用DLTS和ODLTS技术研究ZnSe晶体中与Ga有关的深能级

本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能级的起源进行了讨论.     

高分辨率FFT-DLTS测试系统

相对地传统深能级瞬态谱（DLTS）方法,快速傅立叶变换深能级瞬态谱（FFT－DLTS）方法具有灵敏度高,分辨率高等特点,但是由于用FFT0DLTS方法在处理多能级DLTS系统时存在着系统误差从而限制了该方法的应用,论证了该误差产生的原因并提出用迭代法来解多能级的傅立叶系数谱的方法,有效地解决了传统FFT－DLTS方法所存在的问题,且能级分辨率又有显著的提高。     

BSF硅太阳电池重离子辐照的深能级瞬态谱

对ＢＳＦ硅太阳电池受碳,氧离子辐照前后的深能级瞬态谱进行了研究,结果表明碳,氧离子在硅太阳电池中引入的缺限能级非常相似,都观察到了Ｅ１,Ｅ２,Ｅ３,Ｈ１,Ｈ２５个峰,其中氧离子注量超过４×１０＾１２ｃｍ＾－２时,Ｅ２能级消失,根据能级的性质初步推断了这些能级所对应的缺陷类型。     

掺杂石墨背接触层CdS/CdTe太阳电池的深能级瞬态谱

深能级中心能显著影响太阳电池性能.制作了以掺杂石墨为背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池,用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心.共发现了6个深中心,确定了其中两个深中心的能级位置,分别是位于EC-0.223 eV的 E3和位于EV＋0.077 eV的H3.它们主要来源于Cd与Te的空位和间隙离子、O和Cl离子以及它们相互作用形成的复合体等.     

砷化镓P^＋Pnn^＋结构缓冲层的深能级分析

用低品位廉价砷化镓衬底制备了具有P~ Pnn~ 结构的Al_xGa_(l-x)As/GaAs太阳电池,对一组具有P型层桔构参数相同、n型缓冲层厚度不同的样品作了细致地深能级瞬态谱(DLTS)的测量分析.结果表明缓冲层的生长厚度大于6μm后,才可有效地阻挡来自衬底的不良影响,使深能级缺陷密度降至符合制备高效太阳电池的要求.     

用深能级瞬态谱技术研究MOS结构界面态的分布

本文简述了深能级瞬态谱技术测量界面态分布的基本原理。在大量实验基础上给出典型MOS结构界面态分布的测试曲线与数据,对实验结果进行了有价值的分析。     

Si夹层对GaAs/AlAs异质结的影响

用MBE生长了GaAs/Si/AlAs异质结及其对比样,通过深能级瞬态谱技术(DLTS)和X射线光电子谱测量(XPS)研究了Si夹层的引入对异质结的影响,研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷,异质结仍保持较好的质量,但使GaAs/AlAs的带阶发生了改变。     

Hg_（1－x）Cd_xTe近红外光伏探测器的深能级

用深能级瞬态谱及光电容谱方法，研究了１．５５μｍ近红外波段的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光伏探测器的深能级缺陷．结果表明，探测器中存在位于禁带中央附近的两个施主深能级．它们可能来源于ＨｇＣｄＴｅ材料中的本征缺陷，例如Ｈｇ间隙缺陷Ｈｇ１及Ｔｅ反位缺陷ＴｅＨｇ．     

γ辐照对GaP发光二极管深能级和亮度的影响

首次应用深能级瞬态谱(DLTS)技术，研究了γ射线辐照Gap红色发光二级管深能和亮度的影响。结果表明，γ射线辐照射后，Gap红色发光二级管中的Zn-O对的浓度增大，亮度也提高。     

Hg1—xCdxTe近红外光伏探测器的深能级

用深能级瞬态谱及光电容谱方法，研究了１．５５μｍ近红外波段的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光伏探测器的深能级缺陷。结果表明，探测器中存在于禁带中央附近的两个施主深级。它们可能来源于ＨｇＣｄＴｅ材料中的本征缺陷，例如Ｈｇ间隙Ｈｇ１及Ｔｅ反位缺陷ＴｅＨｇ。     

