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| Ⅲ-Ⅴ半导体混晶中DX深中心的一种模型 | |
| 引用本文： | 康俊勇,黄启圣.Ⅲ-Ⅴ半导体混晶中DX深中心的一种模型[J].厦门大学学报(自然科学版),1987(4). |
| 作者姓名： | 康俊勇 黄启圣 |
| 作者单位： | 厦门大学物理学系 (康俊勇)，厦门大学物理学系(黄启圣) |
| 摘 要： | 用TSCAP、DLTS和暗电容瞬态方法研究AlGaAs:Sn中的DX中心.实验表明非指数电容瞬态主要起因于混晶无序作用,并发现DX中心的热发射率激活能随俘获时间加长而增大.提出一种多态模型,DX中心是由一些连续分布态组成,各态属于不同的局域结构,具有不同的电子束缚能和电声耦合能. |
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