射频等离子退火

本文介绍了MOS、MNOS电容器和双极型晶体管进行射频等离子退火的实验结果。用这种退火技术可以明显地降低各种MIS结构中的固定电荷和界面陷阱。可使双极型晶体管的小电流放大系数(h_(FE))提高一个数量级以上。它也能去掉辐射损伤,使被幅射损伤的器件特性得到恢复。这种退火方法使用了与传统的热退火完全不同的概念,在许多应用方面比热退火优越。     

低剂量率γ射线辐照对斑马鱼胚胎脑部发育形态学的影响

为研究低剂量率γ射线辐照对斑马鱼胚胎脑部发育形态学的影响,采用~(137)Cs作为γ辐射源对受精后2 h(2hpf)的斑马鱼胚胎进行不同剂量率的照射(剂量率为250、313、417μGy/h,累计剂量为30 m Gy),分析了不同剂量率下γ射线辐照对斑马鱼脑部细胞凋亡及其脑部发育形态、脑部细胞超微结构的影响。结果表明:在三个剂量率组中,只有250μGy/h剂量率组斑马鱼脑部细胞凋亡增加;各个剂量率组脑部组织均出现了空泡,部分脑部细胞变形,脑部细胞之间的界限变得模糊; 250和313μGy/h剂量率组脑部细胞细胞核发生变形,线粒体结构损伤,细胞质中出现了空泡。     

激光损伤硅片背面对微缺陷的吸除效果

本文研究了cwCO_2激光器照射硅片背面产生辐射损伤对微缺陷的吸收效果:对MOS界面特性的影响,对表层少子寿命的影响,对PN结漏电流、晶体管电流放大系数h和击穿电压BV_(ce0)的影响:对集成电路成品率的影响。结果表明,这种方法能有效地吸除金属杂质和微缺陷,能显著提高少子寿命、改善Si/SiO_2的界面特性、降低PN结的漏电流、提高击穿电压和晶体管小电流放大系数,使KD45的成品率提高50％,     

约翰·巴丁对点接触晶体管发明的贡献

文章从少数载流子注入、点接触晶体管发明、晶体振荡器和放大器电路、点接触晶体管的重要性方面阐述了约翰·巴丁对发明第一只半导体晶体管的重要贡献.     

浅谈晶体管电路在继电保护中的应用

文章论述了晶体管电路在继电保护中的应用,分析了晶体管电路在现代电力系统中应用的优势及其发展趋势。     

基于示波器的晶体管特性曲线测试电路的研究——HYDZ-1电路原理与调试

在晶体管HI-FI功放制作、学校学生晶体管实验中,需要晶体管特性图示仪进行晶体管配对、特性曲线观察,但晶体管特性图示仪价格昂贵.文章中介绍的晶体管特性曲线测试电路,配合普通示波器,可替代晶体管特性图示仪完成这一任务,观测效果良好.     

再谈晶体管收音机调试及应注意的问题

文章阐述了晶体管收音机正确调试方法步骤及注意事项，并结合典型机型，引导分析了各级直流回路及晶体管各极电流之间的关系。     

CMOS图像传感器辐射损伤研究

考虑γ射线辐射场对视频监控系统中CMOS图像传感器的辐照失效损伤,通过机理分析与辐照实验,研究图像传感器的辐射损伤效应以及对其性能参数的影响.设计辐照实验,选用同种工艺不同厂商生产的几类CMOS图像传感器,研究γ射线对CMOS图像传感器的损伤效应.实验结果表明,γ射线总剂量效应导致暗电流增大,从而使像素灰度值增大;γ射线瞬态电离效应在CMOS图像传感器像素阵列中形成雪花状的随机正向脉冲颗粒噪声,噪点的数量与剂量率相关;彩色图像受到入射γ光子的干扰相较于暗图像较弱;并且当累积剂量低于88.4Gy,剂量率低于58.3Gy/h时,不会产生坏点;光照充足时γ射线电离辐射对传感器分辨率、色度及暗电流的影响并不明显.     

