| Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算 |
| |
| 引用本文： | 于晓龙,班士良.Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2003,34(2):235-237. |
| |
| 作者姓名： | 于晓龙 班士良 |
| |
| 作者单位： | 内蒙古大学理工学院物理系,内蒙古,呼和浩特,010021 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60166002) |
| |
| 摘 要： | 使用简化相干势近似（SCPA）计算了Ⅲ-Ⅴ族三元混晶InGaN的禁带宽度，结果表明，该方法与实验数据吻合较好，可用于Ⅲ-Ⅴ族含氮三元混晶相关常数的计算。
|
| 关 键 词： | InGaN 三元混晶 SCPA 禁带宽度 |
| 文章编号： | 1000-1638(2003)02-0235-03 |
| 修稿时间： | 2002年7月2日 |
The Band Gap Calculation of Wide-Gap Ternary Compound Nitride Semiconductors in Group Ⅲ-Ⅴ |
| |
| YU Xiao-long,BAN Shi-liang.The Band Gap Calculation of Wide-Gap Ternary Compound Nitride Semiconductors in Group Ⅲ-Ⅴ[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Neimongol,2003,34(2):235-237. |
| |
| Authors: | YU Xiao-long BAN Shi-liang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | InGaN ternary SCPA band gap |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
