射频等离子退火

本文介绍了MOS、MNOS电容器和双极型晶体管进行射频等离子退火的实验结果。用这种退火技术可以明显地降低各种MIS结构中的固定电荷和界面陷阱。可使双极型晶体管的小电流放大系数(h_(FE))提高一个数量级以上。它也能去掉辐射损伤,使被幅射损伤的器件特性得到恢复。这种退火方法使用了与传统的热退火完全不同的概念,在许多应用方面比热退火优越。