandolleanaWeightetArn )全草中分离出5个化合物,根据化合物的一维、二维核磁共振波谱等解析,分别鉴定为三十二烷(Ⅰ)、β-谷甾醇(Ⅱ)、豆甾醇(Ⅲ)、熊果酸(Ⅳ)和1-羟基-2,3,5-三甲氧基酮(Ⅴ),化合物Ⅰ～Ⅴ均首次从该植物中分得。此外,还对化合物Ⅴ的核磁共振二维谱进行了解析,确定的各个1H和13C的归宿。     

用表面光伏法测定Ⅲ-Ⅴ族化合物少子扩散长度

本文用表面光伏(SPV)法测定了不同掺杂的Ⅲ-Ⅴ族化合物(n型GaAs、GaP和InP)较小的少子扩散长度。SPV法和扫描电镜法的相对误差小于±5％。比较了三种SPV法的测量精度,发现由本文提出的等光强法较好,讨论了SPV法应用条件和产生测量误差的主要因素。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中Co2＋的光谱及g因子的研究

采用一种修正的晶体场理论方法研究了３ｄ＾７离子在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的光谱和ＥＰＲ谱ｇ因子。此方法考虑了ｄ＾７离子ｄ电子与配体混合而导致ｄ轨道中ｅ和ｔ２轨道畸变的各向异性以及配体旋轨耦合作用对ｇ因子的贡献,用此方法解释了ＧａＰ,ＩｎＰ和ＧａＡｓ中Ｃｏ＾２＋的光谱和ｇ因子,并对结果进行了讨论     

III-V稀磁半导体研究进展

低温分子束外延技术的应用，使高浓度掺杂的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体得以成功制备，与现代半导体器件兼容．本概要地回顾了磁性半导体的发展历史，介绍了目前的实验，应用及理论进展．     

催化裂化柴油不安定因素的考察

将催化裂化柴油中常见的硫化物、氮化物按一定方式添加到催化裂化柴油基础油及其模拟基础油中，将催化裂化柴油中常见的酸性化合物添加到碱洗后的脱酸柴油中，考察了这些化合物对柴油安定性的影响．研究表明，催化裂化柴油中的非碱性氮化物单独存在时可使柴油颜色变深；酸性化合物、碱性氮化物单独存在对柴油的安定性影响不大．若在非碱性氮化物、碱性氮化物、酸性硫化物或其它酸性化合物等并存的条件下，由于酸性化合物、碱性氮化物具有催速作用，柴油的安定性变得更差．     

R2Fe17—XAlXNy（R=Pr,Nd）化合物的结构和磁性

研究了Al替代和渗N对二元合金R_2Fe_(17)(R=Pr,Nd)的结构和磁性的影响。X射线衍射表明所有的母合金及其氮化物都结晶为Th_2Zn_(17)型结构。Al替代Fe和渗氮都使晶胞体积增大。R_2Fe_(17-X)Al_X化合物的居里温度随x增大,但R_2Fe_(17-X)Al_X(Al_X)N_Y化合物的居里温度比纯R_2Fe_(17)N_Y化合物的居里温度要低。室温饱和磁化强度随x减小,而且R_2Fe_(17-X)Al_XN_Y化合物的易磁化方向仍在基面内。     

Research on the magnetic material of Sm-Fe matrix nitrides

In this paper, the types of Sm-Fe matrix compounds and their correlations are introduced, and progress of research on the magnetic materials of Sm-Fe matrix nitrides is also reviewed. Possible research trends of future permanent magnetic materials of SmFe matrix nitrides are briefly predicted.     

