静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系

为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验.注入电压为1.50 kV.注入管脚为器件对ESD最敏感的端对.器件分组注入不同次数的ESD后,将注入和未注入过ESD的器件同时进行加速寿命实验.通过比较各组器件损伤率的大小来反映器件使用寿命的变化.经统计分析与计算发现:开始时,随放电次数的增加,器件出现潜在性失效的概率增大,当概率达到一定极限值后,又会随放电次数的增大而减小,说明ESD的注入不仅可能在部分硅器件内部造成潜在性失效,也可能提高另外一部分器件的可靠性.     

静电放电作用下双极型硅半导体晶体管仿真分析

为了研究静电放电对双极型硅晶体管的损伤机理,针对典型的NPN结构的双极型晶体管,运用Medici仿真软件建立了器件的仿真模型。从器件内部电流、电势、电场强度和电流密度分布变化的分析出发,研究了在静电放电电磁脉冲作用下其内在损伤过程与机理。通过仿真分析,一方面验证了该类器件对ESD最敏感的端对为CB结,而不是EB结。另一方面发现ESD对该类器件的损伤主要是过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。但两者机理有所不同：对于高掺杂的发射结反偏时先是发生了齐纳击穿,而后发生雪崩击穿,属于软击穿;而低掺杂的集电结反偏时只是发生了雪崩击穿,属于硬击穿。     

单片微控制器系统的静电放电敏感性研究

分别以2种常用的微控制器芯片80C196和AT89C51为核心设计的2种单片微控制器系统做为目标测试板,利用静电放电电磁脉冲分别对这2种系统进行静电放电效应实验研究,并对其失效机理进行分析.实验结果表明, 80C196单片微控制器系统对静电放电比89C51单片微控制器系统敏感,单片机系统在静电放电电磁脉冲作用下出现死机、跳转、重启动、RAM内容改写等功能失效现象.     

静电放电电磁脉冲对微电子器件的双重作用

研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效,采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加不同电压的ESD应力.结果表明:高电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤主要是不可恢复的损伤,而低电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤是可恢复的损伤;ESD的注入对器件有双重作用:一方面ESD在器件中可引入潜在性损伤,另一方面ESD对器件有加固作用,并且注入ESD电压越高,这些作用越明显.     

集成电路静电放电电压与注入能量的相关性研究

为了研究静电放电注入时损伤电压与损伤能量之间的关系,本文进行静电放电电压与注入的平均峰值能量之间的对应关系研究.实验采用静电放电模拟器在人体模型下对几种集成电路器件进行注入放电,通过Agilent inifniium示波器记录并计算得到静电放电注入时相应的能量波形,取五次能量峰值的平均值记为该电压下注入的峰值能量,采用曲线拟合的方法,得到注入的静电电压与平均峰值能量之间的关系表达式.     

静电放电对2SC3356造成的潜在性失效的实验模拟

研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效.采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加了一系列低电压的ESD应力,结果表明:低于损伤阈值的ESD应力可以使微电子器件产生潜在性损伤,从而影响器件的使用寿命.     

ESD对微波半导体器件损伤的物理机理分析

为了得到电磁脉冲对微波半导体器件的损伤规律,进而研究器件的静电放电损伤机理,首先对半导体器件静电放电的失效模式即明显失效和潜在性失效进行了介绍;其次分析了器件ESD损伤模型;最后通过对器件烧毁的物理机理进行分析,得到器件在静电放电应力下内在损伤原因。在ESD电磁脉冲作用下,器件会产生击穿效应,使内部电流密度、电场强度增大,导致温度升高,最终造成微波半导体器件的烧毁。     

射频功率放大芯片的静电测试失效研究

以射频功率放大芯片为研究对象,分别进行了基于人体静电释放模式以及机器静电释放模式的静电放电测试。实验结果表明芯片对两种放电模式的耐压分别为+1750 V和+150 V,且均优先造成射频信号收发引脚端失效。这种失效机制与射频芯片的输入输出端功率耦合电阻承受的大电流密度有关。     

低电压ESD对2SC3356造成的事件相关潜在性失效

研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的事件相关潜在性失效.从CB管脚对微波低噪声NPN晶体管2SC3356施加低电压人体模型(HBM)的ESD应力,发现,随着ESD应力次数的增加,器件的放大特性hFE逐渐退化,并且当电压达到一定水平,多次的ESD可以使器件失效.研究表明,低电压的ESD对器件造成的损伤具有潜在性和积累性.     

移动终端的静电损伤及其防护技术研究

为了有效地改善移动终端的防静电性能,分析了静电放电产生的传导干扰和辐射干扰对移动终端的损伤.采用静电发生器及相关辅助设备对20部手机进行了静电放电实验,实验结果证明了辐射干扰和传导干扰是静电对移动终端的主要损伤途径.针对移动终端的静电损伤方式提出了移动终端的静电防护措施:改进壳体结构、增加静电屏蔽层、设计接地通道、设计保护电路,再次进行静电放电实验,实验结果表明,所采用的静电防护措施对移动终端的防静电特性有很大的改善.     

