Si—(SiO_2)—Al_2O_3结构的电子束辐照效应

一、引言在半导体技术中,单层Al_2O_3膜及Al_2O_3—SiO_2结构的双层复合膜早已引起了人们的重视.MAS及MAOS器件中用Al_2O_3及Al_2O_3—SiO_2作为绝缘栅,具有较高的稳定性和可靠性。Al_2O_3膜对钠离子有阻挡作用,又有一定的抗腐蚀能力,这些特点使它用作钝化膜也越来越普遍,特别是因为Al_2O_3的抗辐射性能良好,研究Al_2O_3—Si及Al_2O_3—SiO_2—Si结构的辐射效应,直接关系着电子器件在原子能技术中的应用,随着原子能技术的发展及广泛应用,这类课题日益为人们所关切。     

硅—三氧化二铝界面的辐射效应

本文研究了电子束辐照下的Si—Al_2O_3结构的辐射效应,测试了不同能量、不同剂量及剂量率的电子辐照前后的C—V特性。实验结果说明:电子辐射使MAS结构的氧化层产生负电荷,在Si—Al_2O_3界面形成快界面态。我们认为引起这种变化的主要原因是由于电子的轰击引起了位移效应、电离效应所致,同时也引起了界面附近硅中杂质浓度的再分布.     

利用电子辐照退火法筛选抗辐射晶体管的研究

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电磁锁延时开启法门联锁装置的研究

电磁锁延时开启法门联锁装置的研究林茂清（原子核科学技术研究所）辐射加工技术在我国发展很快并已经产业化．电子静电加速器用于辐射加工时，人员必须频繁进入辐照厅．因此，安全防护是加速器运行中一个十分重要的问题．我们根据Ｊ２型电子静电加速器的运行情况和运行...     

丁腈橡胶的辐射硫化研究

简要介绍了丁腈橡胶的辐射硫化试验,与传统热硫化法相比,辐射硫化法可达到提高橡胶产品综合机械性能的目的。