高炉护炉含钛物料一种新加入方式的研究

通过实验室和现场研究,提出并验证了高炉护炉含钛物料的一种新的加入方式。实验室结果表明,在铁水-试样接界处有钛的碳氮化物生成;现场实验表明,用此方法加入的钛化物能有效地保护铁口区及附近炉缸侧壁。     

氮化08F钢中氮化物的TEM观察及室温形变的影响

本文采用单向减薄制样法在透射电镜下观察了氮化08F铜中氮化物的形态及分布。结果表明:在氮化未形变的试样中,亚稳定的氮化物α”—Fe_(16)N_2主要是沿晶体的(100)面析出,同时在奥氏体晶界上也析出片状的氮化物。在形变氮化试样中氯化物主要是在位错缠结区和晶界处析出,而且氮化物的形态也不一样。     

铁-草酸盐配合物光催化降解对苯二酚的研究

Fe(Ⅲ)-草酸盐配合物在光照条件下,能产生有活性的强氧化剂H2O2和OH自由基以氧化水中的有机化合物.研究了在高压汞灯(λ≥300nm)照射下,对苯二酚在Fe(Ⅲ)-草酸盐配合物体系中的光催化降解.结果表明:溶液pH值、对苯二酚初始浓度、铁与草酸盐浓度比和光照强度均对降解结果产生影响.在pH=4.0,Fe(Ⅲ)溶液浓度为10.0μmol/L,草酸盐浓度为100.0μmol/L的实验条件下,10.0mg/L的对苯二酚的降解率为99.0%.     

高自旋镍(Ⅲ)配合物的合成与表征

我们利用铁氰化钾兼做氧化剂和沉淀剂,用以氧化[NiLn]~(2+)(L为en、pn和dien,分别表示乙二胺、1.2-丙二胺和二乙三胺)得到比较稳定的3种溶解度较小的暗绿色晶体。经元素分析、穆斯堡尔谱(Mossbauer)、紫外光谱、磁化率、摩尔电导和顺磁共振光谱(ESR)的测定,证明它们是高自旋Ni(Ⅲ)配合物。     

树脂催化水合肼还原芳香族硝基化合物

通过离子交换法制备了几种阳离子树脂,将其用于催化水合肼还原芳香族硝基化合物制备芳胺.用XRD对树脂进行表征,表明金属阳离子在树脂中高度分散.实验结果表明铁(III)树脂、镍(II)树脂和铋(III)树脂对水合肼还原芳香族硝基化合物具有催化活性,其中铁(III)树脂的活性最高.10mmol芳香族硝基化合物、20mmol水合肼和1g铁(III)树脂在10mL乙醇中回流反应,所得芳胺的收率为85%～99%.     

Zr处理对含Ti低碳微合金钢中氮化物的影响

以含Ti低碳微合金钢为研究对象,通过实验和热力学计算研究了Zr质量分数对钢中氮化物的影响规律.结果表明:随着钢中Zr质量分数由0.0020%增加至0.0200%,钢中氮化物数量密度和面积占比明显增加,氮化物类型逐渐由TiN变为(Ti_○y,Zr_1-○y)N,(Ti_○y,Zr_1-○y)N中Zr/Ti原子数比逐渐增加,(Ti_○y,Zr_1-○y)N由以TiN为主转变为以ZrN为主.热力学计算结果发现精炼过程无TiN,ZrN等氮化物析出,氮化物主要在凝固过程析出.当钢中Zr质量分数为0.0020%时,凝固过程只有TiN析出;而当Zr质量分数≥0.0046%,逐渐有ZrN在凝固末期析出.随着凝固过程温度的降低,(Ti_○y,Zr_1-○y)N具备热力学析出条件.当钢中Zr质量分数由0.0046%增加至0.0200%,(Ti_○y,Zr_1-○y)N开始析出温度逐渐增加,TiN在(Ti_○y,Zr_1-○y)N中占比逐渐减小.最后,当采用Zr-Ti复合脱氧时,钢中Zr质量分数应控制在0.0020%~0.0050%.     

单轴异性对氮化物半导体中浅杂质态的影响

利用变分法研究纤锌矿结构氮化物半导体材料中的浅杂质态问题.采用London模型,用变分法计算浅杂质态的结合能,研究材料的单轴异性对浅杂质态的结合能的影响.对G aN,A lN和InN三种材料进行数值计算,给出了结合能随异性角(总动量与主轴之间的夹角)的变化关系,结果表明结构异性对结合能的影响显著.