首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

单电子晶体管中低频散粒噪声的特性分析
引用本文:徐宝民.单电子晶体管中低频散粒噪声的特性分析[J].华南理工大学学报(自然科学版),1998,26(3):73-78.
作者姓名:徐宝民
作者单位:华南理工大学电子与信息学院
摘    要:本文中,我们将双结系统的散粒噪声理论应用于单电子晶体管中,并准确地推导出两态情况下单电子晶体管噪声谱的解析表达式.进而对单电子晶体管中引起散粒噪声的因素作了简要的讨论.

关 键 词:散粒噪声  单电子晶体管  隧穿率  噪声谱  主方程

ANALYSIS OF CHARACTERISTICS OF FINITE_FREQUENCY SHOT NOISE IN A SINGLE_ELECTRONIC TRANSISTOR
Xu Baomin,Mai Chongyi,Liu Yongqing,Zhang Liqing.ANALYSIS OF CHARACTERISTICS OF FINITE_FREQUENCY SHOT NOISE IN A SINGLE_ELECTRONIC TRANSISTOR[J].Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition),1998,26(3):73-78.
Authors:Xu Baomin  Mai Chongyi  Liu Yongqing  Zhang Liqing
Abstract:
Keywords:shot noise  SET  tunneling rate  noise spectrum  master equation
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号