Kinnersley时空中的粒子辐射特征

恒星内部依次进行着核反应，促使恒星不断地演化，恒星演化到晚期的归宿将成为白矮星或中子星或黑洞。对于Ｋｉｎｎｅｒｓｌｅｙ黑洞而言，加速度是导致非热辐射粒子的主要原因；Ｋｉｎｎｅｒｓｌｅｙ时空中的Ｄｉｒａｃ能级分布与极角θ有关。     

双层复合钝化膜厚度测量的物理原理

本文给出了一种直接测量双层复合钝化膜厚度的方法.由于不是在制膜过程中采用陪片的间接测量,因此简化了手续,也减少了误差.这种直接测量双层薄膜的方法,不需要高级复杂的设备,仍然只使用椭偏仪,因此可适用于一般的生产及科研工作.它与单层介质膜的椭偏法相比,这种方法需要改变一次入射角,所得公式也与单层情况显然不同.文中讨论了这种测量方法的物理原理,所得公式在一级近似条件下可以将公式直接推广,以适用于更多层的透明介质膜,为了提高测试的精确性,我们又进一步对一级近似作了修正.根据修正后的公式,我们用电子计算机取得了一套数据.凡折射率在1.2—2.2范围内的双层膜都可使用,操作也较为方便.这套数据中,当入射角为70°双层介质的折射率相等时,所得(φ,△)—(n,δ)关系与单层膜所得结果完全符合.这不仅理论上验证了公式,也核对了电子计算机的处理过程.另外,我们又直接测量了硅衬底上的Al_2O_3—SiO_2—Si结构的双层复合膜,分别确定的Al_2O_3,SiO_2的折射率和厚度,与用陪片间接测试结果一致.进一步检验了公式与数据的正确性.     

Si—(SiO_2)—Al_2O_3结构的电子束辐照效应

一、引言在半导体技术中,单层Al_2O_3膜及Al_2O_3—SiO_2结构的双层复合膜早已引起了人们的重视.MAS及MAOS器件中用Al_2O_3及Al_2O_3—SiO_2作为绝缘栅,具有较高的稳定性和可靠性。Al_2O_3膜对钠离子有阻挡作用,又有一定的抗腐蚀能力,这些特点使它用作钝化膜也越来越普遍,特别是因为Al_2O_3的抗辐射性能良好,研究Al_2O_3—Si及Al_2O_3—SiO_2—Si结构的辐射效应,直接关系着电子器件在原子能技术中的应用,随着原子能技术的发展及广泛应用,这类课题日益为人们所关切。     

多晶硅薄膜太阳电池电子辐照研究

利用静电加速器对多晶硅薄膜太阳电池进行了电子辐照实验。电子能量为1MeV,分别以1014e/cm2、1015e/cm2和1016e/cm2电子辐照注量进行辐照,首次获得了多晶硅薄膜太阳电池在高注量的电子辐照后,性能衰降比晶体硅大的结果。结合太阳电池理论和半导体材料的电子辐照效应给出了合理的解释。     

电子辐照CuZnAl形状记忆合金马氏体稳定化的研究

用能量 1.7MeV不同注量的电子辐照CuZnAl形状记忆合金样品 ,通过循环水冷的方法 ,将辐照控制在马氏体相进行 .实验结果表明 ,样品被辐照处理后 ,其马氏体相变温度和相变滞后 ,以及相变特征温度T0 都随辐照注量的增大而升高 ;当辐照注量在 6 .30× 10 2 0 m- 2 ～ 1.89×10 2 1m- 2 时 ,其相变温度变化渐趋平缓 .作者认为 ,这是由于电子辐照产生的点缺陷造成了马氏体相点阵畸变 ,从而诱生了马氏体稳定化     

用于制备YAG透明陶瓷激光材料超细粉体的合成及其表征研究

作者以硝酸钇和硫酸铝铵（摩尔比为3：5）为原料，碳酸氢铵为沉淀剂，利用无机体系共沉淀法制备了钇铝石榴石Y3Al5O12(YAG)前驱体。对前驱体进行适当处理并采用高温热解法,制备出了纯相的YAG超细粉体。用XRD分别分析了不同焙烧温度下所得粉体物相、用TG／DTA分析前驱体在加热过程中的重量变化和晶化的温度，用TEM观察所得YAG超细粉体的形貌。结果表明，和其它无机体系相比，可在较低焙烧温度（900℃）下直接得到YAG纯相，而且粉体颗粒细小均匀，呈椭球形，尺寸为30－40nm。     

快中子核次临界的多群蒙特卡罗计算

给出了用多群蒙特卡罗方法计算核裂变系统有效增殖因子、中子通量能谱和啊子泄漏谱等的方法,对球快中子核裂变系统进行了多群蒙特卡罗次临界计算。以连续光滑曲线的形式给出了中子通量能谱和泄漏谱,谱图清晰地显示了符合中子输运规律的精细情况。     

Al_2O_3膜钝化晶体管的快中子辐照效应

由于Al_2O_3钝化膜具有密度大,对Na~ 离子的阻挡能力强,介电常数约为SiO_2的二倍等优点,因此,我们采用直流反应溅射法对3CK和3CG型小功率管进行了Al_2O_3膜的钝化处理,将钝化了的和未钝化的晶体管进行高能电子,快中子辐照.电子辐照结果表明:钝化晶体管比未钝化晶体管抗辐射能力提高了近半个数量级.     

硅—三氧化二铝界面的辐射效应

本文研究了电子束辐照下的Si—Al_2O_3结构的辐射效应,测试了不同能量、不同剂量及剂量率的电子辐照前后的C—V特性。实验结果说明:电子辐射使MAS结构的氧化层产生负电荷,在Si—Al_2O_3界面形成快界面态。我们认为引起这种变化的主要原因是由于电子的轰击引起了位移效应、电离效应所致,同时也引起了界面附近硅中杂质浓度的再分布.