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| 研究In0.82Ga0.18As/InP的临界厚度 | |
| 引用本文： | 傅军,孙书娟,孙秋,张铁民,符运良,缪国庆.研究In0.82Ga0.18As/InP的临界厚度[J].海南师范大学学报(自然科学版),2011(1):44-46,55. |
| 作者姓名： | 傅军 孙书娟 孙秋 张铁民 符运良 缪国庆 |
| 摘 要： | 根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGat-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚... |
| 关 键 词： | In0.82Ga0.18As 金属有机化学气相淀积 临界厚度 |