La_(1.6-x)Nd_(0.4)Sr_xCuO_4超导体的正电子实验研究

用正电子寿命谱研究了La1.6-xNd0.4SrxCuO4(x=0.12,0.15,0.20)和La1.88Sr0.12CuO4,结果表明随着Sr掺杂量的增加,空穴载流子增加,而正电子寿命却减小,分析认为可能是正电子密度分布权重由CuO2面向Nd替代后的La(Nd,Sr)-O层转移的结果.并分析了体系的电子密度ne随Sr掺杂量的变化关系,表明随着Sr掺杂量的增加ne逐渐增大.但对同样Sr含量的La1.88Sr0.12CuO4和La1.48Nd0.4Sr0.12CuO4其ne基本相同,体现出Nd替代La对样品的载流子数目没有明显影响.     

Defect properties of GaAs by positron annihilation

Positron lifetime and Doppler Broadening spectra have been measured for three types of GaAs semiconductors. Direct evidence of native vacancy-type defects is found in the semi-insulating (SI-type) and n-type sample as its average lifetime {ie45-1} andS-parameter are larger than the bulk value. No positron trapping occurred in p-type GaAs. The lifetime spectrum of n-GaAs has also been measured as a function of temperature. The increase in average lifetime {ie45-2} from 226 ps to 234 ps at the temperature range 95–330 K was observed and was explained by the ionization of the vacancy. The slight increase in bulk lifetime {ie45-3} with the temperature was caused by the lattice expansion and expansion coefficient α=14×10⁻⁶K⁻¹ was evaluated. Chen Zhiquan: born in May 1969, Ph.D. graduate student. Current research interest is in positron annihilation. Supported by the National Natural Science Foundation of China     

不同煅烧条件下合成β-C_2S的正电子湮没和水化研究

采用正电子湮没技术研究了不同煅烧条件下合成的β-C_S正电子寿命谱,按照正电子捕获理论,对实验所得寿命谱参数与β-C_S微观结构缺陷的关系进行了分析和讨论。此外,还就β-C_S的烧成条件、缺陷浓度和水化活性的关系进行了研究和讨论。     

高分子材料的正电子辐照效应

正电子辐照效应是国内外刚刚开始研究的新课题．它的研究直接关系到应用正电子探测高聚物自由体积特性参数的准确度．本文介绍了目前我国在这一研究课题上的现状。     

测量具有较长寿命的任意样品的寿命谱确定正电子湮没谱仪分辨函数的方法研究

本文在研究高斯拟合６０Ｃｏ分辨程序物理的基础上，进一步阐明通过测量具有较长 寿命的任意样品的寿命谱，确定正电子湮没谱仪分辨函数的方法．     

电子偶素与正电子-电子对的湮灭

探讨正电子偶素的物理性质以及正电子-电子对的湮灭方式。     

La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3化合物铁掺杂效应的正电子寿命谱研究

采用固相反应方法制备了La0.67Ca0.33Mn1-xFexO3(0 x 0.2)的一系列样品.分别用X射线衍射、正电子湮没技术对样品进行了检测,结果表明:在整个掺杂范围内样品单相性很好,随着掺杂量的增加,样品中铁磁与反铁磁团簇的相互竞争和由于电子局域化而引起的极化导致了正电子寿命的变化.     

铅掺杂Bi系超导体正电子寿命研究

在室温下测量了Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２－ｘＭｇｘＯ８＋δ超导体的正电子寿命，发现正电子体寿命τｂ随着Ｐｂ含量ｘ的增加而减小；测量了转变温度Ｔｃ结果表明，Ｍｇ替换不影响电子结构，Ｐｂ替换使电子从Ｃｕ－Ｏ面迁移到Ｂｉ－Ｏ层，并导致ＣＵ－Ｏ面空穴浓度增加，转变温度Ｔｃ减小．     

ZnO压敏陶瓷热处理实验的研究

ＺｎＯ压敏陶瓷在工作电压长期作用下，会产生电流蠕变现象，使Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒不稳定．用正电子湮没技术（ＰＡＴ）证实：ＺｎＯ在适当温度下的氧化热处理，使氧离子Ｏ－或Ｏ２－吸附于晶界层内并有利于提高ＺｎＯ性能稳定性