云南景洪娜咪囡遗址植硅体分析（英文）

在末次冰期到全新世的过渡时期，全球气候发生了巨大的变化。几乎与此同时，人类社会也从旧石器时代向新石器时代过渡。因此，这一时期气候变化与人类活动的关系是考古学研究的热点。云南省是我国旧石器时代考古遗址最为丰富的地区，但这里的新石器时代遗址数量相对较少，对云南省旧石器-新石器时代过渡期的旧气候研究也很少。植硅体是一种可长期保存的植物微体化石，是研究考古遗址古气候的重要手段。本研究以旧石器时代向新石器时代过渡时期的娜咪囡遗址为研究对象，利用植硅体重建了各考古地层的气候，并探讨可能的古人类活动。结果表明，娜咪囡遗址经历了一个升温、冷却再变暖的过程，这与云南其他地区的古气候研究是一致的。     

植入式硅神经微电极的发展

 神经科学和神经工程研究需要研究大脑神经元的电活动情况，以了解大脑产生、传输和处理信息的机制。植入式神经微电极作为一种传感器件，是时间分辨率最高的神经电活动传感手段之一。介绍了国内外几种主要的植入式硅基神经微电极的结构特点、制备方法和性能特点。分析表明，未来通过不断结构优化和改性修饰，特别是在高通量的神经记录方面，通过与同样基于硅材料的电路的集成，硅神经微电极能够进一步提高生物相容性，解决大规模的电极通道体内外传输与连接问题，实现对神经元的在体大规模长时间记录。     

硅钨酸质量法测定延胡索总生物碱质量分数

建立延胡索总生物碱质量分数检测方法.运用硅钨酸质量法,将延胡索总生物碱中生物碱物质转化为可以准确称量的形式,计算延胡索总生物碱质量分数.三批样品质量分数平均值为57.12%,符合中药五类新药技术研究要求.所建立的方法操作简便、准确、可靠,适用于延胡索总生物碱的质量控制.     

阳极电解制备n型多孔硅及光反射特性的影响研究

采用双槽电化学阳极蚀刻法制备了n型多孔硅,并用带积分球的光度分光计测试了多孔硅的光反射率.研究了蚀刻电流密度、蚀刻时间和HF浓度等对多孔硅孔隙率和反射率的影响规律.结果表明:随着电流密度和蚀刻时间的增加,多孔硅表观孔隙率增加;多孔层的存在能显著降低反射率,且较小的电流密度和蚀刻时间,更有利于反射率降低;电流密度10 m A·cm-2制备的多孔硅平均反射率降低到9%,蚀刻时间10 min下制备的多孔硅平均反射率降至5%;HF浓度对反射率的影响不大.     

质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较

利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同.     

面向众核处理器的独立调试系统设计方法

基于片上网络(Network-on-Chip,NoC)技术的众核处理器正成为当前高性能处理器的设计焦点.传统的调试系统结构不能很好地应用于众核处理器体系结构,众核处理器中踪迹数据传输、调试事件传播、时间戳同步等方面均面临重大挑战.为解决上述问题,提出一种具有高带宽、低资源消耗的独立调试系统设计方法.该方法通过减少长互连线,提高了调试通道工作频率,以较少的互连线即可实现高带宽传输通道;同时调试组件采用分布式的对称结构,具有良好的可扩展性.在踪迹数据传输结构中,提出了一种带宽平衡的非侵入式踪迹数据导出方法,该方法通过软硬协同方式来配置踪迹通道仲裁的权重值,降低硬件复杂度.在调试事件的传播上,构建了与片上网络拓扑一致的事件传播网络,该网络在易于物理实现的同时具有事件传播延迟低的特点.在时间戳的同步方法上,提出了一种通过软硬件协同的时间同步方式,以很小的硬件代价实现了较精确的时间戳同步.     

无铅高锌硅黄铜C68350合金组织及性能的研究

<正>传统铅黄铜因切削性能优良、生产成本低、加工性能好等优点而应用广泛。但由于铅元素对人体极为有害,可损害人体骨髓造血系统和神经系统,其污染危害已引起高度重视[1-3]。美国、欧盟、日本等发达经济体已立法,对饮用水系统、管道配件、玩具及家用电器等产品中的铅含量提出了严格的限制。如2010年开始实施的美国加州《AB1953法案》和欧盟的Ro HS指令都对铅的含量做出了明确规定,铅黄铜被无铅环保黄铜取代,     

水溶性硅包CdTe量子点的合成方法研究

本研究成功地合成了水溶性CdTe量子点(QDs).考察温度对回流时间、荧光强度及粒径大小等因素的影响,实验优化合成条件之后确定最佳反应温度为105 ℃.接着,本研究运用改进后的Stober法更为简易地合成了硅包CdTe量子点复合微球,该微球的粒径可通过改变正硅酸乙酯及水的含量控制在160~260 nm之间,同时根据复合微粒的电镜拍摄图初步探讨了SiO₂在CdTe表面的生长模式.为了将来能运用到生物检测中,此实验加入3-氨基丙基三乙氧基硅烷（APTS）,引入氨基团,并优化了 APTS 加入时间,得到的粒子表面氨基含量最高.这种复合微粒具有与原来量子点相当的量子产率,同时具有良好的水溶性、胶体稳定性、化学反应性,为量子点作为荧光标记物的应用打下了基础.     

硅压力传感器基座受力变形时的输出性能

为分析硅压力传感器基座受力变形对传感器输出性能的影响,首先利用弹性力学理论和板壳理论分析推导了压力传感器方形膜片应力分布,为力敏电阻在应变膜上的布置提供依据;再利用ANSYS进行分析模拟,探究了传感器基座结构变形对应变膜应力差的影响;然后针对减小基座受力变形对芯片受力的影响,对基座结构进行适当优化,并对比仿真分析的结果;最后通过实验测得优化前后的传感器输出数据.结果表明,传感器基座结构优化后,传感器硅芯片中心最大变形量从2.172μm降低到1.819μm,输出误差从0.95%下降到0.60%.     

硅灰改性沥青老化动力性能研究

文章通过旋转薄膜老化试验,研究了基质沥青和硅灰改性沥青在不同老化温度和老化时间下软化点的变化规律,并以软化点为参数建立了硅灰改性沥青的老化动力学模型。结果表明:与基质沥青相比,硅灰改性沥青的软化点随着老化温度和老化时间变化的变化率更低;以软化点为参数建立的老化动力学方程能较好地表征硅灰改性沥青的老化过程。