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71.
深过冷Ni—Si共晶合金中Ni3Si的生长形态 总被引:1,自引:0,他引:1
采用熔融玻璃净化和循环过热相结合的方法,使Ni-Si共晶合金获得了224K的大过冷度,对该合金深过冷快速凝固组织的形成机制和小平面相Ni3Si的生长形态的研究发现,在过冷条件下,共晶组织形成之前,往往会生成组成共晶的两相的初生相,随着过冷度的增大,Ni3Si初生相的生长形态由小平面形态向非小平面形态转变,其转变的临界过冷度约为60K。 相似文献
72.
利用PECVD方法及后处理工艺制备了具有室温可见光区光致发光效应的纳米晶硅(n-Si/SiO2)薄膜材料,对其光吸收,光能隙以及电导率等特性参数进行了测试研究。发现该薄膜的可见光区吸收比PECVE方法制备的微晶硅,非晶硅等薄膜的光吸收明显减弱,且光能隙增大。而电导率则大大提高,达到10-1-10-3cm-1Ω-1的量级。该材料光学性能的变化可用量子尺寸效应进行定性解释,但其电导率的大幅度增加还有待进一步的研究。 相似文献
73.
高性能混凝土高温后残余抗折强度研究 总被引:5,自引:0,他引:5
完成了127块100 mm×100 mm×515 mm混凝土棱柱体试块在20~900℃条件下的高温试验和高温后的弯折试验.以C40普通混凝土作为参照,考察了C50,C80和C100高性能混凝土棱柱体试块在火灾中的特点;通过对强度等级、外掺聚丙烯纤维和外掺矿渣与硅灰等因素的对比,分析了高性能混凝土高温后残余抗折强度与经历温度之间的相互关系;提出了高性能混凝土高温后残余抗折强度与经历温度间统计公式. 相似文献
74.
介绍了硅,钛取代AlPO-1分子筛SAPO-11、TAPO-11的合成方法,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、热重-差热、氮气吸脱附等手段对合成的分子筛进行了表征,考察了晶化温度和原料比对分子筛合成的影响.结果表明,硅,钛取代AlPO-11分子筛能生成AEL结构的TAPO-11分子筛;SAPO-11与AlPO-11分子筛表观形貌相差不大,而TAPO-11分子筛表观形貌则与AlPO-11分子筛有很大不同;硅,钛取代后分子筛的孔道半径及其孔容有所改变;3种分子筛都具有较好的热稳定性. 相似文献
75.
以现有的工业ZSM-5作为原料,采用碱处理ZSM-5的浆液或滤液作为硅铝源,与表面活性剂在水热条件下进行自组装得到具有微孔、介孔双孔分布的MCM-41型结构复合分子筛,并采用X射线衍射、N2吸附脱附、红外光谱等测试手段对合成的样品进行了分析表征,考察了主要合成条件对分子筛性能的影响.结果表明,根据ZSM-5碱处理程度的不同,采用浆液得到的样品可能含有少量ZSM-5沸石的晶粒,但随着碱浓度升高或碱处理时间的延长,ZSM-5沸石晶粒的量逐渐减少,而采用滤液合成的样品中不存在独立的ZSM-5沸石的晶粒. 相似文献
76.
通过简单的溶液浸泡-热分解方法成功地在氧化多孔硅的孔中沉积了纳米银粒子,形成了银/氧化多孔硅/硅的复合结构.用X射线衍射光谱(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了多孔硅上纳米银粒子的存在. 相似文献
77.
分析了光电子器件对V型槽刻蚀工艺精度的要求,计算了激光二级管(LD)与光纤直接耦合时所容许的对准容差,给出了无源对准封装工艺对设备和工艺控制精度的要求,并采用贴片精度达±1μm的自动贴片倒装焊工艺和硅V型槽定位技术开发了一种激光收发器件模块.初步的封装试验和测试证明了硅基平台无源对准封装工艺的可行性和可靠性. 相似文献
78.
为提高纳米光电化学电池的光电转换率,研究者们致力于选择不同的敏化剂,其中量子点以其在紫外和可见光区的强吸收性和易于制备等特殊的性质及其种种优点而备受研究者的青睐,阐述了量子点作为纳米TiO2光电化学太阳电池敏化剂的应用研究及敏化机理。 相似文献
79.
将多芯片LED与恒流源电路进行一体化混合集成电路工艺设计,保证了3~10W的多芯片集成LED在低于100mA的驱动电流下正常工作.恒流源采用跟随浮压技术进行设计,使集成LED的工作电压在2~200V,恒定工作电流在10~100mA选择.其恒流温度漂移小于5μA/℃,发光效率大于17Lm/W,同时简化了工频驱动电源电路的设计,减少远距离供电线路损耗. 相似文献
80.
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论. 相似文献