电子关联对聚乙炔中双激子湮灭过程的影响

在SSH哈密顿基础上引进弱电子关联,对反式聚乙炔链中双激子的湮灭过程实施了分子动力学模拟.电子关联的引入延缓了链中激子的湮灭过程,关联强度U=0eV时,激子的湮灭时间约在t=84fs,计入四个近邻格点上的弱电子关联作用,湮灭时间明显减慢,约为t>100fs.随着弱关联强度的增加,湮灭时间逐渐延长.计算结果表明,在计算有机材料激子快速响应过程中计入电子关联是十分必要的.     

Cimatron E8．0在模具加工中的应用

通过CD外壳型芯实例阐述了Cimatron E8．0在模具加工方面的应用,讲解了其加工刀路的设计及其加工过程的模拟,展示了Cimatron E多样化的数控加工编程策略。     

研究In0.82Ga0.18As/InP的临界厚度

根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGat-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚...     

研究In0.82Ga0.18As/InP的临界厚度

根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGat-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚度和高于临界厚度的In0.82Ga0.18As低温层,然后在生长条件一致情况下生长In0.82Ga0.18As高温层,分析临界厚度对In0.82Ga0.18As高温层的影响.     

聚乙炔中双激子和两个单激子的稳态性质

在Su-Schrieffer-Heeger (SSH)模型基础上,计入长程电子关联的影响,研究聚乙炔分子链中双激子态与2个单激子态的稳态性质,比较不同关联强度下激子的晶格位形、能级、电荷密度波、自旋密度波以及吸收谱线.结果表明:零电子关联下分子链中的2个单激子不能稳定存在；激子半径均随着关联强度的增加而减小；与双激子的...     

反式聚乙炔的高激发态极化子

在Su-Schrieffer-Heeger（SSH）模型基础上,计入长程电子关联的影响,研究反式聚乙炔分子链中的高激发态极化子的稳态性质.与一般的低激发态极化子比较,高激发态极化子的晶格畸变更宽更深,能隙中的两个局域几乎重合,除了在1.35 eV附近的peirls吸收峰,高激发态极化子仅有一个约0.65 eV的低能吸收峰,而普通极化子有2个低能吸收峰,一个在0.175 eV附近,一个在0.85 eV附近.这些区别为区分两类极化子提供判据.     

电子关联对聚乙炔中双激子湮灭过程的影响

在SSH哈密顿基础上引进弱电子关联，对反式聚乙炔链中双激子的湮灭过程实施了分子动力学模拟．电子关联的引入延缓了链中激子的湮灭过程，关联强度U=0eV时，激子的湮灭时间约在t=84fs，计入四个近邻格点上的弱电子关联作用，湮灭时间明显减慢，约为t〉100fs．随着弱关联强度的增加，湮灭时间逐渐延长．计算结果表明，在计算有...     

PROFIBUS总线在联合织造机上的应用

该文主要介绍了由S7-300PLC与DANFROSS变频器组成的基于PROFIBUS总线的主从结构控制系统在联合织造机中的软硬件设计、开发过程。     

基于AutoCAD的凸轮外形轮廓曲线设计

根据凸轮机构从动件的运动规律,借助Excel快速制表与强大的计算功能得到所需数据,利用AutoCAD绘制出准确度较高的凸轮外形轮廓曲线。     

光诱致聚乙炔激子的产生和演化

在Su—Schrieffer—Heeger（SSH）哈密顿基础上引进弱电子关联，对反式聚乙炔链中单激子的产生和演化过程实施了分子动力学模拟．结果表明，弱关联的引入显著加快了激子的产生和演化，激子形成的时间由零关联的104fs缩短为48fs；弱关联未能使呼吸子的振荡周期发生显著改变，但呼吸子振荡成为等振幅恒频率模式．聚乙炔光诱致吸收试验中的瞬时高频吸收峰解释为呼吸子吸收．