PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究

采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide，PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜；利用微旋转结构测量氮化硅薄膜的残余应力；讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的残余应力的影响，并把薄膜的残余应力分为热应力和本征应力加以分析，得出适合制作射频MEMS开关器件中的桥式梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。     

自由集电极电位纵向PNP晶体管的制作工艺研究

自由集电极电位纵向PNP器件是双极型集成电路工艺中的一种重要器件,具有较大的放大倍数,较高工作特征频率等特点,但按照正常双极工艺制作的纵向晶体管存在基区宽度难以控制、集电极电阻偏大等问题。通过采用N阱技术和双层外延技术,不仅可以增强器件制作工艺的可控性,而且可大大减小纵向晶体管的集电极电阻,从而提高器件的输出功率。     

对高职高专《模电》教学的几点思考

描述了高职高专中《模电》教学的现状及存在的问题,就《模电》的理论讲解、实验及考核方式等提出了几点改进措施。     

沉积温度对氮化硅薄膜力学性能的影响

采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),硅烷SiH4(用氮气N2稀释到12%)和纯氨气NH3作为反应气体在(100)硅片上生长氮化硅薄膜;采用表面轮廓仪(Dektak3 6M)测量氮化硅薄膜的残余应力;由XPS测得氮化硅薄膜的氮硅比。讨论沉积温度对氮化硅薄膜残余应力的影响,并分析其原因。