基于非晶氧化物TFTs的反相器设计

针对单极型非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)逻辑电路存在较大功耗等问题,提出一个采用动态负载的三级架构反相器.该反相器基于Pseudo-CMOS(伪互补金属氧化物半导体)拓扑结构,采用由输出信号驱动的动态负载替代Pseudo-CMOS反相器中的二极管连接负载,使输入级的输入管与负载管驱动信号互补,实现反相器零静态电流,并弱化了功耗与摆幅的制约关系.基于TFT的电流公式,讨论了反相器中晶体管的宽长比对输出摆幅和功耗的影响,通过优化晶体管的宽长比进一步提高输出摆幅,降低电路功耗.在Silvaco软件中仿真验证结果表明:在相同的工艺条件下,与Pseudo-CMOS反相器相比,采用动态负载的三级架构反相器输出摆幅提高了13.13%,并显著降低了静态电流.     

基于冗余符号数的定点乘法器的设计

为提高定点乘法器速度,减少乘法器面积,基于Radix-16冗余并行乘法器,将奇数倍部分积用冗余差分形式表示;将部分积的修正位与部分积进行压缩,减少了部分积数量;通过优化控制信号产生电路、Booth解码电路和二进制转换电路的结构,进一步减少了乘法器延时和面积.TSMC 180nm工艺下的Design Complier综合结果表明,改进后冗余乘法器的面积相对减少8%,延时相对减少11%.     

一个应用混合基算法的余数系统后置转换电路设计

针对传统的混合基算法在实现余数系统到二进制系统转换过程中的并行性问题,应用改进的混合基算法,研究与设计了一个基于模集合{2n,2n-1,2n+1-1,2n-1-1}的后置转换电路．模2n-1形式的模加法器采用相对简单的实现结构,使设计的电路避免了只读存储器及时序电路的引入,整个后置转换电路完全由简单组合逻辑及加法器级联实现,缩短了关键路径延时,减小了功率消耗,与已有的相同动态范围余数系统后置转换电路相比,性能优势明显.     

用LambertW函数求解太阳能电池的串联电阻

为准确计算太阳能电池的串联电阻,从太阳能电池单二极管模型的电流-电压特性方程出发,推导出一个用LambertW函数形式表示的串联电阻解析表达式.该表达式仅需将太阳能电池的电流-电压特性曲线和模型参数值代入其中即可求出串联电阻,避免了通常近似计算方法所引入的误差.不同类型和不同工作条件下太阳能电池串联电阻的计算结果验证了文中计算方法的准确性和实用性.     

支持向量机在小子样IC可靠性评估中的应用

小子样问题是IC可靠性评估中急待解决的客观问题，本文从工程实践的实际需求出发，提出了基于支持向量机的小子样可靠性评估方法，并给出了支持向量机在栅氧化层击穿寿命分布评估中的应用实例。通过与常规的最小二乘评估方法相比，其评估精度有了很大的提高，试验结果分析能更真实地反应栅氧化层的可靠性特点。     

一维ZnO纳米结构的场发射性能研究进展

介绍了一维ZnO纳米材料的常用制备技术及其场发射领域的研究进展，比较不同结构的一维ZnO纳米材料的场发射性能．进而总结影响其场发射性能的因素。     

PCVD过程中的等离子体诊断

本文综述了ＰＣＶＤ过程中等离子体各种粒子和基团的诊断技术和方法。结合我们的研究工作，着重分析诊断技术在发展过程中所碰到的难题及其解决办法和仍待解决的问题。     

LSSVM在指数寿命型小子样IC寿命预测的应用

针对传统寿命预测方法需要大量样本与现代高可靠集成电路（IC）在寿命试验中通常只有少量失效样本的矛盾,提出了基于最小二乘支持向量机（LSSVM）的指数寿命型小子样IC寿命预测方法。用蒙特卡罗方法研究了该方法在指数寿命型IC寿命预测应用中的可行性,同时与基于神经网络的预测方法相比,结果表明基于LSSVM的方法能更精确地预测小子样下IC的寿命,可为预测指数寿命型小子样IC的寿命提供一种新的有效途径。     

退火温度对ZnO薄膜晶体管电特性的影响

针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO -TFT电特性的影响.结果表明:ZnO- TFT的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大,700℃退火的样品迁移...     

基于扩散模型的ZnO/p-Si异质结伏安特性研究

为了揭示ZnO/p-Si异质结的导电机理,基于p-n结扩散模型和Anderson扩散模型推导了ZnO/p-Si异质结在理想情况下的伏安特性,并分析了掺杂浓度、工作温度以及能带补偿的影响.结果表明:当正向偏压超过势垒高度时,界面两边多数载流子由耗尽变为堆积,形成反向势垒,对异质结的正向电流起阻碍作用;当外加正向电压等于内...