贝尔实验室半导体器件的研制

叙述了贝尔实验室有关半导体器件的研制工作，主要论述了早期半导体器件的开发，点接触晶体管和结型晶体管，场效应晶体管（ＦＥＴ），发光二极管（ＬＥＤｓ），里德二极管（ＩＭＰＡＴＴ），以及光生伏打电池等     

晶体三极管噪声振幅分布的测量

本文中描述用振幅峰值的方法,测量面接触型晶体管OC70,OC71和点接触型晶体管2N32A内窄频带低频率噪声的振幅分布。测量结果证明窄频带晶体三极管噪声的振幅分布,和遵守正态律的振幅分布相符合。     

晶体管人类微电子革命的先声

你知道晶体管是谁发明的吗?它是美国物理学家肖克莱和他的同事巴丁及布拉顿一同发明的。这项影响深远的发明,让他们共同获得了1956年度诺贝尔物理学奖。 1947年圣诞节前夕,37岁的物理学家肖克莱写了一张言辞有些羞怯的便柬,邀请美国新泽西州中部贝尔电话实验室的几位同僚到他的实验室,观察他和他的合作者丁及布拉顿最近取得的“一些成果”。这三位发明家演示了电流通过一个名为“晶体管”的小原器件。尽管用现     

点接触技术在拓扑材料研究中的应用

点接触实验方法最早被用于研究固体材料中的元激发,后来发展到研究超导/普通金属界面上的Andreev反射现象,并利用这种现象探测超导序参量.随着拓扑材料以及拓扑超导领域研究的兴起,点接触实验方法在该领域也发挥了重要的作用.最近几年,点接触实验方法被用于在多种拓扑半金属材料表面诱导并探测超导信号,使其应用范围得到了进一步拓展.本文简要介绍了点接触的基本原理、利用点接触探测样品超导性质的方法以及点接触技术本身的发展,简单回顾了点接触在拓扑超导候选材料中的研究,最后介绍了点接触针尖诱导超导现象的发现以及进展.     

3D芯片:英特尔的绝地反击

2011年初,微软与诺基亚的"闪婚",使"原配"英特尔处境尴尬。正当移动电子产业界对"英特尔是否会继续坚持MeeGo系统"提出各种猜测之际,英特尔高调推出了已研发近十年的3D晶体管架构项目最新成果——3D Tri-Gate晶体管,并宣布将在年底前完成大规模投产的准备工作。IT巨头终于开始了在新移动电子领域的绝地反击,但为什么是3D晶体管架构?这项发明与传统晶体管结构有何区别?它对未来的移动电子产业有何影响?又是否能够挽救英特尔的芯片帝国呢?     

考虑接触斑变形协调关系的轮轨多点接触计算方法

为提高轮轨多点接触简化算法的计算精度，考虑轮轨间多个接触斑法向压缩量的变形协调关系，提出了一种轮轨多点接触改进计算方法.首先，基于轮轨间隙函数的几何特征，采用Kik-Piotrowski方法计算并判定轮轨多点接触.然后，考虑接触斑变形协调关系，建立轮轨法向接触应力-法向压缩量耦合方程组，求解轮轨多点接触法向力.最后，采用典型的两点接触模型检验该方法的合理性，继而分析了该方法应用于实际轮轨接触仿真时的计算精度.结果表明，提出的轮轨多点接触计算方法与Kalker变分方法计算结果吻合良好，最大相对误差仅为7.5%,说明该方法可以显著提升Kik-Piotrowski方法用于轮轨多点接触问题求解时的计算精度.     

