A new DFM flow for sub-100nm standard cells

DFM （Design-For-Manufacturability） method, which aims to improve manufacturability of ICs through specific design considerations, is becoming important nowadays. In particular, standard cells now should be designed by DFM method. This paper reports a new DFM flow for sub-100 nm standard cell design with a group of technologies for process modeling, manufacturability simulation and trial RETs. Based on this flow, a set of DFM-friendly 90nm standard cells were designed.     

使用测试图形法优化亚分辨率辅助图形

在亚波长光刻领域,基于规则插入亚分辨率辅助图形是一种重要的技术。现有的方法需要利用经验改善亚分辨率辅助图形,且不考虑光学邻近校正的效果。提出了一种新的利用测试图形优化亚分辨率辅助图形的方法。与一般的光学邻近校正流程结合,该方法能解决工艺窗口过小和亚分辨率辅助图形刻出等问题。通过对标准电路版图的测试,对边放置误差和工艺窗口进行了测量。边放置误差相比传统方法减小了10%,同时,不同工艺窗条件下的边放置误差也有改善。     

中外诗歌中的一滴水

水是世间一种普遍的事物,而在中外诗人的笔下则被幻化成各种形象并赋予许许多多的内涵。水是生命的体现,无论中外在古代经典中都不约而同的把水作为原始生命和创造力的象征,并且作为涤除万物净化心灵的良药被各种学说、宗教所重用,水还被代替表现时间、青春、人事的流逝和各种情感的宣泄。这种水意象在中外诗歌中都曾出现,但因为文化的差异,水在不同民族不同地域的诗歌中也有不同的定义和内涵。     

亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术

讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨率辅助图形的结合使用,可以显著提高亚100纳米级版图线条的光刻分辨率,增大工艺窗口,降低版图成像对生产工艺参数的要求,对于解决亚波长光刻所带来的亚100纳米级集成电路成像质量下降的问题非常必要.     

基于1990-2015 归一化植被指数的河北植被时间变化特征及其对干旱的响应

基于1990-2015年研究区逐旬归一化植被指数（Normalized Difference Vegetation Index, NDVI）数据和站点逐日降水数据,对河北地区NDVI时间变化特征及其与多尺度标准化降水蒸散指数（Standardized Precipitation Evapotranspiration Index, SPEI）的响应关系进行了深入分析。结果表明：（1）研究区草地、林地面积增加,空间上呈自东向西交替变化,并呈破碎化现象。（2）年均及生长期NDVI呈明显的上升趋势,夏季NDVI最高,冬季最低,月均NDVI时间变化与雨热同期。（3）不同尺度SPEI均呈下降趋势,随着时间尺度的增加,降幅不断加剧。干旱整体上发生的持续时间和干旱程度有所降低,而春季发生干旱明显强于其他季节。（4）年际及夏季NDVI对SPEI变化响应最为显著,夏季NDVI与SPEI06之间的相关性为最高的0.628,春秋次之,冬季最低。年际及季节性NDVI变化与SPEI03及SPEI06变化的相关性较高。年际及季节NDVI变化对SPEI的响应较单独的气候因子（气温、降水）更明显。     

一种用于光刻模拟的新光源模型

讨论提出用连续的光源描述函数代替0~1分布的光源函数精确描述光源光强分布,以提高光刻分辨率.在SPLAT的基础上应用新的光源特征函数,建立新的光源模型,并结合测试模板进行仿真.结果显示,新的模型在精度上有较为明显的改善,新光源特征函数有助于建立更为精确的光刻模型.     

基于密集采样成像算法的全芯片可制造性检查技术

分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technology，RET)在集成电路制造中的应用使得光刻用掩模图形日趋复杂，而掩模制造成本和制备时间也随之增加．由于光刻工艺包含了一系列复杂的物理和化学过程，分辨率增强技术本身很难保证其输出结果的正确性，因此在制造之前，利用计算机对已经过处理的版图作可制造性验证变得十分必要．文中介绍了光刻建模、成像模拟和问题区域查找的算法，回顾和比较了当今流行的post-RET验证方法，并阐述了基于密集采样成像算法(Dense Silicon Imaging，DSI)的可制造性验证的必要性．并在密集采样成像算法的各个关键步骤提出了新的加速算法．在新算法的帮助之下，以往由于计算量太大而被认为不实用的基于密集采样成像的可制造性检查得到了实现．文章的最后部分给出了密集采样成像算法在实际中应用的例子和实验结果．     

基于特征函数的空间点光强快速算法优化

讨论了部分相干成像系统空间点光强的一种近似算法——即通过特征值分解的方法将部分相干成像系统的Hopkins公式展开为N阶相干系统之和的相干系统与双线性系统算法,并提出了优化的N取值方案.该方案充分考虑了光刻系统参数对N取值的影响.实验结果证明,采用了新的N取值方案的近似算法是一种高精度算法.     

晶圆切割和随机缺陷驱动的掩模设计方法

针对现有掩模设计方法的不足,提出了同时考虑晶圆切割和随机缺陷的掩模设计方法.在预估边到边晶圆切割引起的成品率丢失的同时,将随机缺陷引起的成品率丢失也纳入了设计参考量.对掩模上芯片进行布局规划的阶段,使那些由于随机缺陷造成成品率丢失较高的芯片在布局规划的目标函数中拥有较大的权重.这些芯片会在模拟退火算法迭代的过程中被自动放置在相应的与其他芯片较少切割冲突的位置,避免了后期晶圆切割对其产量造成的损失.此方法均衡了芯片之间的产量,在满足各个芯片需要产量的前提下,减少了生产所需的晶圆数量.与最小化掩模面积的设计方法和只考虑晶圆切割的设计方法比较,该方法使生产所需要的晶圆数量分别减少了15.22%和7.14%.