Si3N4-MgO-CeO2陶瓷烧结过程中的致密化与相变

氮化硅陶瓷有极大的应用潜力,但由于其强共价键,很难烧结致密化。采用了一种新的ＭｇＯ－ＣｅＯ２复合烧结助剂,利用Ｘ射线衍射、透射电镜等手段研究了ＭｇＯ－ＣｅＯ２复合烧结助剂对氮化硅陶瓷致密化和相变过程的影响,结果发现对Ｓｉ３Ｎ４－ＭｇＯ－ＣｅＯ２陶瓷,在１４５０℃就会有大量液相出现,１５００～１５５０℃为快速致密化阶段,而α－Ｓｉ３Ｎ４→β－Ｓｉ３Ｎ４相变主要发生在１５５０～１６００℃,相变过程滞后于致密化过程。常压烧结Ｓｉ３Ｎ４－ＭｇＯ－ＣｅＯ２陶瓷,强度达９４８ＭＰａ,因此,ＭｇＯ－ＣｅＯ２是一种非常有效的氮化硅的烧结助剂。     

二氰基二硫纶.邻菲罗啉镉（Ⅱ）配合物的合成与光敏性研究

以ｃｉｓ－１,２－二氰基乙烯－１,２－二硫醇钠和二氯．邻菲罗啉合镉（Ⅱ）为原料了标题配合物,并经元素分析、摩尔电导、红外光谱、电子吸收和发射光谱表征,其结构为四配位的电中性配合物,易溶于二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、吡啶,难溶于苯、乙醚和水。掺杂有标题配合物的ＣｄＳ－ＰＶＡ复合膜的暗态导电性和光电导性,研究了标题配合物对ＣｄＳ的光敏化作用与其电子光谱间的关系。     

PECVD氮化硅介质膜Si／N比值的工艺监控

本文介绍了作者在微电子工艺ＰＥＣＶＤ氮化硅制备过程中对其Ｓｉ／Ｎ比值进行测定及工艺监控的技术手段和方法。     

自然侵染白肋烟的黄瓜花叶病毒的鉴定

根据１９９５ ～１９９６ 田间调查表明,ＣＭＶ 是侵染白肋烟的主要病毒之一。采集到一种（ 命名为ＣＭＶ－ ＴＢ） 引起烟株花叶、植株矮化的样品,摩擦接种能侵染７ 科２９ 种植物。ＣＭＶ－ ＴＢ 引起苋色藜局部枯死斑。ＣＭＶ－ ＴＢ 体外稳定性状：体外保毒期２ 天;稀释限点１０ － １ ;致死温度５０ － ５５ ℃。电镜观察ＣＭＶ－ ＴＢ 为球状颗粒,直径３０ｎｍ 。ＳＤＳ聚丙酰胺电泳测其分子量２８ ８００Ｄ。ＣＭＶ－ ＴＢ 和ＣＭＶ－ ＣＡ（ 花生株系） 抗血清起强阳性反应,与同一病毒组的花生矮化病毒（ＰＳＶ） 抗血清起阴性反应。基于以上性质,ＣＭＶ－ ＴＢ 经鉴定属于黄瓜花叶病毒。本研究为侵染白肋烟的ＣＭＶ 国内首次详细报道。通过应用生物学（ 寄主反应和温度敏感性） 实验与ＣＭＶ－ Ｓ、ＣＭＶ－ Ｄ 对比,参试的分离物在３２ ℃下引起昆诺藜（ Ｃ．ｑｉｎｏａ） 、豇豆（Ｖ．ｓｉｅｓｉｓ） 产生局部枯斑并且与ＣＭＶ－ Ｄ 抗血清产生比ＣＭＶ－ Ｓ抗血清更强的特异性血清学反应。以上实验证明,ＣＭＶ－ ＴＢ 中国分离物与ＣＭＶ－ Ｄ 性质相同,属于ＣＭＶ 亚组Ｉ,而与ＣＭＶ 亚组ＩＩ有明显差异。依据在一组寄主植物上的反应,对参试的ＣＭＶ－ ＴＢ 进行了株系划分     

