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以Ｈｏｐｆｉｅｌｄ神经网络为基础，提出一种网络模型，可以正确处理平面图着四色问题，它具有结构简单，连接规则，容错性强等优点，并可用电子电路实现，在各个神经元外加激励稍有不同或网络连接权值有偏差的情况下可以得到正确输出，用两种途径进行仿真，其结果与理论分析相吻合。 相似文献
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本文用紧束缚方法计算了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构 .半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3 模型描述 ,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到 .我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态 ,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Г Y S X Г的色散关系 .通过比较给出了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等 (311)B表面共同的表面电子结构特征 相似文献
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紧束缚方法计算Ⅲ-Ⅴ族半导体(311)B表面电子结构 总被引：1，自引：1，他引：0
本文用紧束缚方法计算了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构.半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3模型描述,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到.我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Γ-Y-S-X-Γ的色散关系.通过比较给出了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等(311)B表面共同的表面电子结构特征. 相似文献
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