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射频功率放大芯片的静电测试失效研究
引用本文:郭祥,范春帅,赵雪,王继红,杨晨,王一.射频功率放大芯片的静电测试失效研究[J].贵州科学,2020,38(1):91-93.
作者姓名:郭祥  范春帅  赵雪  王继红  杨晨  王一
作者单位:贵州大学大数据与信息工程学院,贵州贵阳550025,贵州航天计量测试技术研究所,贵州贵阳550025,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州贵阳550025,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州贵阳550025,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州贵阳550025,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州贵阳550025
基金项目:贵州省科技计划项目;开放基金项目;贵州大学引进人才科研项目
摘    要:以射频功率放大芯片为研究对象,分别进行了基于人体静电释放模式以及机器静电释放模式的静电放电测试。实验结果表明芯片对两种放电模式的耐压分别为+1750 V和+150 V,且均优先造成射频信号收发引脚端失效。这种失效机制与射频芯片的输入输出端功率耦合电阻承受的大电流密度有关。

关 键 词:静电放电  失效  射频

Study on electrostatic test failure of radio frequency power amplifier chips
GUO Xiang,FAN Chunshuai,ZHAO Xue,WANG Jihong,YANG Chen,WANG Yi.Study on electrostatic test failure of radio frequency power amplifier chips[J].Guizhou Science,2020,38(1):91-93.
Authors:GUO Xiang  FAN Chunshuai  ZHAO Xue  WANG Jihong  YANG Chen  WANG Yi
Abstract:
Keywords:
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