CS-ACR-IV改善硬质聚氯乙烯加工性能的研究

从实际工业化生产出发，用ＭＳ－１和ＯＰ－１０复合乳化剂替代十二烷基磺酸钠，合成了具有核－壳结构的硬质聚氯乙烯（Ｒ－ＰＶＣ）改性剂ＣＳ－ＡＣＲ－ＩＶ；借助于Ｂｒａｂｅｎｄｅｒ塑化仪研究了此改性剂的用量及合成参数对Ｒ－ＰＶＣ加工性能的影响。     

CLIENT/SERVER结构在农电管理系统中的应用

介绍了ＣＬＩＥＮＴ／ＳＥＲＶＥＲ 计算模式的基本概念及基于ＣＬＩＥＮＴ／ＳＥＲＶＥＲ 结构的ＭＩＳ的特点－ 分析了农电管理信息系统的现状和农电资料管理的内容－ 在此基础上,规划出了农电管理信息系统的ＣＬＩＥＮＴ／ＳＥＲＶＥＲ 体系结构－ 对ＣＬＩＥＮＴ 端和ＳＥＲＶＥＲ 端的功能进行了合理划分,并将其实现－ 最后,对系统实现中采用的一些先进技术进行了介绍     

二氰基二硫纶·邻菲■啉镉(Ⅱ)配合物的合成与光敏性研究

以ｃｉｓ－１,２－二氰基乙烯－１,２二硫醇钠和二氯·邻菲啉合镉（Ⅱ）为原料合成了标题配合物,并经元素分析、摩尔电导、红外光谱、电子吸收和发射光谱表征,其结构为四配位的电中性配合物,易溶于二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、吡啶,难溶于苯、乙醚和水。测量了掺杂有标题配合物的ＣｄＳ－ＰＶＡ复合膜的暗态导电性和光电导性,研究了标题配合物对ＣｄＳ的光敏化作用与其电子光谱间的关系。     

用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜

本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。     

聚氯乙烯在耐热电缆中的应用

采用凝胶渗透色谱仪（ＧＰＣ），差示扫描热量仪（ＤＳＣ）研究了ＰＶＣＳ－２５００树脂的分子量及其分布、玻璃化转化温度（Ｔｇ），并和ＰＶＣＳ－１０００、Ｓ－１７００树脂进行了比较。并对配合、加工和在１０５℃级电缆中的应用进行研究。     

带HSV－tk基因的重组腺病毒杀伤离体肺癌细胞的研究

带有单纯疱疹病毒脱氧胸苷激酶基因（ＨＳＶ－ｔｋ）的腺病毒结合ｇａｎｃｉｃｌｏｖｉｒ（ＧＣＶ）对分裂细胞有很强的杀伤作用．在感染复数（Ｍ．Ｏ．Ｉ,ＭｕｌｔｉＰｌｉｃｉｔｙｏｆＩｎｆｅｃｔｉｏｎ）达到１０００时对人体肺腺癌细胞Ａ５４９的杀伤几乎达到１００％．四种人体肺癌细胞株（Ａ５４９,ＬＡＸ,ＳＰＣ,ＳＫＹ）对带ＨＳＶ－ｔｋ的腺病毒（ＡＤＶ／ＲＳＶ－ｔｋ）的杀伤作用表现出不同的敏感性．另Ａｃｙｃｌｏｖｉｒ（ＡＣＶ）和ＧＣＶ对感染了重组腺病毒ＡＤＶ／ＲＳＶ－ｔｋ的细胞都有一定杀伤作用,但杀伤效果有很大差别;就Ａ５４９而言,ＧＣＶ的杀伤作用比ＡＣＶ高７～８倍．此外ＡＤＶ／ＲＳＶ－ｔｋ结合ＧＣＶ杀伤肿瘤细胞时有“旁观者效应”,即感染了ＡＤＶ／ＲＳＶ－ｔｋ的细胞与未感染细胞混合后,后者也明显地遭到杀伤．     

