通用多边形覆盖算法及图形分解软件

通用多边形覆盖算法及图形分解软件袁为民（南洋信息与控制工程公司）关键词算法，多边形覆盖，掩膜图形分解中留法分类号ＴＰ３１７１文献回顾和算法简述针对集成工艺中所涉及的掩膜图形的多样性和复杂性，本文提出一种通用性较强的多边形覆盖算法，并已实现为图形分解软...     

亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术

讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨率辅助图形的结合使用,可以显著提高亚100纳米级版图线条的光刻分辨率,增大工艺窗口,降低版图成像对生产工艺参数的要求,对于解决亚波长光刻所带来的亚100纳米级集成电路成像质量下降的问题非常必要.     

使用测试图形法优化亚分辨率辅助图形

在亚波长光刻领域,基于规则插入亚分辨率辅助图形是一种重要的技术。现有的方法需要利用经验改善亚分辨率辅助图形,且不考虑光学邻近校正的效果。提出了一种新的利用测试图形优化亚分辨率辅助图形的方法。与一般的光学邻近校正流程结合,该方法能解决工艺窗口过小和亚分辨率辅助图形刻出等问题。通过对标准电路版图的测试,对边放置误差和工艺窗口进行了测量。边放置误差相比传统方法减小了10%,同时,不同工艺窗条件下的边放置误差也有改善。     

基于矿床真三维显示的图形消隐处理算法

为了更好地解决地矿实体在平面图形设备上显示时凹面矿体及多矿床实体之间的消隐问题,提出了画家消隐处理的算法.通过采取汇集前平面多边形、分解多边形图形面成三角形的图形面、排序处理三角形面、建立三角形图形面深度次序四步骤,对地矿工程三维实体消隐处理,使得原实体中那些被不透明的体素或其他实体挡住的线素或体素不再被输出,当地矿实体在平面图形设备上显示或打印时将使地矿工程三维实体更具真实感.     

FIF格式的交互图形输入软件

LSI的版图设计和制造是一项十分复杂和精细的工作.目前大部分采用CAD技术来进行.计算机辅助制版软件就是先用制版语言写出集成电路版图源程序,经过计算机制版软件处理产生绘刻图和图形发生器所需要的数据,来刻红膜或制造初缩版,这样既能减少人力,且能确保制版精度. 我们所做的计算机辅助制版软件FIF(Fudan Intermediate Form)吸取了美国CIF的优点.FIT语言能描述各种形状的平面图形,有一整套图形变换、运算语句,适应平面图形的方位改变.用户能将集成电路版图分解为若干个单元图形,将单元图形描述为图组积木块,图组和积木块均能象基本子图一样进行变换和操作.     

GIS中多层多边形叠置的误差分析

多边形叠置法是ＧＩＳ技术近年来研究的热点，它的成熟与完善将有效推动多要素地学分析实现系统化与自动化。多边形叠置法所产生误差的研究对目前各种技术方法所产生误差的机理进行了分析，并对如果控制误差发生及减少误差数量的原理与方法作了系统研究．     

GIS中多层多连形叠置的误差分析

多边形叠置法ＧＩＳ技术近年来研究的特点，它的成熟与完善将有效推动多要素地学分析实现系统化与自动化。多边形叠置法所产生误差的研究对目前各种技术方法所产生误差的机理进行了分析，并对如果控制误差发生及减少误差数量的原理与方法作了系统研究。     

体可视化MT算法的改进

对传统的体可视化MT算法进行了改进,在一定程度上解决了提取出的等值面中存在大量冗余多边形和提取等值面的过程中计算量过大的问题.实验表明,该算法与传统的MT算法相比,运行速度显著提高,产生的多边形的数量也显著减少.     

纳米压印光刻技术的研究与发展

介绍纳米压印光刻技术的研究现状和发展状况,分析常用的热压印(Hot Embossing Lithography,HEL)、紫外固化压印(Ultra Violet Nanoimprint Lithography,UV-NIL)及微接触压印(Micro Contact Printing,μ-CP)三种光刻的工艺过程。探讨纳米压印光刻方法的优缺点及影响压印图形质量的主要因素,旨在加深对纳米压印光刻工艺过程(模具制作、压印过程及图形转移)深层次的理解和认识,从而解决纳米压印光刻过程中存在的一些关键问题,为新型纳米压印技术的研究和发展提供必要的科学依据。     

电子束光刻“自主可控”EDA软件HNU-EBL

为模拟和优化电子束光刻（Electron Beam Lithography,EBL）工艺过程,提高电子束光刻版图加工质量,依托湖南大学（Hunan University,HNU）开发了一套电子束光刻的“自主可控”国产电子设计自动化（Electronic Design Automation,EDA）软件HNU-EBL.该软件实现了以下主要功能：1）基于Monte Carlo方法计算电子束在光刻胶和衬底中的散射过程与运动轨迹;2）基于多高斯加指数函数模型计算拟合出电子束散射的点扩散函数;3）基于GDSII光刻版图文件矩阵化,进行邻近效应、雾效应等校正计算,优化电子束曝光剂量;4）基于卷积计算,计算出给定曝光剂量下的能量沉积密度,并计算出边缘放置误差等光刻加工质量关键指标.基于该软件,通过异或门（Exclusive OR,XOR）集成电路的光刻版图算例,计算在聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl Methacrylate,PMMA）光刻胶和硅衬底中10 kV电子束的光刻工艺过程.通过对比电子束邻近效应校正前后的显影版图,验证了该软件的有效性.在完全相同的计算硬件和算例条件下,与主流同类进口EDA软件进行了对比,证实了在同等精度下,本软件具有更高的计算效率.已建立http：//www.ebeam.com.cn网站,将HNU-EBL软件免费授权给EBL用户使用.