近距放射治疗源空气比释动能的绝对测量方法

近距离治疗放射源剂量学计量基准在我国还是空白。说明了根据迅速发展的近距离放射治疗技术,建立该计量基准的重要性。描述了可行的计量基准方法——用于低剂量率放射源（如125I、103Pd、131Cs等）的宽角自由空气电离室和用于高剂量率放射源（如192Ir）的石墨空腔电离室。     

等平面和金属剥离工艺在仰电容高可靠晶体管生产中的应用

本文描述了一种等平面工艺和金属剥离技术在低电容、高可靠晶体管生产中的实际应用，通过采用这两种工艺，不仅使得晶体管输出电容减小１４％，也使可靠性明显提高，从而满足了微波电路使用的特殊要求。     

石墨烯场效应晶体管电子识别葡萄糖

以铜箔为衬底,采用化学气相沉积的方法制备大面积单层石墨烯薄膜并制备相应的石墨烯场效应晶体管,过氧化氢电子识别研究表明,石墨烯场效应晶体管的电性能对由过氧化氢产生的外来干扰非常灵敏。利用末端带有吡啶环功能基团的葡萄糖氧化酶对石墨烯场效应晶体管进行表面改性后,葡萄糖电子识别结果表明其器件对葡萄糖有非常灵敏的电子识别性能,其检测下限小于0.1 mM,且具有生物传感器响应快、稳定性好的特点。     

田间条件下UV-B辐射增强对大豆叶片相关反射光谱指标的影响

本实验在室外大田条件下,模拟紫外线-B(UV-B)辐射增强条件,研究了两种不同辐射剂量对花期大豆叶片相关反射光谱指标的影响。结果发现,两种剂量的UV-B辐射处理导致叶绿素相对含量、光化学植被指数(PRI)和叶片相对水含量均显著降低,但未见剂量效应;导致花青素相对含量显著升高,且存在剂量效应;高剂量的UV-B处理导致类胡萝卜素相对含量显著升高,而低剂量UV-B处理下未见显著影响;对植物衰老反射指数(PSRI)则均无显著影响。实验表明不同剂量的UV-B辐射能诱导紫外防护色素花青素含量和类胡萝卜素含量增加,但均显著抑制了大豆叶片的叶绿素相对含量、PRI和叶片含水量,最终使得光合作用受到抑制。     

硅低温双极型晶体管电流增益的分析

从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法,结论如下:电流增益由发射效率决定时,具有正温度系数,且随温度下降而下降,下降程度随工作电流的减小而增强.发射区采用轻掺杂技术以减小禁带变窄量,并考虑载流子冻析效应,可获得适于低温工作的硅双极晶体管.     

一种低电压、低功耗CMOS基准电压源的设计

本文设计了一种低电压、低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压源。该电路基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比。SPICE仿真显示,在1V的电源电压下,输出基准电压为609mV,温度系数为72ppm/℃,静态工作电流仅为1.23μA。在1-5V的电源电压变化范围内,电压灵敏度为130μV/V,低频电源电压抑制比为74dB。该电路为全CMOS电路,不需要用到寄生PNP三极管,具有良好的CMOS工艺兼容性。     

CMOS零中频接收机片上系统直流偏差的消除

针对CMOS直接下变频接收机片上系统,提出了采用系统优化设计与数字校正的综合方法来解决系统中的直流偏差问题.通过降低混频器开关级晶体管的偏置电流和片上系统技术的优化设计,将由器件不匹配和本振自混频造成的直流偏差控制在数字校正可以解决的范围内,在低功耗的前提下,通过数字校正的方法就可以进一步将直流偏差控制在系统允许的范围内.测试结果表明该方法有效.     

退火温度对ZnO薄膜晶体管电特性的影响

针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO -TFT电特性的影响.结果表明:ZnO- TFT的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大,700℃退火的样品迁移...     