中型氧化硅簇的性质及其在纳米硅线生长中的作用

应用量子化学计算法和前线轨道理论研究了中型氧化硅簇体系的结构和反应性，并从该理论研究出发，对一种新型的可以高产量生长纳米硅线的实验技术，即氧化硅辅助生长方法的生长机制做了相应的探讨。初步得出了富含硅的氧化硅簇和类似SiO配比的氧化硅簇在纳米硅线的成核和生长中起到了重要作用。     

PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用

采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD),在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN)薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN薄膜的退火特性.通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高;采用准稳态光电导衰减QSSPCD测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降.还研究了SiN薄膜对多晶硅电池性能的影响,发现它能较大幅度地提高电池效率.     

多晶硅压力传感器

研制一种多晶硅压力传感器．它采用一氧化硅介质膜隔离代替ｐ－ｎ结隔离，提高了工作温度；通过控制掺杂浓度，改善了温度特性．实验表明，该传感器灵敏度高，工作温限高，温度漂移小．     

多孔硅发光特性的研究

在以氢氟酸为基本组份的腐蚀液中,以单晶硅为阳极采用横向阳极氧化方法,制备了具有光致发光特性的多孔硅,系统地研究了多孔硅薄膜的光学性质;x光衍射分析表明样品具有良好的晶体质量;测量了样品的变波长激光喇曼光谱,光致发光峰值波长和半峰高宽度对电解液组份、电解电流密度及电解时间等量的依赖关系;利用二维量子尺寸效应对上述物理现象作了定性的解释.     

非晶硅a-Si:H膜中氢含量的深度分布研究

用弹性反冲法对氢化非晶硅(a-Si:H)作了氢剖析.测量了(本征)I-a-Si:H单层膜及PIN-a-Si:H多层膜.结果表明,在～1000A—～1500(?)表面层中,氢含量从外到内急剧下降,而在内部维持一稳定值,并且随着衬底温度增加,膜中氢含量线性减少.氢含量的总误差小于10％,探测深度为～5000.     

硅低速刻蚀和钨膜刻蚀研究

针对半导体器件研制过程中等离子体刻蚀工艺的具体需要,研究了硅的低速率刻蚀和钨薄膜的刻蚀,得到了加磁场条件下刻蚀速率与刻蚀气体流量,射频功率的关系曲线,得到了不加磁场时不同的刻蚀气体流量下钨的刻蚀速率,以及在刻蚀气体中掺杂不同比例氧气时硅的刻蚀速率,对上述结果加以简单的讨论并给出了符合工艺要求的刻蚀条件。     

PCVD法制取高硅钢的研究

利用等离子体增强化学气相沉积（ＰＣＶＤ）法对低硅钢进行ＳｉＣｌ４涂层处理，然后进行高温扩散，制得高硅钢，使其磁性能大为改善，从而铁损Ｐ１５／５０降低约４５．１％，磁感应强度提高４．５％左右     

硅器件工艺中的铁污染及其对器件特性的影响

文中研究了硅器件的异常产生电流和异常特性,揭示了它们的产生原因均是硅器件中有铁污染。     

制备活性二氧化硅实验的设计

本文介绍的活性二氧化硅的制备及性质实验是为化学专业无机化学实验课而设计的一个综合性实验。本实验具有综合性强,制备条件温和,时间短,实验耗费低及原料易得等优点。     

PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究

采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide，PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜；利用微旋转结构测量氮化硅薄膜的残余应力；讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的残余应力的影响，并把薄膜的残余应力分为热应力和本征应力加以分析，得出适合制作射频MEMS开关器件中的桥式梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。