粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷

作者对AlGaAs/GaAs结构调制掺杂材料及多量子阱材料,分别使用电子束或质子束辐照.电子束辐照能量为0.4～1.8MeV,辐照注量为1×1013cm-2～1×1016cm-2,质子束辐照能量为20～130keV,辐照注量为1×1011cm-2～1×1014cm-2.辐照前后的样品均经过深能级瞬态谱(DLTS)的测试.测试结果表明,电子束辐照引入了新缺陷,其能级位置为E3=Ec-0.65eV,而质子辐照引入的深缺陷能级为E1=Ec-0.22eV,电子和质子束辐照同时对与掺Si有关的原生缺陷Dx中心E2=Ec-0.40eV也有影响,即浓度发生改变,峰形亦不对称,说明其中包含有其他邻近缺陷的贡献.DLTS测试给出了这些深中心的浓度及俘获截面等参数.     

高分辨率FFT-DLTS测试系统

相对地传统深能级瞬态谱（DLTS）方法,快速傅立叶变换深能级瞬态谱（FFT－DLTS）方法具有灵敏度高,分辨率高等特点,但是由于用FFT0DLTS方法在处理多能级DLTS系统时存在着系统误差从而限制了该方法的应用,论证了该误差产生的原因并提出用迭代法来解多能级的傅立叶系数谱的方法,有效地解决了传统FFT－DLTS方法所存在的问题,且能级分辨率又有显著的提高。     

GaAs0.55P0.45发光二极管中的无辐射陷阱

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级.结果表明,有B陷阱的GaAS0.55P0.45红色发光二极管亮度比有C陷阱的低;并对B陷阱深能级位置的真实值进行了详细计算.     

AlGaAs混晶中的Sn施主深能级

用DLTS(深能级瞬态谱)及光照DLTS方法研究了不同组分(x=0.26、0.40、0.53)的 Al_xGa_(1-x)As:Sn材料。所有实验样品的DLTS谱都出现两个多子谱峰A和B。在光照下,低温处的A峰更为明显。实验分别测量了A、B能级的发射及俘获的瞬态过程,用混晶无序引起能级展宽模型拟合了实验数据,得到它们的发射激活能,俘获势垒及其组分关系。分析表明,A 及B能级同属于Sn替位施主杂质,并证明DX中心深能级的复杂性。     

用瞬态电容谱方法研究GaAsP、GaAlAs发光二极管中的深能级

对GaAsP、GaAIAs发光二极管中的深能级,用瞬态电容谱(DLTS)方法研究得知,二极管在退化前后存在着几个深能级,并测得其能级深度、浓度和俘获截面等主要参数。讨论了这些深能级的物理成因及其对发光效率与退化特性的作用。     

硅太阳电池材料的深能级瞬态谱检测

本文利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,检测和分析了制作硅太阳电池的低阻硅材料。结果表明,即使是专门订制的低阻(CZ)硅材料,通常也存在一个或若干个深中心,它们对太阳电池效率有很大影响。本文认为,制作高效率太阳电池的硅材料,除常规要求外,还应对其深中心浓度有严格的要求,即DLTS谱中不出现明显的谱峰。     

用DLTS和ODLTS技术研究ZnSe晶体中与Ga有关的深能级

本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能级的起源进行了讨论.     

用深能级瞬态谱作半导体器件的失效机理分析

本文利用深能级瞬态谱DLTS技术,对器件的失效批理作了分析探讨。指出用DLTS技术,不必将失效器件启封,就可以区别是属于体内失效还是表面失效,对于由深能级杂质影响电参数的器件,可以有效地进行失效机理分析。     

SiO_2-InP MIS结构的界面态和体深能级的研究

本文用恒定电容深能级瞬态谱(CC—DLTS)方法研究了SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级。结果表明在价带顶附近界面态密度最高,可达9×10~(12)ev~(-1)·cm~(-2)以上,随着离开E_v指向E_i迅速降低。在E_v 0.41ev和E_v 0.55ev处各测得一个深能级。文中测量了淀积前InP表面四种不同处理的样品,发现界面态密度依賴于表面处理的方法,但其分布是相似的。文中还对InP MIS结构样品的CC—DLTS测量方法和测试条件作了探索与分析。最后,对SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级分布作了讨论分析。     

ZnTe单晶的深能级瞬态谱

本文应用DLTS方法对布里支曼法,Te溶液法和逐冷法生长的三种P型ZnTe单晶的深能级进行了研究。实验中测得了Ey+0.28eV能级,并发现了E_v+0.39 eV能级,确定了它的陷阱浓度N_T和俘获截面σ_P。对三种方法生长的ZnTe单晶进行了退火实验,并对退火前后的DLTS谱进行了比较。     

正电子深能级瞬态谱在GaAs缺陷研究中的应用

本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实验方法.该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ,Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征,它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息.本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究,运用该技术并结合深能级Arrhenius分析,得到EL2能级值为0.82±0.02 eV.     

