| PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究 |
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| 引用本文： | 吴清鑫,于映,罗仲梓,陈光红,张春权,杨渭.PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究[J].集美大学学报(自然科学版),2005,10(2):160-163. |
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| 作者姓名： | 吴清鑫 于映 罗仲梓 陈光红 张春权 杨渭 |
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| 作者单位： | 1. 福州大学物理与信息工程学院,福建,福州,350002
2. 厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学青年基金项目(60301006)，福建省自然科学基金项目(A0310012) |
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| 摘 要： | 采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide，PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜；利用微旋转结构测量氮化硅薄膜的残余应力；讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的残余应力的影响，并把薄膜的残余应力分为热应力和本征应力加以分析，得出适合制作射频MEMS开关器件中的桥式梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。
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| 关 键 词： | PECVD 氮化硅 聚酰亚胺 残余应力 |
| 文章编号： | 1007-7405(2005)02-0160-04 |
| 修稿时间： | 2004年9月10日 |
Study on Technology for the Silicon Nitride Thin Films Grown on Polyimide by PECVD |
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| WU Qing-xin,YU Ying,LUO Zhong-zi,CHEN Guang-hong,ZHANG Chun-quan,YANG Wei.Study on Technology for the Silicon Nitride Thin Films Grown on Polyimide by PECVD[J].the Editorial Board of Jimei University(Natural Science),2005,10(2):160-163. |
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| Authors: | WU Qing-xin YU Ying LUO Zhong-zi CHEN Guang-hong ZHANG Chun-quan YANG Wei |
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| Institution: | WU Qing-xin1,YU Ying1,LUO Zhong-zi2,CHEN Guang-hong1,ZHANG Chun-quan2,YANG Wei2 |
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| Abstract: | The silicon nitride thin films are prepared on polyim ide sacrificial layer by PECVD. The re- sidual stress in thin films ismeasured by the method ofm icro-rotating-structures. The influence of the process parameters on the residual stress of silicon nitride thin films is d iscussed, and the residual stress is further an- alyzed through the form ing mechanism of intrinsic stress and thermal stress. The optimum process cond ition is obtained, and the silicon nitride thin films deposited by the process cond ition have been successfully applied. |
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| Keywords: | PECVD silicon nitride polyim ide residual stress |
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