大有前途的电子束光刻技术

本文介绍了电子束光刻技术的基本原理及发展情况,对电子束光刻技术在现代高技术产业中的重要作用进行了论述,并对比其他微细加工技术,提出要大力发展我国的电子束光刻技术与设备。     

2008纳米压印光刻国际学术会议

2008年9月26～30日,我参加Obducat AB组织的纳米压印光刻学术研讨会。纳米压印光刻（Nanoimprint Lithography,NIL）是一种全新的纳米图形复制方法,目前压印的最小特征尺寸可以达到5nm,NIL较之现行的投影光刻和其他下一代光刻技术,具有高分辨率、超低成本（国际权威机构评估同等制作水平的NIL比传统光学投影光刻至少低一个数量级）和高生产率等特点,     

厚层抗蚀剂光刻技术研究进展

厚层抗蚀剂光刻是一种制作深浮雕结构的微细加工技术。综述了近年来厚层抗蚀剂光刻技术的最新进展,从厚层抗蚀剂光刻工艺原理以及计算机模拟诸方面分析了该技术区别与传统光刻的一些特点,并对其应用的研究现状进行了总结,最后指出了进一步发展厚层抗蚀剂光刻技术的关键问题。     

光刻图形转移技术

通过对预烘、光刻胶旋涂、软烘焙、对准曝光、后烘、显影、坚膜的光刻工艺过程分析,主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法,并通过实验和分析得出了可靠的技术方案.     

静电场诱导光刻技术实现曲面光栅结构的制备

利用软光刻技术在凸面基底上制备了光栅结构.以此凸面基底上制备的光栅结构作为模板,利用静电场诱导光刻技术实现了凹面基底上光栅结构的制备.光栅模板结构的高度为5.3μm,线宽是6.25μm,高宽比达到0.85∶1.诱导成形光栅结构的高度为42μm,线宽是13.35μm,高宽比高于3∶1.结果表明借助静电场诱导光刻技术可以在曲面基底上利用小高宽比的微结构模板制备出大高宽比的微结构.     

溶胶凝胶法制备二氧化硅膜及其无显影气相光刻

为使无显影气相光刻应用于非硅衬底材料的刻蚀,扩宽其应用范围,研究了无显影气相光刻在溶胶 凝胶法制备的二氧化硅膜中的应用。通过对溶胶 凝胶化学过程的分析,考察了凝胶二氧化硅薄膜制备过程中的几个重要工艺参数,制备了结构均匀的二氧化硅薄膜。并将无显影气相光刻的方法应用于这种二氧化硅膜的刻蚀,通过优化后的光刻工艺参数得到了反差明显的光刻图形。     

LIGA实验站的设计及应用

介绍了国家同步辐射实验室二期建设的LIGA实验站，研究了同步辐射光发散角对深度同步辐射光刻精度的影响；对深度同步辐射光刻扫描台的精度提出了理论要求；报道了深度同步辐射光刻、电铸和塑铸的实验结果．     

原子光刻技术

针对原子光刻技术在纳米计量及传递作用中的特殊地位,介绍了该技术的基本原理、方案、刻及Cr原子光刻实验.通过与其他微刻印方法的比较,展望了其应用于微电子学等领域的前景。     

4000TPI光刻伺服盘伺服录写设备的研究

分析了光刻伺服盘的光刻图形、伺服码型及伺服录写特征，并设计了４０００ＴＰＩ光刻面伺服系统的伺服录写设备．分析研究表明，光刻伺服系统能提高磁盘道密度，为大幅度提高磁盘容量开辟了广阔的前景     

用相移掩模光刻技术制作大相对孔径二元透镜的研究

简述相移掩模的基本原理，提出了用相移掩模光刻技术制作大相对孔径的二元透镜的设想，通过数据模拟对相移掩模光刻技术做了探讨，给出了适合国内ｇ－线光刻机的相移掩模的设计。     

光刻机镜头的结构设计与装配

介绍工作波长为193nm的投影光刻物镜的研制,对结构型式的确定和材料的选择以及加工装配工艺进行充分考虑,提出投影光刻物镜结构设计和装配方法.本文研制的镜头在光刻机中获得了广泛应用.     

