激光晶化多晶硅的制备与XRD谱

对氢化非晶硅（a-Si∶H）进行了脱氢和不同能量密 度的准分子激光晶化多晶硅的实验, 对所得样品用X射线衍射表征. 针对多晶硅（111）面特征峰的强度、 晶面间距和宽化信息, 分析了激光功率密度对晶化多晶硅结晶度和应力的影响, 根据谢乐公式（Scherrer）估算了晶粒的大小, 得到用准分子激光晶化多晶硅的较佳工艺参数, 并且验证了激光辐射对薄膜材料作用的3种情况.     

三维颗粒系统中表面斑图的簇模型

通过与二维颗粒系统的类比, 建立三维颗粒系统在垂直激励下形成表面斑图的簇模型, 并 将表面斑图解释为正棱台簇和底板的碰撞以及正棱台簇和边界的碰撞共同作用的结果. 根据正棱 台簇在与底板的碰撞中吸取能量这一事实, 详细讨论了单个簇与底板的碰撞过程. 再根据运动的 周期性, 由速度关系推导出簇模型的一个基本方程. 该方程将系统的特征参量和激励参量联系在 一起, 并以此分析斑图随激励加速度和激励频率的变化, 以及色散关系. 在一定的参数范围内, 理论与实验吻合较好.     

垂直激励下的二段复合颗粒链研究

实验研究了二段复合颗粒链在垂直振动激励下的动力学特性. 通过对颗粒链整体的运动状态以及与之相关的相位差、膨胀尺度、质心位移以及能量的分析发现, 不同颗粒排布组合在实验中表现出的特性有很大差别. 我们认为产生这一现象的原因在于不同颗粒段交界处界面效应的存在. 界面效应在不同的颗粒排布下造成不同的能量分布, 从而导致颗粒链出现不同的运动状态.     

研究In0.82Ga0.18As/InP的临界厚度

根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGat-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚...     

研究In0.82Ga0.18As/InP的临界厚度

根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGat-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚度和高于临界厚度的In0.82Ga0.18As低温层,然后在生长条件一致情况下生长In0.82Ga0.18As高温层,分析临界厚度对In0.82Ga0.18As高温层的影响.     

制备大面积组分均匀的InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料

采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术制备大面积组分均匀的高晶格失配InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料．器件结构为：在直径为2英寸的S掺杂的InP衬底上采用两步生长法生长厚度为2．8μm的In0.81Ga0.19As层,作为红外探测器的吸收层,然后再生长厚度为0．8μm的InP覆盖层．分析器件结构材料的缓冲层的作用,研究所制备的大面积材料组分均匀性问题．为制作红外探测器器件,以及研究红外探测器器件性能,做好基础工作．     

氯化钠水溶液中多泡声致发光光谱的实验研究

实验研究了不同浓度、不同氪气含量氯化钠水溶液中的多泡声致发光光谱, 对其连续谱背景上出现的310 nm处的氢氧根离子光谱和589 nm处的钠原子光谱进行重点观察与比较. 发现在相同实验条件下, 钠原子光谱强度明显高于氢氧根离子光谱强度, 并且其对实验条件的改变更加敏感. 而氪气含量、氯化钠水溶液浓度及驱动声压也在一定范围内对光谱强度有较明显的影响.     

AP—MOCVD GaN材料生长特性

研究低温生长ＧａＮ过渡层（缓冲层）在ＡＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＧａＮ材料过程的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对ＧａＮ材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化、获得了Ｘ射线双晶衍射半峰宽为６‘的ＧａＮ外延层。     

双硅源选择外延及侧向过外延的生长特性

本文研究了利用双硅源进行ELO生长SOI结构的工艺条件,b值变化对多晶成核及侧向生长速率的影响,观察了ELO膜的表面形貌与温度、压力的关系,探讨了ELO膜空洞产生的原因及消除方法,获得了二氧化硅条宽为20μm的光亮、平整、连续的ELO单晶薄膜。