首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

LSIMOS器件的两维分析
引用本文:何野,魏同立.LSIMOS器件的两维分析[J].东南大学学报(自然科学版),1987(1).
作者姓名:何野  魏同立
作者单位:南京工学院电子工程系,南京工学院电子工程系
摘    要:本文应用Gummel自洽场理论对LSIMOS器件进行了两维分析,并开发了相应的模拟软件,模拟结果与实验基本吻合。

关 键 词:MOS器件  两维分析  模拟

Two Dimensional Analysis of LSIMOS Devices
Ho Yie Wei Tongli.Two Dimensional Analysis of LSIMOS Devices[J].Journal of Southeast University(Natural Science Edition),1987(1).
Authors:Ho Yie Wei Tongli
Institution:Department of Electronic Engineering
Abstract:In this paper, a two dimensional analysis for LSIMOS devices is made by using Gummel's self consistent theory and a corresponding simulation software is developed. The simulation result is in good agreement with experimental data.
Keywords:MOS device  two dimensional analysis  simulation  
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号