LIGA实验站的设计及应用

介绍了国家同步辐射实验室二期建设的LIGA实验站,研究了同步辐射光发散角对深度同步辐射光刻精度的影响;对深度同步辐射光刻扫描台的精度提出了理论要求;报道了深度同步辐射光刻、电铸和塑铸的实验结果.     

一种用于双成像光刻中的版图分解算法

双成像光刻技术是在集成电路制造工艺不断缩小时解决光刻后图形失真问题和提高准确度的最有效的方案之一.在双成像光刻中,需要进行版图分解,将版图中多边形分解为更简单的图形的集合.现有的多边形分解算法不适合应用于双成像光刻,会产生工艺无法接受的薄片,覆盖误差会导致图形断开,与双成像光刻中的版图分解的目标也不同.提出了一种新的版图分解算法,通过引入交叠,消除薄片的产生,同时解决由于覆盖误差引起的图形断开问题;减少分解后的矩形数目,从而减少双成像光刻中颜色分配后的冲突总数,适合用于双成像光刻技术.实验说明该算法有效.     

电子束光刻设备发展现状及展望

 电子束光刻设备在高精度掩模制备、原型器件开发、小批量生产以及基础研究中有着不可替代的作用。在国外高端电子束光刻设备禁运的条件下,中国迫切需要实现高端国产化设备的突破。介绍了电子束光刻设备发展历程,列举了当前活跃在科研和产业界的3种设备（高斯束、变形束、多束）的主要厂商及其最新设备性能,并概括了国产化电子束光刻设备发展现状。通过国内外电子束光刻设备性能的对比,总结了国产化研发需要解决的关键性难题。其中,着重介绍了高端高斯电子束光刻设备国产化需要面临的技术挑战：热场发射电子枪、高加速电压、高频图形发生器、极高精度的激光干涉仪检测技术及高精度电子束偏转补偿技术。     

电子束纳米分辨率光刻

本文侧重分析电子束纳米光刻中的若干限制因素，包括电子光学系统中的象差、电子束与抗蚀剂的相互作用（散射与二次电子效应）、衬底条件等，并对已用于进行纳米分辨率电子束光刻中的一些方法进行了归纳，讨论了其应用前景．     

无掩模多束SPPs干涉光刻成像仿真软件研究

多束SPPs干涉光刻是一种可制作纳米尺度光子晶体器件的新型微加工方法,目前尚未见对多束SPPs干涉光刻过程进行模拟分析的专门软件.在分析SPPs激励和传输机理基础上,建立多束SPPs干涉成像模型,并采用VC和Matlab库函数混合编程编制了可计算多束SPPS干涉光刻成像的仿真软件.模拟和分析表明,该模型及软件计算准确、快速,达到预期效果,为实现无掩模SPPs干涉光刻全过程模拟和曝光实验研究的开展提供了技术支撑.     

美开发出热蘸笔纳朱光刻技术

据美国物理学家组织网2011年11月7日报道，美国科学家首次厘清了温度在蘸笔纳米光刻技术中的作用，据此研制出的热蘸笔纳米光刻技术能在物质表面构造大小为20纳米的结构。     

亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术

讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨率辅助图形的结合使用,可以显著提高亚100纳米级版图线条的光刻分辨率,增大工艺窗口,降低版图成像对生产工艺参数的要求,对于解决亚波长光刻所带来的亚100纳米级集成电路成像质量下降的问题非常必要.     

单晶样品材料的生长与纳米量级光刻工艺探索

基于电子束直写技术在纳米尺度刻蚀的标准过程,探索适用于单晶样品的刻蚀工艺,在微米尺度上建立一套方案,给出各步骤条件参量,以期进一步应用到单晶样品的纳米尺度光刻。     

无掩模多束SPPs干涉光刻成像仿真软件研究

多束SPPs干涉光刻是一种可制作纳米尺度光子晶体器件的新型微加工方法，目前尚未见对多束SPPs干涉光刻过程进行模拟分析的专门软件.在分析SPPs激励和传输机理基础上，建立多束SPPs干涉成像模型，并采用VC和Matlab库函数混合编程编制了可计算多束SPPS干涉光刻成像的仿真软件.模拟和分析表明，该模型及软件计算准确、快速，达到预期效果，为实现无掩模SPPs干涉光刻全过程模拟和曝光实验研究的开展提供了技术支撑.