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| Ⅲ—Ⅴ氮化物与蓝光LEDs(Ⅰ) | |
| 引用本文： | 张国义,刘弘度,王舒民.Ⅲ—Ⅴ氮化物与蓝光LEDs(Ⅰ)[J].应用基础与工程科学学报,1995(1). |
| 作者姓名： | 张国义 刘弘度 王舒民 |
| 作者单位： | 北京大学物理系及介观物理国家重点实验室，北京大学物理系及介观物理国家重点实验室，北京大学物理系及介观物理国家重点实验室 北京 100871，北京 100871，北京 100871 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 回顾了Ⅲ—Ⅴ氮化物材料和GaN-based蓝光LED的研究状况及近期的重大进展,分成两部分先后在本刊发表,首先简要地概述了GaN及其有关化合物的晶体生长技术,较为详细地讨论了衬底选择和外延层的晶体结构。 |
| 关 键 词： | 氮化镓 MOCVD 晶体结构 |
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