高压反偏硅PN结的漏电流对研磨损伤层的影响

本文通过对硅整流管反偏直流产生电流温度关系、伏安特性和对应的深能级瞬态谱(DLTS)的研究,揭示了均为硬转折特性的试样漏电流有较大差异的根源是:表面研磨损伤层引入了新的深中心,使PN结的漏电流增加了一个隧道电流分量;并分析了导电机理.根据理论分析,修正了反偏PN结漏电流理论.     

脉冲激光掺铝P~ N结中的深能级

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了调Q红宝石脉冲激光掺铝P~ N结中的深能极缺陷.当硅衬底中有点缺陷时,激光掺杂将在N区引入一个深电子陷阱,其能级位置在E_c—0.35eV,退火温度约300℃,可能结构是[V_2 0]。如果硅衬底中原来无点缺陷,则未观测到激光诱生深能级缺陷。     

InGaAs/InP异质结光电二极管中的深能级协助隧穿电流

InGaAs/InP 异质结光电二极管是用于1.2—1.6μm 波长范围光纤系统的一种重要光电器件。本文采用“深能级瞬态谱仪”(DLTS)对它进行了测试。发现其中有一电子陷阱存在,它的热激活能为0.44eV,能级密度为3.10×10~1 cm~(?),电子俘获截面为1.72×10~(-12)cm~2。研究结果表明它的产生与位于 InGaAs/InP 异质结界面缺陷和 p-InP 层中掺杂剂 Zn 的相互作用有关。同时,通过对管子暗电流的分析,确证所测深能级导致管中出现一新的暗电流成份——深能级协助隧穿电流。     

应用势垒电容研究半导体中深能级杂质

半导体中深能级杂质对半导体材料的物理性质和半导体器件的性能有重要影响。本文概述了近年来应用势垒电容研究半导体中深能级杂质的一些主要方法,特别是利用含有深能级杂质的p—n结(或Schottky 结)电容与时间有关的瞬态电容法,并且讨论了解释这些测量结果的理论模型。研究深能级杂质的 DLTS 法能比较迅速、精确地测定深能级杂质的多种参数,在此基础上进一步改进,从而提高测量精度。     

应用DLTS技术研究磷处理对Si_SiO_2界面态的影响

本文应用DLTS(深能级瞬态谱)技术研究磷处理对Si—SiO_2界面态密度和停荻截面的影响.给出了(100)晶向n型硅MOS结构的实验结果.     

砷化镓P^＋Pnn^＋结构缓冲层的深能级分析

用低品位廉价砷化镓衬底制备了具有P~ Pnn~ 结构的Al_xGa_(l-x)As/GaAs太阳电池,对一组具有P型层桔构参数相同、n型缓冲层厚度不同的样品作了细致地深能级瞬态谱(DLTS)的测量分析.结果表明缓冲层的生长厚度大于6μm后,才可有效地阻挡来自衬底的不良影响,使深能级缺陷密度降至符合制备高效太阳电池的要求.     

Si夹层对GaAs/AlAs异质结的影响

用MBE生长了GaAs/Si/AlAs异质结及其对比样,通过深能级瞬态谱技术(DLTS)和X射线光电子谱测量(XPS)研究了Si夹层的引入对异质结的影响,研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷,异质结仍保持较好的质量,但使GaAs/AlAs的带阶发生了改变。     

镓砷磷半导体发光二极管中的少子陷阱

应用深能级瞬态谱（DLTS）技术,首次研究了GaAs0.55P0．45红色发光二极管少子陷阱。结果表明,GaAs0.55P0．45红色发光二极管有一个少子陷阱;并对陷阱位置的真实值进行了详细计算,其激活能为0．11eV。     

GaP中电子辐照产生的深能级

用DLTS与缺陷退火的方法研究了室温下1MeV电子辐照后n-GaP中的深能级,发现辐照后n-GaP中出现六个电子能级E_1-E_6和三个空穴能级H_1-H_2。等时和等温退火实验表明,除E_6、H_2、H_3能级外,其余能级在实验到达的退火温度583k以内,都先后分组消失。从各能级的退火特性,分析其退火动力学,推断其所属的退火机制,并对各能级所代表的缺陷形态作出合理的辨认。