发明晶体管的人们

1947年12月23日,圣诞节前夕,37岁的肖克利、39岁的巴丁和45岁的布拉顿成功地在美国贝尔实验室制造出了世界上第一个晶体管。小小的晶体管,改变了整个世界。有了晶体管,才有了集成电路,才有了大规模、超大规模集成电路,才有了今天的信息时代。所以,科学界普遍认为,晶体管是20世纪人类最伟大的发明。专攻理论物理的肖克利l 936年,在号称"工程师的摇篮"的美国麻省理工学院,专攻理论物理的优秀博士肖克利(W,Shockley,1910～1989)当时只有26岁,踌躇满志,自命不凡。因为山身于教授之家,他从加州理工学院到麻省理工学院,一路顺顺当当地走来,学士、硕士学位轻易取得,     

造浪者

正试想一下,你每天可能都会干的事情:使用安迪ü鲁宾开发的手机操作系统,连上因海蒂·拉玛而发明的Wi Fi,通过威廉ü肖克利研发的晶体管组成的芯片,在伯纳斯ü李开发的互联网上用拉里ü佩奇发明的搜索引擎技术查资料,或者用高锟发明的光纤看直播、拉里ü埃里森的数据库网上购物……你生活在互联网大厦里面,但刚才提到的这些人物,你可能闻所未闻。他们是时代偶像,是浪荡玩家,是头号黑客,是偏执狂、冒险王,     

科学决策的三大要素

一位高明的领导者要做好科学决策,必须具备三大要素:重视信息情报;起用咨询专家;不断提高自己的决策素养。 从半导体技术的预测谈起 第二次世界大战后,美国、日本从大量的信息研究中,预测到半导体技术将大有可为,就作出了重大决策,把科研力量部署到半导体研究上。1946年1月,贝尔实验室成立了一个专门的固体物理研究小组,1947年12月23日第一次演示了晶体管效应,发明了晶体管,     

微电子技术

为了帮助读者更好地了解正在兴起的新技术革命,我们将组织一些文章,对有关新技术作通俗易懂的浅释.此为其中的两篇.1948年晶体管的发明,因其以徽小的体积大大突破了真空     

三极管与场效应管的对照分析

用对照的方法对三极管与场效应管及其放大电路进行了分析,尤其是将三极管也视为电压控制器件来与场效应管对比,以说明两种管子及其放大电路的工作原理、分析方法的实质是相同的。     

光电负阻晶体管PNEGIT的研制

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流下分别达到了０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性。     

场效应管和双极型晶体管复合特性的分析及应用

用场效应管和双极型晶体管组成的复合管具有互补的特性．本文分析比复合管的特性，并举例说明其应用．     

判断功率晶体管性能的方法

研究了功率晶体管特性的等效关系，引进达通电压；研究了反向击穿电压，产生－复合电流，得出由５个参数判定管子质量的方法。     

浅谈晶体管电路在继电保护中的应用

文章论述了晶体管电路在继电保护中的应用,分析了晶体管电路在现代电力系统中应用的优势及其发展趋势。     

结型场效应管放大器的计算

本文提出一种通过绘制通用转移特性曲线和通用跨导特性曲线来计算结型场效应管放大器的 方法，由于此法能适应不同型号的场效应管，使放大电路的计算得到简化。     

一种新型PNP晶体管的数值分析

从基本半导体方程出发，用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布，载流子浓度分布和输出特性．晶体管的有效基区宽度约为50nm．证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制，它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似．这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件．     

一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。     

晶体管混合π模型与网络Y参数模型的等效变换

Y参数模型是晶体管高频小信号放大电路分析中常采用的网络参数模型,以共射组态晶体管为例,通过电路转换及Y参数的定义,获得了共射组态晶体管Y参数与混合π型参数之间的关系.     

场效应管广义对象的数字公式表示方法

场效应管是放大器件。为学习掌握场效应管的特性，在教学中提出了数字公式表示场效应管规律的新方法。将场效应管的类型、沟道、开启或夹断电压、漏极电流或漏源电压以及转移特性的凹凸性表示成数字量，通过它们的关系建立了数字公式。数字公式的简洁方便，更利于通过数字化规律理解掌握场效应管的定性规律，增加学习兴趣，提高教学效率。