新疆东天山典型金矿床成矿物质来源探讨

作者根据对新疆东天山典型金矿床的沉淀成矿环境、地球化学特征、稳定同位素特征等的系统分析和研究，论证了形成金矿床的硅质流体最初是一种以水为主要溶剂，以溶解态、胶体态氧化硅为主要溶质的高温高压(超临界态)溶液，其来源于地幔，是一种溶解了大量SiO2的地幔流体。而成矿元素主要来源于硅质流体上升运移过程中所经围岩，以致成矿物质来源具异源性。这对研究内生金矿床的成矿机制和成因有着十分重要的意义。     

PETEOS氧化硅膜的成分与电荷特性

本文分析了以正硅酸乙酯溶液为源，用等离子体增强化学汽相沉积法淀积的氧化硅膜的成分与电荷等特性，以及淀积和退火工艺条件对这些特性的影响。     

含纳米硅氧化硅薄膜的光致发光特性

利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心.     

TTAC-HPMo/SiO_2催化剂的表征及其氧化脱硫性能分析

以十四烷基三甲基氯化铵(TTAC)为模板剂,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,采用溶胶-凝胶法制备TTAC-HPMo/SiO_2催化剂,利用FTIR、XRD、SEM和N_2吸附-脱附等技术对其进行表征,并分析催化剂制备条件和反应条件对模型油氧化脱硫性能的影响。结果表明,在m(HPMo)/m(SiO_2)=15%、焙烧温度为400℃条件下所制TTAC-HPMo/SiO_2催化剂,其孔隙结构发达、氧化脱硫性能最佳;对于10mL以二苯并噻吩(DBT)为目标含硫化合物的模型油(硫含量为400μg/g),当m(TTAC-HPMo/SiO_2)/m(模型油)=0.43%、V(H_2O_2)/V(模型油)=0.2%、反应温度为60℃、反应时间为14min时,所制TTAC-HPMo/SiO_2催化剂对模型油中DBT的脱除率达到100%。     

碳还原锆英石分离SiO2和ZrO2

进行了配碳量，温度，时间和颗粒大小及试样形式对碳还原锆英石中ＳｉＯ２的实验研究，得到相应脱硅率的影响规律，理论上，脱硅率的极大值可达到９７．２２％，碳还原锆石的表现反应活化能，在１６００～２０００℃温度范围内为２８２．０４ｋｊ／ｍｏｌ。锆英石被碳还原的限制环节是锆英石的热分解，而不是它裂解成ＳｉＯ２之后再与碳的反应。     

等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅

利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性，结果表明ＰＥＣＶＤＳｉＯ２－ＳｉＮ双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。     

用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜

本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。     

激光作用生成的网孔硅结构

作者结合量子受限效应,提出纳硅晶与氧化硅界面态发光模型来解释激光作用生成的纳米网孔壁结构的强荧光效应。将功率为50W、波长为1064nm的YAG激光束(束斑直径0.05mm)照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上,有很特殊的网孔形结构,其中的网孔壁厚为纳米尺度,这里有很强的受激荧光发光效应,发光峰中心约在700nm处。我们将激光与硅样品的作用隔离于无氧化的环境里,分别比较了将硅样品浸入酒精、氢氟酸和水中的激光加工结果,其发光情况证实了该发光模型的真实性。优化激光加工的条件,我们获得了较强发光的样品。     

碳化硅、氮化硅材料力学性能的研究

用电显微技术研究了纳米Si3N4-SiC复相陶瓷的显微结构，分析了显微结构与力学性能的关系。     

非放射性红色荧光粉的合成和发光

本文采用特殊的灼烧工艺，在还原气氛准封闭体系中合成了SrS:Eu,Er非放射性红色荧光粉，用365nm紫餐光激发，测试了样品的发光特性，其实验结果表明，SrS,Eu,Er荧光粉的发射光谱主峰位在620nm,色坐标x＝0.620,y＝0.375，余辉时间为3h，采用半导体平面工艺技术进行SiO2包膜，改善了荧光粉的稳定性。