低能N~+注入蒙古黄芪种子的生物学效应

以蒙古黄芪种子为材料,研究了不同剂量的N+注入对蒙古黄芪种子发芽势、发芽率、成苗率和幼苗叶片中叶绿素含量、过氧化物酶(POD)、过氧化氢酶(CAT)、超氧化物歧化酶(SOD)活性、丙二醛含量的影响.结果表明:随着N+注入剂量的增加发芽势和发芽率的变化趋势为先降低后升高再降低,表现为"马鞍型"曲线,成苗率在低剂量时与发芽率相接近,在高剂量时成苗率明显降低.对叶片叶绿素含量以及过氧化物酶(POD)、过氧化氢酶(CAT)、超氧化物歧化酶(SOD)的活性,在低剂量上表现为激活效应,高剂量上表现为抑制效应;丙二醛含量在低剂量时明显低于对照,高剂量时含量升高,因此低剂量的N+注入蒙古黄芪种子能够提高幼苗的抗逆性,能够为育种提供一种有效的诱变方法.     

中药复方宫炎净的乙醇提取物抗炎作用研究

为探讨中药复方宫炎净乙醇提取物的抗炎作用,并筛选抗炎作用最好的乙醇提取物剂量。将实验小鼠分为生理盐水组、地塞米松组以及高、中、低剂量中药复方宫炎净乙醇提取物组,同时建立二甲苯所致耳廓肿胀、蛋清所致足趾肿胀、棉球所致肉芽肿小鼠炎症模型,通过测定小鼠耳廓肿胀率、足趾肿胀率以及棉球所致肉芽组织重来判定乙醇提取物的抗炎效果。结果表明：中剂量乙醇提取物能够显著抑制二甲苯所致小鼠耳廓肿胀率,并显著低于高、低剂量乙醇提取物组（P〈0．05）,与地塞米松组差异不显著（P〉0．05）;各组均能明显降低蛋清所致小鼠足趾肿胀率,其中中剂量乙醇提取物组显著低于高、低剂量乙醇提取物组（P〈0．05）,极显著低于生理盐水组（P〈0．01）,与地塞米松组差异不显著（P〉0．05）;中剂量乙醇提取物能明显抑制棉球所致小鼠肉芽组织增生,并显著低于高、低剂量乙醇提取物组（P％0．05）,极显著低于生理盐水组（P〈0．01）,与地塞米松组差异不显著（P〉0．05）。结果显示,中药复方宫炎净的中剂量乙醇提取物抗炎效果最好。     

睾酮对大鼠再生肝细胞转录活性的影响

以血清睾酮(testosterone,T)和核仁组织区相关嗜银蛋白(argyrophil nucleolar organiting regions,AgNORs)为指标,探讨去睾丸大鼠部分肝切除(partial hepatectomy,PH)后,外源注射睾酮对其血清睾酮水平及再生肝细胞DNA转录活性的影响.结果显示:外源睾酮可使大鼠血清睾酮水平显著升高,呈明显剂量-时间效应.除低剂量睾酮(0.5mg/kg体重)处理外,其它各组再生肝细胞AgNORs颗粒数在PH后24h均明显下降,PH后24～72h又持续升高.PH后各时期,低剂量睾酮使AgNORs数目显著高于芝麻油组;而中、高剂量睾酮(2.5mg/kg和5mg/kg体重)使AgNORs数目减少,并呈现明显剂量-效应关系.结果表明:低剂量睾酮对肝细胞的转录活性起促进作用;中、高剂量则起抑制作用,且随着睾酮浓度升高,抑制作用增强.     

四轮轮毂电机电动汽车固定横摆角速度增益控制研究

基于四轮轮毂电机电动汽车,对固定横摆角速度增益控制问题进行了研究。首先在Car Sim中建立线控转向汽车模型,应用Isight软件对固定横摆角速度增益进行优化设计。根据四轮轮毂电机电动汽车四轮驱/制动力矩独立可控的优势,基于模糊PI控制理论设计了附加横摆力矩决策控制器。采用驱/制动力规则分配方法对四轮驱/制动力进行合理分配;并通过Car Sim与Simulink联合仿真,选取中低车速变车速蛇形试验工况和高速双移线工况对控制方法进行了验证。结果表明:控制后汽车能够很好地跟踪期望横摆角速度,减轻驾驶员转向负担,有效地提高了汽车低速转向灵敏性、高速转向操纵稳定性和转向行驶舒适性。