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设计了一种带宽为1.25 MHz,中心频率为20 MHz的带通Sigma-Delta调制器,提出了一种新的结构及其系数的计算方法,该结构的性能受系数变化的影响较小,其谐振器的输出摆幅也较小,因而降低了对运算放大器的设计要求.模拟结果表明:考虑各种非理想因素后,调制器的动态范围(DR)为60 dB. 相似文献
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为满足标准P阱CMOS工艺要求 ,设计了一种新的电流求和型Bandgap电压基准电路 ,实现了相对于地的稳定电压输出 ,并且能提供多电压基准输出 .电路采用 0 6μmUMCP阱CMOS工艺验证 ,HSPICE模拟结果表明 :电路输出基准电压为 80 0mV ;在 - 40~ 85℃的温度变化范围内 ,电路温度系数仅为 1 4× 1 0 -6/℃ ;电源电压为 3 5V时 ,电路功耗低 ,消耗电流仅为 1 5 μA .该电路不需改变现有工艺 ,输出灵活 ,有望在多基准电压的低功耗系统中获得较广泛的应用 相似文献
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本文从实用的角度出发求解泊松方程.提出了一个小尺寸MOS器件热载流子效应的模拟方法.并开发了相应的模拟软件.模拟结果接近精确的二维MOST分析,并与实验吻合良好,而CPU时间却降低了1~2个数量级. 相似文献
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本文应用Gummel自洽场理论对LSIMOS器件进行了两维分析,并开发了相应的模拟软件,模拟结果与实验基本吻合。 相似文献
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本文考虑禁带变窄效应和载流子冻析效应,分析了基区掺杂浓度的分布、基区峰值浓度的大小及位置对基区渡越时间的影响,结合基区电阻的温度模型,对低温度高速双极晶体管的优化设计作了探讨。 相似文献
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系统分析了小尺寸半导体器件中的载流子非本地输运模型,重点研究了非均匀能带结构和异质结效应对电流密度的影响。同时,给出了归一化处理后的系统数学模型,并对器件的边界条件、参数模型、方程的离散及线性化处理等问题进行了讨论。 相似文献
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S波段单片低噪声放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
S波段单片低噪声放大器采用了0.5 μm φ3英寸(76.2 mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,由三级自偏电路构成,单电源( 5 V)供电.对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后,随机抽取一定数量的样品装架测量, 并对放大器进行了增益和相位的统计.统计表明:在S波段带宽300 MHz范围内,增益在24.5~26 dB范围内, 相位线性度小于1°,相位偏差±7°,噪声系数最大1.4 dB,输入输出驻波最大1.4,1 dB压缩输出功率大于10.5 dBm.另外,还对放大器进行了高温、低温环境试验和静电模拟和试验. 相似文献