| 用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜 |
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| 引用本文： | 何奕骅,孙卓.用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜[J].华东师范大学学报(自然科学版),1995(4):44-48. |
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| 作者姓名： | 何奕骅 孙卓 |
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| 作者单位： | 华东师范大学电子系，华东师范大学物理系，上海冶金所信息功能材料国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。
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| 关 键 词： | 金刚石 选择性 PETEOS氧化硅 掩蔽层 |
Selective deposition of diamond films on silicon wafer with TEOSPECVD SiO_2 masks by tungsten filament chemical vapor deposition |
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| He Yihua, XuChunfang, Fan Huanzhang.Selective deposition of diamond films on silicon wafer with TEOSPECVD SiO_2 masks by tungsten filament chemical vapor deposition[J].Journal of East China Normal University(Natural Science),1995(4):44-48. |
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| Authors: | He Yihua XuChunfang Fan Huanzhang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diamond selection PETEOS SiO_2 mask nucleation density substrate temperature |
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