内镜黏膜下剥离术治疗早期食管癌及食管癌前病变

研究内镜黏膜下剥离术（ESD）治疗早期食管癌及食管癌前病变的治疗价值。对25例早期食管癌及食管癌前病变在确定病变范围及浸润深度后行黏膜下剥离术。先超声内镜判断浸润深度及利用Lugol液染色确定病灶范围,后采用术中标记、粘膜下注射、边缘粘膜切开、剥离及创面处理等方法。结果显示,病灶完整切除,术中无穿孔、出血;术后3、6、12月常规随访,均无复发。1例术后3个月出现食管狭窄,给予扩张后狭窄缓解。结果表明,对早期食管癌及食管癌前病变,内镜黏膜下剥离术是一种安全的内镜下治疗方法。     

油田自动化ESD系统及其应用

论述了油田自动化紧急关断系统(ESD)是油田自动化系统的一个重要组成部分,它可以避免和限制由于生产工艺故障或其它一些事故对工艺设备、生产系统、操作人员及环境的损害,保证生产系统能够在安全的条件下运行;介绍了油田自动化ESD系统的基本组成、国内外机构对ESD系统设计的一些标准和准则;针对油田自动化ESD系统的设计、选型提出了基本要求;给出了ESD系统在油田应用的实例。     

不同类型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应损伤机制

文章研究了双极晶体管不同温度的低剂量率辐射损伤增强效应，发现NPN晶体管与PNP晶体管的低剂量率辐射损伤机翻是不相同的．最后文章讨论了其中可能的内在机制。     

空气式静电放电规律研究和理论建模

空气静电放电(ESD)是一种复杂的气体放电过程并受到很多因素的影响,其中放电电压的大小、极性、电极接近速度和环境湿度都是影响放电的主要因素.利用本课题研制的新型静电放电实验装置,在不同的放电电压、不同极性、不同电极接近速度和不同环境湿度条件下研究了空气ESD的放电特性,重点分析了放电电流峰值与这些因素的关系.建立了能够估算放电参数和被试设备接收的耦合电压之间定量关系的数学模型,可为ESD抗扰度实验的定量分析提供参考.     

减小无刷直流电机转矩脉动的PWM新方式

在分析无刷直流电机两两导通双极性脉宽调制(PWM)方式的基础上,提出一种改进的双极性PWM无刷直流电机(BLDCM)控制方式,该方式采用4个功率管同时进行PWM控制,其中同一桥臂上下两个功率管处于互补导通模式.分析了该PWM方式对无刷直流电机续流过程及电磁转矩的影响,与传统的双极性PWM方式相比,采用该双极性PWM方式可以减小转矩脉动,低速时平稳性好,并且适用于快速启、制动和频繁正反转场合.仿真和实验结果表明该双极性PWM方式能够显著改善无刷直流电机的转矩脉动问题.     

硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析

具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管，其能带结构类似于真实异质结双极晶体管的能带结构。本文研究了硅赝质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系。并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。     

对耦合板间接静电放电辐射场的数值分析

静电放电(ESD)抗扰度实验是电磁兼容(EMC)实验和测试技术的一项非常重要的实验之一,主要用于测试电子器件及设备的电磁敏感度.目前该标准规定了2种放电方式:直接放电和间接放电.其中间接放电模拟的是带电操作人员对受试器件放电的情形,这在实际生活中经常发生.本文基于IEC61000-4-2中规定的抗扰度实验平台,采用时域有限差分法(FDTD),结合脉冲函数形式的放电电流波形表达式,在对垂直耦合板实施间接放电情形下,对其附近空间的瞬态辐射场作了数值分析与计算.     

混凝助凝强化ZTI重金属捕集法对烧结脱硫废水中铊的去除研究

摘要:采用自主研制的改良二硫代氨基甲酸盐类重金属捕集剂（ZTI重捕剂）,考察了单独投加、混凝/氧化/吸附强化、混凝助凝强化条件下ZTI重捕剂对烧结脱硫废水中除铊（Tl）的小试和混凝助凝强化条件下ZTI重捕剂对烧结脱硫废水中除Tl的中试处理效果. 结果表明,ZTI重捕剂对Tl有明显的去除效果,且在中性条件下对Tl的去除效率更好,效果明显优于市面上普通DTC类重捕剂和十二烷基苯磺酸钠;辅以混凝/氧化/吸附强化的ZTI重捕剂可进一步提高对烧结脱硫废水中Tl的去除效率,其中,辅以混凝强化的效果最好,但出水Tl质量浓度仍高于2 g/L,不能达到广东省地方标准《工业废水铊污染物排放标准》（DB 44/1989-2017）第二时段排放标准要求. 采用混凝助凝强化ZTI重金属捕集法可使出水Tl质量浓度稳定低于2 g/L,且经中试实验放大后出水仍然能稳定达标.