脉冲频率对铌表面熔盐电沉积渗硅的影响

采用熔盐脉冲电沉积法在纯铌表面制备出渗硅层。研究了脉冲频率对渗硅层沉积速率、成分、厚度、组织及相结构的影响,同时考察了渗硅层的高温抗氧化性。结果表明,频率对渗硅层成分无影响。随频率增大,渗硅层厚度和沉积速率均减小。频率由500 Hz增大到1 000 Hz时,渗硅层晶粒变得细小致密;超过1 000 Hz后,晶粒则变得粗大。渗硅层相结构不受频率影响,均由单相NbSi₂组成,并在(110)和(200)晶面上具有择优取向。NbSi₂渗层的存在使得纯铌的高温抗氧化性能得以提高。     

三甲基硅腈-碘化锌对β-蒎烯环氧化物的开环反应机理

2,10-环氧-10β-蒎烷和2,10-环氧-10α-蒎烷在碘化锌存在下,分别与三甲基硅腈反应,生成同样组分的产物混合物。经分离、提纯后得到5个产物,用质谱、红外、质子和碳-13核磁共振谱对其结构进行了鉴定。这5种产物的生成用正碳离子中间体的产生及其重排得到了合理解释。     

硅钨酸的优化制备与丁醛乙二醇缩醛的合成

研究了硅钨酸的制备及催化合成丁醛乙二醇缩醛，考察了催化剂的用量、反应时间、醛醇物质的量之比及带水剂等因素对合成反应的影响。结果表明，经过超声波处理的硅钨酸是合成缩醛的良好催化剂，在优化条件下，收率最高可达89．1％。     

应变绝缘硅器件及相关技术

本文分析了微电子新技术Strained-SOI MOS器件的基本结构,讨论了用注氧隔离的方法制备器件的方法与步骤,阐述了Strained-SOI MOS器件的现状及发展趋势.     

激光熔蒸制备纳米硅微粒的Raman分析

以流动气体(N2，Ar2)作为反应环境。利用开放式激光熔蒸系统。通过改变制备参数：熔蒸激光强度，流动气体种类及其流速，激光熔蒸时间，制备出一系列纳米硅样品．利用Raman光谱对在不同参数下所得到的样品表面形貌进行分析，可以看出，激光强度对生成的样品表面形貌有最直接的影响。并决定生成粒子的大小．而流动气体的种类则影响着沉积粒子的分布及其大小．流动的气体防止生成的纳米硅在开放系统中被氧化。而激光熔蒸时间对样品表面形貌的作用则表现的不是很明显．     

在磷硅酸盐玻璃中八面体配位的硅:K边X射线吸收光谱研究

众所周知,在高压条件下,硅酸盐矿物和玻璃中的硅可以形成八面体配位,但在通常的低压硅酸盐玻璃中,硅为四面体配位,因为玻璃中硅的八面体配位会迫使形成周期性结构,破坏玻璃的非晶态。目前几乎没有文献报道在低压硅酸盐玻璃中存在八面体配位的硅。很久以来,人们一直对于含磷的硅酸盐玻璃和熔体有很大兴趣,因为一方面含磷的硅酸盐玻璃是很有前景的光导纤维材料,另一方面,在地球化学上P_2O_5加入到岩浆体系中,会导致液相不混溶,降低岩浆的液相线温度和粘度,影响元素在固相-液相和液相-液相之间的分配,尽管有报道证明在钠的磷硅酸盐玻璃中存在八面体配位的硅,但此结果仍有一定的争议。本文采用同步辐射的硅K边X射线吸收光谱研究了硅在SiO_2-P_2O_5和Na_2O-SiO_2-P_2O_5体系的磷硅酸盐玻璃中的结构与配位,以及硅的配位几何随玻璃中P_2O_5含量的变化。     

退火对硅中氧化应力及SiO2膜电特性的影响

利用红外激光光弹测量系统和森纳蒙特补偿法，测量了硅中的氧化应力；研究了中间退火和后退火条件对硅中氧化应力的影响，以及氧化应力与ＳｉＯ２膜的电击性和固定电荷密度的关系。     

多孔硅的双峰光致发光谱与光发射机制

多孔硅的光致发光谱是多孔硅研究的极其重要的一个方面,除了早已广泛研究的单峰光致发光谱外,近来有人报道新制备的或经干氧处理的多孔硅在低温下明显存在多峰光致发光谱,本文将报道室温下在后处理多孔硅中观察到的双峰光致发光谱,并讨论后处理条件对光谱特征的影响,这种讨论对多孔硅可见光发射机制的探索提供了十分有价值的启示.多孔硅样品用电化学阳极氧化方法制备.样品衬底是P~-(100)单晶硅片,电阻率为