开关电源中功率晶体管的二次击穿及防护

本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因，并结合开关电源的设计及生产实际，介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施     

开关电源中功率晶体管的二次击穿及防护

本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因，并结合开关电源的设计及生产实际，介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施。     

抑制侧壁注入式磁敏晶体管结构的研究

介绍了一种新型的用ＣＭＯＳ标准工艺制作的具抑制侧壁注入效应的横向磁敏晶体管，理论分析及实测测量结果表明，该晶体管具有很高的灵敏度及很宽的线性范围。     

晶体管式空气等离子切割电源

应用达林顿功率晶体管于等离子切割电源，分析晶体管的开关过程及设计中的关键问题，设计结果有一定的普遍性．     

晶体管高频线性功率放大器调试方法探讨

本文探讨了晶体管高频线性功率放大器频响和匹配及最佳工作点和最佳线性输出功率的调试步骤，介绍了防止高频晶体管发生异常振荡而造成损坏的方法。     

晶体管击穿电压的数值分析

本文从物理概念出发，推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式，并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及ｐｎ结二极管的雪崩击穿条件。根据数值计算结果找到了快速、精确计算基极开路晶体管击穿电压的经验公式。     

贝尔实验室半导体器件的研制

叙述了贝尔实验室有关半导体器件的研制工作，主要论述了早期半导体器件的开发，点接触晶体管和结型晶体管，场效应晶体管（ＦＥＴ），发光二极管（ＬＥＤｓ），里德二极管（ＩＭＰＡＴＴ），以及光生伏打电池等     

一种电流放大型自旋晶体管

该文提出了一种电流放大型自旋晶体管设计思想，并对其电流放大系数作了一定的分析讨论．自旋晶体管中的电流放大系数主要取决于注入基区的自旋极化电子的极化程度，基区中自旋的驰豫时间及基区的宽度．     

单电子晶体管(SET)及其应用

当电子器件的尺寸接近纳米尺度时，量子效应对器件工作的影响变得格外重要，就需要采用具有新机理的晶体管结构，单电子晶体管（SET）就是其中一个典型的结构，文中对比传统晶体管（MOSFET）的工作原理，分析了单电子晶体管SET的工作机理，简要概述了SET的一些应用。     

一类方程系统的零点分解

关于MESFET晶体管的制作与设计的研究已有许多结果，在研究求解MESFET晶体管方程系统的基础上，运用Wu—Ritt零点分解方法，给出了这类MESFET晶体管方程系统的零点分解．基于这个分解，可以对这类晶体管的制作与设计给出一个快速稳定算法．     

浅议晶体管特性图示仪校准方法

晶体管特性图示仪是能在示波管屏幕上观察与测试晶体管管特性曲线与直流参数的测量仪器。晶体管特性图示仪的精确度直接影响晶体管器件的实际结果。因此本文以JT-1型晶体管特性图示仪为例,介绍了改型号图示仪的工作原理、校准原理及校准技术。     

晶体管参数对高稳晶振频率稳定度的影响

本文利用晶体管混合π型等效电路和振荡器的相位平衡条件，计算出晶体管参数对振荡器频率稳定度的影响，计算结果表明，晶体管发射结电容对频率稳定影响最大，为了减轻这些影响，本文提出了一行之有效的办法。     

高频下晶体管S参量图示测量初探

提出了为清晰，稳定地获得高频下晶体管特性曲线，Ｓ参量以及具有晶体管个性的特征频率匹配参数的一种独特的新方法。这种方法以双端口网络理论为基础的电路设计思想作框架，并以宽带匹配网络理论的散射参量即Ｓ参量为信号传输及电路计算的依据。     

一种新型PNP晶体管的数值分析

从基本半导体方程出发，用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布，载流子浓度分布和输出特性．晶体管的有效基区宽度约为50nm．证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制，它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似．这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件．     

单电子晶体管中低频散粒噪声的特性分析

本文中，我们将双结系统的散粒噪声理论应用于单电子晶体管中，并准确地推导出两态情况下单电子晶体管噪声谱的解析表达式．进而对单电子晶体管中引起散粒噪声的因素作了简要的讨论．     

碳纳米管用于场效应晶体管的应用研究

 传统硅晶体管在微小化方面遇到瓶颈,碳纳米管作为一维量子材料,成为未来晶体管最具潜力的候选者。介绍了几种典型的碳纳米管场效应晶体管结构的基本工作原理及独特性能;着重介绍了近年来几种常见的碳纳米管场效应晶体管,并结合其结构与工作原理,论述了一系列技术革新和性能改进;总结了碳纳米管场效应晶体管未来需解决的几个重要问题。     

晶体管开关特性的进一步探讨

讨论了晶体管开关电路的动态过程，并指出了缩短开关时间，提高电路的开关速度，不仅要改善晶体管内部结构，还必须更新开关电路设计。     

不同类型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应损伤机制

文章研究了双极晶体管不同温度的低剂量率辐射损伤增强效应，发现NPN晶体管与PNP晶体管的低剂量率辐射损伤机翻是不相同的．最后文章讨论了其中可能的内在机制。     

硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析

具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管，其能带结构类似于真实异质结双极晶体管的能带结构。本文研究了硅赝质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系。并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。     

晶体管放大器电路的安装与调试

本文简单介绍了晶体管放大器电路的安装过程与调试方法及在调试过程中的注意事项,概述了晶体管放大器静态工作点的设置对输出特性的影响及性能指标测试电路的组成.