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中美两国ESD失效分析研究现状及比较 总被引：1，自引：0，他引：1
随着微电子技术的迅猛发展和半导体器件尺寸的大幅度缩小,ESD失效分析已经成为微电子器件可靠性领域中的研究热点之一.概述了作为西方发达国家的典型代表美国由于ESD所造成的危害十分严重,因此美国学者对微电子器件的ESD失效分析进行了广泛研究.介绍了美国在该领域所取得的研究成果及进展状况并与我国学者所做的研究作了比较.美国在这领域所取得的新成果、新技术、研究所采用的新方法等等对我国的科学工作者是很有借鉴意义的. 相似文献
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对耦合板间接静电放电辐射场的数值分析 总被引：1，自引：0，他引：1
静电放电(ESD)抗扰度实验是电磁兼容(EMC)实验和测试技术的一项非常重要的实验之一,主要用于测试电子器件及设备的电磁敏感度.目前该标准规定了2种放电方式:直接放电和间接放电.其中间接放电模拟的是带电操作人员对受试器件放电的情形,这在实际生活中经常发生.本文基于IEC61000-4-2中规定的抗扰度实验平台,采用时域有限差分法(FDTD),结合脉冲函数形式的放电电流波形表达式,在对垂直耦合板实施间接放电情形下,对其附近空间的瞬态辐射场作了数值分析与计算. 相似文献
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